晶閘管智能模塊過流保護：

加熱爐在實際工作中因加熱絲溫度上升，會導致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會使電流增大，電流過大后會超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負載的額定電流或略大于負載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護作用。 正高電氣始終以適應和促進工業(yè)發(fā)展為宗旨。淄博MTDC55晶閘管智能模塊組件

    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。濱州MTDC1000晶閘管智能模塊批發(fā)正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務。

    是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”，圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數(shù)指標，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是：兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦?，即不但具有一般二極管單向?qū)щ姷恼髯饔茫铱梢詫娏鬟M行控制。單向晶閘管是PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成三個PN結(jié)，具有三個外電極A、K和G，可等效為PNP、NPN兩晶體管組成的復合管，見圖14左邊。在A、K間加上正向電壓后，管子并不導通。此時在控制極G加上正電壓時，VT1、VT2相繼迅速導通，此時即使去掉控制極電壓，管子仍維持導通狀態(tài)。雙向晶閘管可以等效為兩個單向晶閘管反向并聯(lián)，見圖14右邊，雙向晶閘管可以控制雙向?qū)ǎ虼顺刂茦OG外的另兩個電極不再分陽極陰極。

    則要求比較大逆變換相引前角在42°左右，此時，中頻輸出電壓與直流電壓的比為。一般期望它盡可能的大些，這在系統(tǒng)輸入電壓偏低時，仍可保證中頻輸出電壓到額定值，當系統(tǒng)輸入電壓偏高時，由于有電壓調(diào)節(jié)器的作用，中頻輸出仍然不會出現(xiàn)過電壓。此項調(diào)試工作應在50%額定中頻輸出電壓下進行。注意，必須先調(diào)，再調(diào)，否則順序反了，會出現(xiàn)互相牽扯的問題。有時由于電壓表不準，給調(diào)試帶來錯誤的結(jié)論，所以應以示波器測得的引前角為準。調(diào)試中若出現(xiàn)逆變引前角過大的現(xiàn)象，應檢查槽路諧振頻率是否過低。（W2）在輕負荷的情況下整定額定輸出電壓，把主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置、W2微調(diào)電位器順時針旋至比較大，把面板上的“給定”電位器順針旋大，逆變橋工作。繼續(xù)把面板上的“給定”電位器順時針旋至比較大，此時輸出的中頻電壓接近額定值，逆時針調(diào)節(jié)W2微調(diào)電位器，使輸出的中頻電壓達到額定值。在這項調(diào)試中，可見到這樣的現(xiàn)象，即直流電壓升到比較大值后，中頻輸出電壓卻還能繼續(xù)隨“給定”電位器的旋大而上升。在整定額定輸出電壓時，應在直流電流低于額定電流的條件下進行，否則會由于電流限幅的作用，使中頻輸出電壓調(diào)不上去。至此，6只微調(diào)電位器全部調(diào)完。正高電氣不斷從事技術(shù)革新，改進生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。

    電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護，保護晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護晶閘管，就要知道過電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細情況：晶閘管模塊對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管模塊就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管模塊是很危險的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。正高電氣重信譽、守合同，嚴把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān)，熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察，洽談業(yè)務！淄博MTDC55晶閘管智能模塊組件

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    光敏電阻光控燈電路圖（一）：光控燈照明電路220V交流電壓經(jīng)電容C1降壓，整流橋堆UR進行全波整流，電容C2濾波，穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓后變成直流電壓。光敏電阻RG白天電阻很小，向電容C3充電的脈沖信號很小，無法觸發(fā)晶閘管導通，燈泡EL回路不通，燈泡EL不亮：夜幕降臨時，光敏電阻的暗阻很大，向電容C3充電脈沖信號很大，可以觸發(fā)晶閘管的門極，使晶閘管導通，這時繼電器線圈得電，串在燈泡EL回路的繼電器常開觸點接通，則燈泡EL點亮。調(diào)節(jié)電位器RP可以調(diào)節(jié)給門極的觸發(fā)信號的大小，就調(diào)節(jié)了晶閘管的導通角，從而控制了燈泡的亮度。光敏電阻光控燈電路圖（二）：光敏電阻延時節(jié)電開關(guān)電路圖延時節(jié)電開關(guān)是一種樓道照明燈或其它用電設(shè)備的自動延時開關(guān)裝置。它采用電子器件、脈沖技術(shù)及無觸點開關(guān)技術(shù)。如樓道每個單元只裝一臺，用三根導線連接樓道各層位的按扭開關(guān)和照明燈，當行人夜間上下樓時，只需就近按下按扭開關(guān)，各層照明燈都點亮，經(jīng)數(shù)秒或數(shù)分鐘后，各層照明燈自動熄滅，并且本裝置也自動停電，平時不耗電能。在白天光線射到光敏電阻RG之上時，其阻值變得很小，使VT2截止，VT3也截止，C4正極電位為零（或很低），無觸發(fā)電壓加到晶閘管VTH的門極上，晶閘管不導通。淄博MTDC55晶閘管智能模塊組件

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