水冷裝置在作此項調(diào)試時，必須通水冷卻。當調(diào)試場地的電源供不出裝置的額定電流時，額定電流的整定，可放在現(xiàn)場滿負荷運行時進行。但是，應先在小電流的狀況下，判定一下電流取樣回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP開關均撥在OFF位置，面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管殼上，測逆變觸發(fā)脈沖的它激頻率（它激頻率可以通過W6來調(diào)節(jié)），調(diào)節(jié)W5微調(diào)電位器，使頻率表的讀數(shù)與示波器測得的相一致。若中頻電源用的是**中頻頻率表，則可免去此步調(diào)試。但還是推薦使用直流毫安表頭改制的頻率表，這一方面是可以測得比較高它激頻率，另一方面是價格便宜。（W6）首先檢查逆變晶閘管的門級線連接是否正確，逆變未級上的LED亮度是否正常，不亮則說明逆變末級的E和C接線端子接反了；再把主控板上CON3-5對外的連線解掉，看熄滅的LED逆變末級是否處在逆變橋的對角線位置。把主控板上的DIP開關均撥在OFF位置，把面板上的“給定”電位器逆時針旋到底，調(diào)節(jié)控制板上的W6微調(diào)電位器，使比較高它激頻率高于槽路諧振頻率的，W3、W4微調(diào)電位器旋在中間位置。把面板上的“給定”電位器順時針稍微旋大，這時它激頻率開始從高往底掃描（從頻率表中可以看出）。正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務。青島MTAC260晶閘管智能模塊組件

模塊內(nèi)部晶閘管主要參數(shù)

（1）正反向峰值耐壓：≥1400V；

（2）di／dt：100A／μs；

（3）dv／dt：500V／μs

晶閘管智能模塊的應用方法

模塊的控制功能端口

模塊可應用于各行各業(yè)需要對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合。如變壓器調(diào)壓；加熱行業(yè)調(diào)溫；金屬加工行業(yè)的電鍍、電解；電源行業(yè)電池充放電、電源穩(wěn)壓；電磁行業(yè)的勵磁以及各行業(yè)使用的直流電機調(diào)速、交流電機軟起動等。

模塊如何使用？

模塊的使用非常簡單，只需用一個可調(diào)的電壓或者電流信號即可對模塊輸出電壓的大小進行平滑調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)弱電對強電的控制。

電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法?？刂菩盘柨梢杂?～5V，0～10V，4～20mA，0～10mA四種形式。

+12V：外接 +12V直流電源正極。

GND：直流電源地線。

GND1: 控制信號地線，與GND 相通。

CON10V: 0～10V 控制信號輸入

TESTE：檢測電源,方便用戶檢測模塊功能時用?？赏饨?4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。

CON20mA：4～20mA控制信號輸入 青島MTAC260晶閘管智能模塊組件正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。

晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法

1、各功能端相對com端必須為正，若com端為負極，極性相反，則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。

2、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正極性，即控制電壓越高，模塊強電主回路輸出電壓越高。

3、晶閘管智能調(diào)壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式，若2種以上方式同時輸入使用，則輸入信號較強的一種起主要作用。

4、晶閘管智能調(diào)壓模塊電源為上進下出，三相交流電路的進線R、S、T無相序要求，導線粗細按實際使用電流選擇。

5、晶閘管智能調(diào)壓模塊N線*為模塊內(nèi)部開關電源用，用1平方細導線即可，N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設計。

6、晶閘管智能調(diào)壓模塊在使用過程中若發(fā)生過流現(xiàn)象，應首先檢查負載有無短路等故障。可在模塊的進線R、S、T端之前安裝快速熔斷器進行過流保護，規(guī)格可按實際負載電流的1.5倍選配。

7、智能晶閘管智能調(diào)壓模塊應與散熱器配合使用，在機柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時可安裝風扇強制散熱。

    如果所裝的中頻電源不需要復位功能、報警功能、內(nèi)接頻率表的話，端子CON2-6、CON2-1、CON3-8、CON3-9便可不用。11、應用舉例圖示為一臺KGPS-160KW中頻電源的電氣原理圖，可作為其它裝置原理設計的參考，由于控制電路已經(jīng)對開機，關機的邏輯進行了設計，因此，不必考慮主回路與控制回路的上電順序。12、調(diào)試一臺20M示波器，若示波器的電源是三芯插頭時，注意“地線”千萬不能接，示波器外殼對地需絕緣，*使用一蹤探頭，示波器的X軸、Y軸均需較準，探頭需在測試信號下補償好。若無高壓示波器探頭，應用電阻做一個分壓器，以適應600V以上電壓的測量。一個≤500Ω、≥500W的電阻性負載。為了調(diào)試的安全，調(diào)試前，應該使逆變橋不工作。例如：把平波電抗器的一端斷開，再在整流橋直流口接入一個≤500Ω、≥500W的電阻性負載。電路板上的IF微調(diào)電位器W1順時針旋至比較**（調(diào)試過程發(fā)生短路時，可以提供過流保護）。主控板上的DIP-1開關撥在ON位置；用示波器做好測量整流橋輸出直流電壓波形的準備；把面板上的“給定”電位器逆時針旋至**小。送上三相供電（可以不分相序），檢查是否有缺相報警報示，若有，可以檢查進線快速熔斷器是否損壞。把面板上的“給定”電位器順時針旋大。正高電氣重信譽、守合同，嚴把產(chǎn)品質(zhì)量關，熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察，洽談業(yè)務！

    以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值。以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務。青島MTAC260晶閘管智能模塊組件

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    [1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結(jié)和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負阻區(qū)開始進入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做谷點電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）。當發(fā)射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負阻特性。[6]檢測單結(jié)晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。青島MTAC260晶閘管智能模塊組件

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