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  • 河北可控硅集成調(diào)壓模塊供應(yīng)商,晶閘管模塊
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晶閘管模塊基本參數(shù)
  • 產(chǎn)地
  • 山東淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型號(hào)
  • 多種型號(hào)
  • 是否定制
晶閘管模塊企業(yè)商機(jī)

    電力電子開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù):電力電子開(kāi)關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件,如晶閘管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中,現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制,不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此,針對(duì)上述問(wèn)題,有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單元包括:壓塊、門(mén)極壓接式組件、導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板,所述壓塊設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件上,并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件對(duì)所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板施加壓合作用力,所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上;所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊、第二門(mén)極壓接式組件、第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片,所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門(mén)極壓接式組件上。正高電氣始終堅(jiān)持以人為本,恪守質(zhì)量為金,同建雄績(jī)偉業(yè)。河北可控硅集成調(diào)壓模塊供應(yīng)商

河北可控硅集成調(diào)壓模塊供應(yīng)商,晶閘管模塊

    電力半導(dǎo)體器件有:全系列功率模塊(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK),軟恢復(fù)快速整流管(FRD),旋轉(zhuǎn)整流管(ZX),大功率組合整流元件,普通晶閘管(KP),快速晶閘管(KK),雙向晶閘管(KS),逆導(dǎo)晶閘管(KN),可關(guān)斷晶閘管(GTO),電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵(lì)磁整流組件,各種功率單元。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源,充電電源,電機(jī)調(diào)速,感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件,實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國(guó)產(chǎn)化;6K、6G、8K、8G電力機(jī)車(chē)原器件也全部由我公司國(guó)產(chǎn)化,使用壽命超過(guò)了進(jìn)口元件。在自動(dòng)控制方面,我公司成功開(kāi)發(fā)出各種工控板,應(yīng)用在各種不同的場(chǎng)合,真正形成了控制方式靈活,保護(hù)齊全,可靠性高的優(yōu)勢(shì)。與模塊結(jié)合開(kāi)發(fā)了智能模塊。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng)。在散熱器方面公司成功開(kāi)發(fā)了,通過(guò)努力已進(jìn)入了國(guó)內(nèi)的輸變電行業(yè)、機(jī)車(chē)行業(yè)所需的**市場(chǎng)。我公司秉承快速反應(yīng)、持續(xù)改進(jìn)的工作作風(fēng),融入世界的發(fā)展戰(zhàn)略,致力于提高品牌**度的發(fā)展目標(biāo),建成國(guó)際前列、國(guó)內(nèi)**的功率半導(dǎo)體制造基地。上海三相交流調(diào)壓模塊哪家好正高電氣秉承團(tuán)結(jié)、奮進(jìn)、創(chuàng)新、務(wù)實(shí)的精神,誠(chéng)實(shí)守信,厚德載物。

河北可控硅集成調(diào)壓模塊供應(yīng)商,晶閘管模塊

    晶體閘流管工作過(guò)程編輯晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此,兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門(mén)極電流Ig流入時(shí),就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門(mén)極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,而門(mén)極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下。從門(mén)極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2。

晶閘管模塊

晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線(xiàn)簡(jiǎn)單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn),自誕生以來(lái)就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞,并得到了極大的發(fā)展。

晶閘管模塊一般對(duì)錯(cuò)正弦電流有疑問(wèn),存在導(dǎo)通角,負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)一定要留出一定的余量。

模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過(guò)載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過(guò)熱維護(hù)功能的商品,有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣是多層次的模式與管理模式。

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晶閘管模塊的散熱方法

晶閘管模塊的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗和柵極損耗組成。在工頻或400Hz以下的更多應(yīng)用是傳導(dǎo)損耗。為了保證器件的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行,散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)中電流、電壓額定值的選擇同等重要,不容忽視!散熱器常用的散熱方法有:自然空冷、強(qiáng)制空冷、熱管冷卻、水冷、油冷等??紤]散熱的一般原則是,控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過(guò)產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度。

選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素:

1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積。

2、晶閘管模塊的使用環(huán)境。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來(lái)確定何種冷卻方式,包括自然冷卻、強(qiáng)制風(fēng)冷和水冷。

3、設(shè)備的形狀和體積,為散熱預(yù)留空間的大小,根據(jù)這種情況來(lái)確定散熱器的形狀。 正高電氣講誠(chéng)信,重信譽(yù),多面整合市場(chǎng)推廣。上海三相交流調(diào)壓模塊哪家好

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    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示,本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括:壓塊7、門(mén)極壓接式組件8、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中,所述壓塊7設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件8上,并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力,所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接。河北可控硅集成調(diào)壓模塊供應(yīng)商

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