它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來(lái)方便地改變負(fù)載的交流工作電壓,從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場(chǎng)合。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強(qiáng)型的區(qū)別在感性負(fù)載的場(chǎng)合,當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時(shí),由于電流、電壓的相位不一致,將產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓上升率dv/dt(換向dv/dt)加在雙向可控硅兩端,如此值超過(guò)雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時(shí)關(guān)斷,甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài),只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強(qiáng)型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高,因此在感性或容性負(fù)載場(chǎng)合宜選取增強(qiáng)型LSR。㈣繼電器負(fù)載輸出端電流等級(jí)及型號(hào)如下表:電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強(qiáng)型15A增強(qiáng)型35A型號(hào)LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強(qiáng)型50A增強(qiáng)型70A增強(qiáng)型90A。正高電氣提供周到的解決方案,滿(mǎn)足客戶(hù)不同的服務(wù)需要。遼寧快恢復(fù)晶閘管模塊
電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時(shí),根據(jù)焊接工藝的不同,對(duì)焊接時(shí)電弧的電壓和電流有不同的要求,因此需要各種不同特*流或直流電源。例如,在點(diǎn)、凸、峰焊、電阻焊時(shí)需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{(diào)壓或改變通過(guò)的周波數(shù)量),屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓;在各種氬弧焊、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應(yīng)用時(shí),反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中,直流調(diào)壓應(yīng)用時(shí),晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開(kāi)關(guān)時(shí)間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來(lái),CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速,據(jù)報(bào)道,發(fā)達(dá)國(guó)家這種焊機(jī)占到百分之六十或七十的比例,我國(guó)該焊機(jī)所占比例很低,也就百分之二十左右。目前,國(guó)內(nèi)CO2氣體保護(hù)焊機(jī)有可控和不可控兩種,根據(jù)所用器件進(jìn)行區(qū)分。采用整流的即為不可控;采用晶閘管整流的即為可控。全國(guó)以成都、廣州及華東地區(qū)發(fā)展比較快。所選用的器件大部分是螺栓式晶閘管或二極管占有的比例也很大,其次是日本產(chǎn)的焊機(jī)**整流模塊。二、電焊機(jī)晶閘管模塊分類(lèi)及應(yīng)用:電焊機(jī)中用的晶閘管模塊按模塊散熱底板與電極是否絕緣可分為絕緣型和非絕緣型兩種。連云港電磁吸盤(pán)穩(wěn)流模塊正高電氣公司自成立以來(lái),一直專(zhuān)注于對(duì)產(chǎn)品的精耕細(xì)作。
5光控晶閘管是通過(guò)光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力,因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無(wú)功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A。6逆變晶閘管因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10~15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中,它已讓位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其比較大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。7非對(duì)稱(chēng)晶閘管是一種正、反向電壓耐量不對(duì)稱(chēng)的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過(guò)是非對(duì)稱(chēng)晶閘管的一種特例,是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比,它具有關(guān)斷時(shí)間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點(diǎn),主要用于逆變器和整流器中。目前,國(guó)內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對(duì)稱(chēng)晶閘管。
額定電壓V1mA的下限是線(xiàn)路工作電壓峰值,考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,因此,額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量:三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過(guò)熱保護(hù)晶閘管在電流通過(guò)時(shí),會(huì)產(chǎn)生一定的壓降,而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問(wèn)題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí),一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞,是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過(guò)熱燒毀,而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶(hù)在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過(guò)熱保護(hù)作用的模塊。當(dāng)然,即便模塊帶過(guò)熱保護(hù)作用,而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中,當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí),如室溫超過(guò)40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等,則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用,否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過(guò)允許值而損壞。譬如。正高電氣優(yōu)良的研發(fā)與生產(chǎn)團(tuán)隊(duì),專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支撐。
晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),又可稱(chēng)做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅;1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門(mén)極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過(guò)程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類(lèi)2工作原理3工作條件4工作過(guò)程5注意事項(xiàng)6如何保護(hù)晶閘管晶體閘流管種類(lèi)編輯(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。。二)按引腳和極性分類(lèi)晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。。正高電氣展望未來(lái),信心百倍,追求高遠(yuǎn)。遼寧快恢復(fù)晶閘管模塊
正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。遼寧快恢復(fù)晶閘管模塊
當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,引發(fā)電路故障;當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),晶閘管就會(huì)立即損壞。因此,必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換,或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類(lèi)型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對(duì)晶閘管是很危險(xiǎn)的。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類(lèi):(1)交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如,交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓,這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地,開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高,在空載情況下斷開(kāi)回路將會(huì)有更高的過(guò)電壓。。2)直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大,都會(huì)產(chǎn)生比較大的過(guò)電壓。這種情況常出現(xiàn)于切除負(fù)載、正在導(dǎo)通的晶閘管開(kāi)路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場(chǎng)合。。遼寧快恢復(fù)晶閘管模塊
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