可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),BG2便有基流ib2流過(guò),經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個(gè)管子的電流劇增,可控硅使飽和導(dǎo)通。
由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?,所以一旦可控硅?dǎo)通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用,沒(méi)有關(guān)斷功能,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。
由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開(kāi)關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品**國(guó)內(nèi)。萊蕪可控硅模塊組件
可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,存在導(dǎo)通角問(wèn)題,負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度。
推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際
K :安全系數(shù),阻性負(fù)載K= 1.5,感性負(fù)載K= 2;
I負(fù)載:負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流; U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;
U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍);
I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 東營(yíng)大功率可控硅模塊創(chuàng)造價(jià)值是我們永遠(yuǎn)的追求!
可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實(shí)現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;
無(wú)觸點(diǎn)功率靜態(tài)開(kāi)關(guān)(固態(tài)開(kāi)關(guān)):作為功率開(kāi)關(guān)元件,可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開(kāi)關(guān)頻率很高的場(chǎng)合。
因此可控硅元件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中,多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等用途。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、聲控電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門電路、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線電遙控電路、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。
滿足可控硅模塊工作的必要條件:
(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>0.5A,標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模塊控制信號(hào):0~10V或4~20mA控制信號(hào),用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào),正極接CON10V或CON20mA,負(fù)極接GND1。
(3)可控硅模塊供電電源和負(fù)載:供電電源一般為電網(wǎng)電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負(fù)載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 淄博正高電氣有限公司得到市場(chǎng)的一致認(rèn)可。
可控硅模塊的使用注意事項(xiàng)
1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí),應(yīng)注意的是,除考慮通過(guò)元件的平均電流外,還必須注意正常運(yùn)行過(guò)程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素,同時(shí),管殼的溫度不得超過(guò)相應(yīng)電流的允許值。
2.使用可控硅模塊時(shí),使用萬(wàn)用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài),如有短路或斷路,應(yīng)立即更換。
3.嚴(yán)禁使用兆歐表來(lái)檢查部件的絕緣情況。
4.率大于5A的可控硅模塊,應(yīng)安裝散熱器,并保證規(guī)定的冷卻條件。同時(shí),為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好,應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂,以利于更好的散熱。
5.根據(jù)規(guī)定,主電路中的可控硅模塊采用過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)裝置。
6.防止控制極正向過(guò)載和反向擊穿。 淄博正高電氣有限公司以發(fā)展求壯大,就一定會(huì)贏得更好的明天。萊蕪可控硅模塊組件
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正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有兩個(gè)陽(yáng)極:一陽(yáng)極A1(T1),二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。
只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài),用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。 萊蕪可控硅模塊組件
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