在設(shè)備方面，生產(chǎn)半導(dǎo)體測(cè)試探針的相關(guān)設(shè)備價(jià)格較高，國(guó)內(nèi)廠商沒有足夠的資金實(shí)力，采購日本廠商的設(shè)備。另一方面，對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備而言，產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)均會(huì)采購定制化的設(shè)備，客戶提出自身需求和配置，上游設(shè)備廠商通過與大型客戶合作開發(fā)，生產(chǎn)出經(jīng)過優(yōu)化的適合該客戶的設(shè)備。因此，即使國(guó)產(chǎn)探針廠商想采購日本設(shè)備廠商的專業(yè)設(shè)備，也只能得到標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)品。在原材料方面，國(guó)產(chǎn)材質(zhì)、加工的刀具等也不能達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體測(cè)試探針的要求，同時(shí)日本廠商在半導(dǎo)體上游原材料方面占據(jù)的優(yōu)勢(shì)，其提供給客戶的原材料也是分等級(jí)的，包括A級(jí)、B級(jí)、S級(jí)，需要依客戶的規(guī)模和情況而定。探針尖磨損和污染都會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果造成極大的負(fù)面影響。安徽手動(dòng)探針臺(tái)機(jī)構(gòu)

12英寸晶圓在結(jié)構(gòu)上具有更高的效率，以200mm工藝為例，在良率100%的情況下，可出88個(gè)完整的晶粒，理論上因方塊切割所造成的邊緣浪費(fèi)率為23%(約有20個(gè)晶粒因缺角破損而無法使用)；而若以300mm工藝進(jìn)行切割，則產(chǎn)出效率將更驚人，可產(chǎn)出193個(gè)完整的晶粒，會(huì)浪費(fèi)19%的晶圓面積(36個(gè)不完整晶粒)。此外，12英寸廠的規(guī)模經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)也不容小視；300mm的建廠成本與200mm的建廠成本比值約為1.5，而晶圓廠建廠成本與晶圓面積的比值卻少于2.25，這意味著只要多投入1.5倍的建廠成本，即可多生產(chǎn)2.25倍的晶粒！少少的邊際投入即可獲取的收益，約可節(jié)省33%的成本；如此高報(bào)酬的投資效益隨著技術(shù)的發(fā)展而讓人們受益。吉林半自動(dòng)探針臺(tái)生產(chǎn)廠家上海勤確科技有限公司需要的是客戶的滿意，而唯有雙贏，利益共享。

探針臺(tái)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)、集成電路以及封裝的測(cè)試。普遍應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。晶圓測(cè)試是芯片制造產(chǎn)業(yè)中一個(gè)重要組成部分，是主要的芯片良品率統(tǒng)計(jì)方法之一。隨著晶圓片直徑的逐漸增大且密度逐漸提高，晶圓測(cè)試的難度和成本也越來越高，也使得芯片需要更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間以及更加精密復(fù)雜的機(jī)械裝置和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來執(zhí)行測(cè)試工作和監(jiān)控測(cè)試結(jié)果。

探針卡沒焊到位，是因?yàn)楹稿a時(shí)針受熱要稍微的收縮，使針尖偏離壓點(diǎn)區(qū)，而針虛焊和布線斷線或短路，測(cè)試時(shí)都要測(cè)不穩(wěn)，所以焊針時(shí)，應(yīng)憑自己的經(jīng)驗(yàn),把針尖離壓點(diǎn)中心稍微偏一點(diǎn),焊完后使針尖剛好回到壓點(diǎn)中心,同時(shí)針焊好后應(yīng)檢查針尖的位置，檢查針的牢固性。技術(shù)員平時(shí)焊完卡后應(yīng)注意檢查探針卡的質(zhì)量如何，把背面的突起物和焊錫線頭剪平，否則要扎傷AL層，造成短路或斷路，而操作工也應(yīng)在測(cè)試裝卡前檢查一下。針尖有鋁粉:測(cè)大電流時(shí)，針尖上要引起多AL粉，使電流測(cè)不穩(wěn)，所以需要經(jīng)常用灑精清洗探針并用氮?dú)獯蹈?，同時(shí)測(cè)試時(shí)邊測(cè)邊吹氮?dú)猓詼p少針尖上的AL粉。圓片移動(dòng)到下一個(gè)芯片的位置，這種方法可以讓圓片上的每一個(gè)芯片都經(jīng)過測(cè)試。

下面我們來簡(jiǎn)單講講選擇探針臺(tái)設(shè)備時(shí)需要注意事項(xiàng)：一、機(jī)械加工精度；二、電學(xué)量測(cè)精度三、環(huán)境要求，如：真空環(huán)境、高溫、低溫環(huán)境、磁場(chǎng)環(huán)境及其它。四、光學(xué)成像；五、自動(dòng)化控制精度?？傮w而言，具有清晰并高景深的微觀成像，再通過準(zhǔn)確的探針裝置對(duì)探針進(jìn)行多方向移動(dòng)，對(duì)準(zhǔn)量測(cè)點(diǎn)，進(jìn)行信號(hào)加載，通過高精度線纜將所需測(cè)試數(shù)據(jù)傳輸至量測(cè)儀表，以達(dá)到所需得到的分析數(shù)據(jù)，所以，如果想得到高質(zhì)量的分析數(shù)據(jù)，從成像到點(diǎn)針，再到數(shù)據(jù)傳輸每項(xiàng)步驟都會(huì)起到重要的作用，另外振動(dòng)對(duì)精度也有一定的影響。平面電機(jī)應(yīng)使用在環(huán)境溫度15～25℃，相對(duì)濕度小于50％的環(huán)境中。重慶芯片測(cè)試探針臺(tái)機(jī)構(gòu)

探針臺(tái)由于動(dòng)子和定子間無相對(duì)摩擦故無磨損，使用壽命長(zhǎng)。安徽手動(dòng)探針臺(tái)機(jī)構(gòu)

晶圓級(jí)半自動(dòng)面內(nèi)磁場(chǎng)探針臺(tái)詳細(xì)參數(shù)：垂直或面內(nèi)磁場(chǎng)探針臺(tái)，通用性設(shè)計(jì)；容納12寸晶圓，且向下兼容8寸、6寸、碎片；兼容4組探針（RF或DC測(cè)試）；提供Z軸探針平臺(tái)快速升降功能，實(shí)現(xiàn)高效測(cè)試；磁場(chǎng)強(qiáng)度≥330mT;直流探針（4組）或微波探針（4組）；XY電控行程±150mm，調(diào)節(jié)精度2μm；T軸手動(dòng)調(diào)節(jié)±5°，小至調(diào)節(jié)精度5’。晶圓級(jí)半自動(dòng)二維磁場(chǎng)探針臺(tái)：詳細(xì)參數(shù)可對(duì)晶圓施加垂直或面內(nèi)磁場(chǎng)，兼容性設(shè)計(jì)；容納12寸晶圓，且向下兼容8寸、6寸、碎片；兼容4組探針（RF或DC測(cè)試）；提供Z軸探針平臺(tái)快速升降功能，實(shí)現(xiàn)高效測(cè)試；磁場(chǎng)強(qiáng)度≥0.7T；直流探針（4組）或微波探針（4組）；XY電控行程±150mm，調(diào)節(jié)精度2μm；T軸手動(dòng)調(diào)節(jié)±5°，小到調(diào)節(jié)精度5’。安徽手動(dòng)探針臺(tái)機(jī)構(gòu)