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晶閘管智能模塊基本參數(shù)
  • 產(chǎn)地
  • 山東淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型號
  • 多種型號
  • 是否定制
晶閘管智能模塊企業(yè)商機

    軟啟動器可分為有級和無極兩類,前者的調(diào)節(jié)是分檔的;后者的調(diào)節(jié)是連續(xù)的。傳統(tǒng)的軟起動器均是有級的。下面我們就是主要介紹下無級類,它們是液阻軟起動、磁控軟起動和晶閘管軟起動。在電動機定子回路,通過串入有限流作用的電力電子器件實現(xiàn)軟起動,叫做降壓或者限流軟起動,它是軟起動中的一個重要類別。按限流器件不同可分為:以電解液限流的液阻軟起動,以磁飽和電抗器為限流啟動的磁控軟啟動,以晶閘管為限流器件的晶閘管軟起動。變頻調(diào)速器也是一種軟起動裝置,它是比較理想的一種,它可以在限流同時保持高的起動轉(zhuǎn)矩。價格貴是制約其作為軟起動應用的重要因素,它主要用在變頻調(diào)速系統(tǒng)中。一、液阻軟起動器液阻是一種由電解液形成的電阻,它導電的本質(zhì)是離子導電。它的阻值正比相對的二塊電極板的距離,反比于電解液的電導率,極板距離和電導率都便于控制;液阻的熱容量大。液阻的這兩大特點(阻值可以無級控制和熱容量大),恰恰是軟起動所需要的。液阻軟起動也有缺點:一是液阻箱容積大,其根源在于阻性限流,減小容積引起溫升加大。一次軟起動后電解液通常會有10-30攝氏度的溫升,使軟啟動的重復性差。二是移動極板需要有一套伺服機構(gòu),它的移動速度較慢。正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營管理體系,使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。青島MTDC250晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關(guān)系因負載性質(zhì)和電路形式的不同而有所區(qū)別:

單相交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~ 180°,控制電壓對應0.5V~9.5V。

單相整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~180°,控制電壓對應0.5V~9.5V;感性負載時α范圍為0°~90°,控制電壓對應于5V~9.5V。

三相全控整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~120°,控制電壓對應2V~8V;感性負載時α范圍為0°~90°,控制電壓對應于3.5V~8V。

三相半控整流調(diào)壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~180°,控制電壓對應0.5V~9.5V。

三相全控交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~150°,控制電壓對應1.5V~9V。

三相半控交流調(diào)壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~210°,控制電壓對應0.5V~9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時,α有效范圍為90°~180°,控制電壓對應0.5V~5V;整流充電時,α有效范圍為0°~90°,控制電壓對應5V~9.5V。

注:交流調(diào)壓模塊用于感性負載時α應大于負載阻抗角Ψ,即α≥Ψ;當α≤Ψ時,模塊已輸出較大電壓,且不再隨α的改變而變化。 濱州MTDC30晶閘管智能模塊品牌正高電氣設(shè)備的引進更加豐富了公司的設(shè)備品種,為用戶提供了更多的選擇空間。

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    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關(guān)與接觸器的選型無功補償中一個重要器件就是電容器投切開關(guān)。早期多采用的是接觸器,隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開關(guān),希拓小編帶你了解下兩者如何選型。接觸器在投入過程中涌流大,嚴重時,會發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器,在無功負荷動搖大,電容器投切頻繁的狀況下,也存在運用壽命短,需求經(jīng)常停止檢修的問題。一般使用于負荷穩(wěn)定,投切次數(shù)較少的場合??煽毓柰肚虚_關(guān),具有零電壓投入、零電流切除,投切過程無涌流,對電網(wǎng)無沖擊,反響速度快等特性,會產(chǎn)生很高的溫升,需求運用**散熱器,來處理其通風散熱問題,一般應用于負荷急劇變化的需頻繁投切的場合。希拓電氣(常州)有限公司是專業(yè)的可控硅投切開關(guān)生產(chǎn)供應廠商,嚴格把控產(chǎn)品細節(jié),努力為客戶提供完善的服務。我司**產(chǎn)品主要包含德國進口可控硅、可控硅觸發(fā)模塊(自主研發(fā))、溫控開關(guān)、鋁合金散熱器、冷卻風機等,能實現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護的功能,可提高可控硅的運行穩(wěn)定性。

    IC1D及其周圍電路構(gòu)成壓控時鐘,其輸出信號的周期隨調(diào)節(jié)器的輸出電壓VK而線性變化。壓控時鐘信號輸入到IC6的11P,作為數(shù)字觸發(fā)的時鐘CL0K0。數(shù)字觸發(fā)的特征是用計數(shù)(時鐘脈沖)的辦法來實現(xiàn)移相,6路整流移相觸發(fā)脈沖均由IC6產(chǎn)生,IC2C、IC2D及其周圍電路組成定輸出脈寬電路。6路整流移相觸發(fā)脈沖經(jīng)IC5晶體管陳列放大后,驅(qū)動整流脈沖變壓器輸出,這里脈沖變壓器采用的是反激工作方式。共設(shè)有2個調(diào)節(jié)器:中頻電壓/電流調(diào)節(jié)器、逆變角調(diào)節(jié)器。其中電壓/電流調(diào)節(jié)器(IC3C),是常規(guī)的PI調(diào)節(jié)器,在啟動和運行的整個階段,該環(huán)始終參與工作;逆變角調(diào)節(jié)器(IC3B)用于使逆變橋能在某一θ角下穩(wěn)定的工作。調(diào)節(jié)器電路的工作過程可以分為兩種情況:一種是直流電壓沒有達到比較大值的時候,即IC3D沒有限幅,而IC3A工作于限幅狀態(tài),對應的為**小逆變θ角,此時系統(tǒng)完全是一個標準的電壓/電流閉環(huán)系統(tǒng);另一種情況是直流電壓已經(jīng)達到比較大值,即IC3D開始限幅,整流橋的調(diào)節(jié)不再起作用,而IC3A退出限幅狀態(tài)開始工作,調(diào)節(jié)逆變角調(diào)節(jié)器的θ角給定值,使輸出的中頻電壓增加,達到新的平衡。此時,就有電壓/電流調(diào)節(jié)器與逆變角調(diào)節(jié)器雙環(huán)工作。正高電氣受行業(yè)客戶的好評,值得信賴。

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    使得VD1~VD4所組成的橋路不通,作為負載的燈泡中無電流流過,燈泡不亮。以下是一款簡單的光敏電阻延時節(jié)電開關(guān)電路圖,它是由三個接線端子[1]、[2]、[3],三端低壓直流電源[4],延時電路由(W↓〔1〕、R↓〔1〕、C↓〔1〕構(gòu)成),脈沖電路(由R↓〔2〕、BG↓〔1〕構(gòu)成),無觸點開關(guān)電路(由SCR↓〔1〕、R↓〔2〕、D↓〔1〕、SCR↓〔2〕構(gòu)成。它具有電路簡單、成本低、體積小、布線簡單、使用方便、經(jīng)久耐用、節(jié)電顯著、用電設(shè)備壽命長的特點。光敏電阻光控燈電路圖(三):基于光敏電阻的亮度自動調(diào)節(jié)臺燈電路圖本方案介紹的自動調(diào)光臺燈能根據(jù)周圍環(huán)境亮度強弱自動調(diào)整臺燈發(fā)光量。當環(huán)境亮度弱,它發(fā)光亮度就增大;環(huán)境亮度強,發(fā)光亮度就減暗。臺燈電路及工作原理該燈電路見圖1.當開關(guān)S撥向位置2時,它是一個普通調(diào)光臺燈。RP、C和氖泡N組成張弛振蕩器,用來產(chǎn)生脈沖觸發(fā)可控硅VS.一般氖泡輝光導通電壓為60-80V,當C充電到輝光電壓時,N輝光導通,VS被觸發(fā)導通。調(diào)節(jié)RP能改變C充電速率,從而能改變VS導通角,達到調(diào)光的目的。R2、R3構(gòu)成分壓器通過VD5也向C充電,改變R2、R3分壓也能改變VS導通角,使燈的亮度發(fā)生變化。當S撥向位置1時,光敏電阻RG取代R3。正高電氣為客戶服務,要做到更好。青島MTDC250晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

正高電氣過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、質(zhì)量的售后服務、認真嚴格的企業(yè)管理,贏得客戶的信譽。青島MTDC250晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

    以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。目前,GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當黑表筆接G極,紅表筆接K極時,電阻呈低阻值。青島MTDC250晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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