MEMS繼電器與開關(guān)。其優(yōu)勢是體積?。芏雀撸捎梦⒐に嚺恐圃鞆亩档统杀荆?，速度快，有望取代帶部分傳統(tǒng)電磁式繼電器，并且可以直接與集成電路IC集成，極大地提高產(chǎn)品可靠性。其尺寸微小，接近于固態(tài)開關(guān)，而電路通斷采用與機械接觸（也有部分產(chǎn)品采用其他通斷方式），其優(yōu)勢劣勢基本上介于固態(tài)開關(guān)與傳統(tǒng)機械開關(guān)之間。MEMS繼電器與開關(guān)一般含有一個可移動懸臂梁，主要采用靜電致動原理，當提高觸點兩端電壓時，吸引力增加，引起懸臂梁向另一個觸電移動，當移動至總行程的1/3時，開關(guān)將自動吸合（稱之為pullin現(xiàn)象）。pullin現(xiàn)象在宏觀世界同樣存在，但是通過計算可以得知所需的閾值電壓高得離譜，所以我們?nèi)粘Ｖ袔缀醪粫吹?。汽車上的MEMS傳感器有哪些？云南MEMS微納米加工共同合作

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

1、醫(yī)療MEMS傳感器應(yīng)用于無創(chuàng)胎心檢測，檢測胎兒心率是一項技術(shù)性很強的工作，由于胎兒心率很快，在每分鐘l20～160次之間，用傳統(tǒng)的聽診器甚至只有放大作用的超聲多普勒儀，用人工計數(shù)很難測量準確。具有數(shù)字顯示功能的超聲多普勒胎心監(jiān)護儀，價格昂貴，少數(shù)大醫(yī)院使用，在中、小型醫(yī)院及廣大的農(nóng)村地區(qū)無法普及。此外，超聲振動波作用于胎兒，會對胎兒產(chǎn)生很大的不利作用。盡管檢測劑量很低，也屬于有損探測范疇，不適于經(jīng)常性、重復(fù)性的檢查及家庭使用。而采用PMUT、或者CMUT的超聲技術(shù)，可以探測或成像方式來呈現(xiàn)監(jiān)測對象的準確的測量。 定制MEMS微納米加工設(shè)計PVD磁控濺射、PECVD氣相沉積、IBE刻蝕、ICP-RIE深刻蝕是構(gòu)成MEMS技術(shù)的必備工藝。

MEMS制作工藝-太赫茲特性：

1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動的電偶極子振蕩產(chǎn)生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生，因此有很好的相干性。THz的相干測量技術(shù)能夠直接測量電場振幅和相位，從而方便提取檢測樣品的折射率，吸收系數(shù)等。

2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級，遠小于X射線的10^3量級，不易破壞被檢測的物質(zhì)，適合于生物大分子與活性物質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究。

3.穿透性:THz輻射對于很多非極性物質(zhì)，如塑料，紙箱，布料等包裝材料有很強的穿透能力，在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用

4.吸收性:大多數(shù)極性分子對THz有強烈的吸收作用，可以用來進行醫(yī)療診斷與產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)控

5.瞬態(tài)性:相比于傳統(tǒng)電磁波與光波，THz典型脈寬在皮秒量級，通過光電取樣測量技術(shù)，能夠有效抑制背景輻射噪聲的干擾，在小于3THz時信噪比達10人4:1。

6.寬帶性:THz脈沖光源通常包含諾千個周期的電磁振蕩，!單個脈沖頻寬可以覆蓋從GHz至幾+THz的范圍，便于在大的范圍內(nèi)分析物質(zhì)的光譜信息。

MEMS制作工藝柔性電子出現(xiàn)的意義：

  柔性電子技術(shù)有可能帶來一場電子技術(shù)進步，引起全世界的很多的關(guān)注并得到了迅速發(fā)展。美國《科學(xué)》雜志將有機電子技術(shù)進展列為2000年世界幾大科技成果之一，與人類基因組草圖、生物克隆技術(shù)等重大發(fā)現(xiàn)并列。美國科學(xué)家艾倫黑格、艾倫·馬克迪爾米德和日本科學(xué)家白川英樹由于他們在導(dǎo)電聚合物領(lǐng)域的開創(chuàng)性工作獲得2000年諾貝爾化學(xué)獎。

  柔性電子技術(shù)是行業(yè)新興領(lǐng)域，它的出現(xiàn)不但整合電子電路、電子組件、材料、平面顯示、納米技術(shù)等領(lǐng)域技術(shù)外，同時橫跨半導(dǎo)體、封測、材料、化工、印刷電路板、顯示面板等產(chǎn)業(yè)，可協(xié)助傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，如塑料、印刷、化工、金屬材料等產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型。其在信息、能源、醫(yī)療、制造等各個領(lǐng)域的應(yīng)用重要性日益凸顯，已成為世界多國和跨國企業(yè)競相發(fā)展的前沿技術(shù)。美國、歐盟、英國、日本等相繼制定了柔性電子發(fā)展戰(zhàn)略并投入大量科研經(jīng)費，旨在未來的柔性電子研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展中搶占先機。 MEMS常見的產(chǎn)品-聲學(xué)傳感器。

MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù)：

  太赫茲波是天文探測領(lǐng)域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。當前，太赫茲超導(dǎo)接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術(shù)的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數(shù)值建模與仿真、低溫超導(dǎo)實驗驗證等手段， MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？湖北MEMS微納米加工平臺

MEMS后發(fā)追趕，國產(chǎn)替代空間廣闊。云南MEMS微納米加工共同合作

MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕：在半導(dǎo)體制程中，單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優(yōu)劣，各有特點。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進行的化學(xué)反應(yīng)來去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分，而達到刻蝕的目的。因為濕法刻蝕是利用化學(xué)反應(yīng)來進行薄膜的去除，而化學(xué)反應(yīng)本身不具方向性，因此濕法刻蝕過程為等向性。濕法刻蝕過程可分為三個步驟:1)化學(xué)刻蝕液擴散至待刻蝕材料之表面;2)刻蝕液與待刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng);3)反應(yīng)后之產(chǎn)物從刻蝕材料之表面擴散至溶液中，并隨溶液排出。

濕法刻蝕之所以在微電子制作過程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的刻蝕選擇比等優(yōu)點。但相對于干法刻蝕，除了無法定義較細的線寬外，濕法刻蝕仍有以下的缺點:1) 需花費較高成本的反應(yīng)溶液及去離子水:2) 化學(xué)藥品處理時人員所遭遇的安全問題:3) 光刻膠掩膜附著性問題;4) 氣泡形成及化學(xué)腐蝕液無法完全與晶片表面接觸所造成的不完全及不均勻的刻蝕 云南MEMS微納米加工共同合作