過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端。2、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間很短，也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會(huì)引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會(huì)產(chǎn)生過電壓。正高電氣以誠信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。青島MTAC260晶閘管智能模塊組件

晶閘管智能模塊的保護(hù)

在實(shí)際應(yīng)用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護(hù)措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。

過熱保護(hù)：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實(shí)際工作中由于自身功耗，都會(huì)引起芯片溫度上升，溫度過高后，會(huì)使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實(shí)際應(yīng)用中，通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來及時(shí)散除晶閘管工作時(shí)產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 濱州MTAC350晶閘管智能模塊廠家正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品，完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)！

    調(diào)試告結(jié)束。13、注意事項(xiàng)，請取下控制板，否則可能造成控制板長久性損壞。，恕不另行通知。，本公司概不負(fù)責(zé)。MPU器件是一種CMOS器件，使用時(shí)應(yīng)注意，器件的兩個(gè)引腳之間嚴(yán)禁短路，否則將損壞芯片，為保護(hù)器件的安全，因此忌用萬用表直接測量器件的引腳。，控制板上有高壓電，請注意，以免觸電。14.問題討論控制電路上已經(jīng)把過壓保護(hù)電平固定在額定輸出電壓的，當(dāng)進(jìn)行定額電壓整定時(shí)，過壓保護(hù)就自動(dòng)整定好了。若覺得，可改變控制板上的R28電阻值，減小R28，過壓保護(hù)電平增高；反之減小?？刂齐娐飞弦呀?jīng)把過流保護(hù)電平固定在額定直流電流的，當(dāng)進(jìn)行額定電流的整定時(shí)，過流保護(hù)就自動(dòng)設(shè)定好。若覺得，增大R27，過流保護(hù)電平增高，反之減小。當(dāng)，可在系統(tǒng)運(yùn)行于重負(fù)荷下，逆時(shí)針調(diào)節(jié)控制板上的W1電流反饋微調(diào)電位器，使直流表達(dá)到額定值。這與一般的中頻電源的電源整定是一樣的。一定要使它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率，否則，系統(tǒng)由于它激頻率的“拽著”而不能正常運(yùn)行。它激頻率高于槽路可能的比較大諧振頻率。對熔煉負(fù)載來說，恒功率輸出是很重要的，要想使恒功率的范圍大，就要使逆變引前角從**小變到比較大的范圍盡可能的大，同時(shí)負(fù)載阻抗的匹配也很重要。

    并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí)，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn)，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)。正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。

    電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。濱州MTAC350晶閘管智能模塊廠家

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    晶閘管是晶體閘流管的簡稱，原名可控硅整流器（SCR），簡稱可控硅，其派生器件有雙向晶閘管和可關(guān)斷晶閘管。晶閘管的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體器件從弱電領(lǐng)域進(jìn)入強(qiáng)電領(lǐng)域。主要應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓、開關(guān)等方面，應(yīng)用**多在晶閘管可控整流。1.單向晶閘管具有3個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的器件，引出的電極分別為陽極A、陰極K和控制極G。右邊為其等效電路。通斷轉(zhuǎn)換條件：主要參數(shù)1）額定正向平均電流。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值。2）維持電流。在規(guī)定環(huán)境溫度、控制極斷開的條件下，保持晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小正向電流。3）門極觸發(fā)電壓。在規(guī)定環(huán)境溫度及一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通，控制極所需的**小電壓，一般為1~5V。4）門極觸發(fā)電流。在規(guī)定環(huán)境溫度即一定正向電壓條件下，使晶閘管從阻斷到導(dǎo)通，控制極所需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。5）正向重復(fù)峰值電壓。在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，稱為正向重復(fù)峰值電壓。6）正向重復(fù)峰值電流。在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管上的反向峰值電壓。青島MTAC260晶閘管智能模塊組件

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