所述控制器控制所述玻璃加工治具4在所述蝕刻區(qū)3內(nèi)作往復(fù)移動(dòng)，所述主厚度測(cè)量?jī)x32測(cè)量玻璃厚度并且將關(guān)于測(cè)得厚度的信息實(shí)時(shí)發(fā)送到所述控制器；當(dāng)測(cè)得玻璃厚度達(dá)到預(yù)設(shè)目標(biāo)厚度時(shí)，所述控制器停止在所述蝕刻區(qū)3中噴射噴淋液的減薄處理，并且控制所述玻璃加工治具4向所述沖洗區(qū)2移動(dòng)。一般的，在所述腔室31內(nèi)，減薄處理的具體工藝參數(shù)為：所述玻璃加工治具4的往復(fù)運(yùn)動(dòng)中單程單向時(shí)間設(shè)置為～4s，來(lái)回往復(fù)一次時(shí)間設(shè)置為3s～8s，往復(fù)移動(dòng)幅度設(shè)置約為180mm左右；所述噴淋系統(tǒng)控制的噴淋液流量設(shè)置為1500lpm～2400lpm，在所述腔室31內(nèi)的酸蝕溫度一般設(shè)置為20℃～40℃；在上述參數(shù)下，玻璃的酸蝕速率一般在μm/min～μm/min，可有效實(shí)現(xiàn)對(duì)玻璃的整體減薄處理。s2，完成減薄處理的所述玻璃加工治具4在所述沖洗區(qū)2內(nèi)經(jīng)減薄后初清洗后待機(jī)，所述控制器進(jìn)行次減薄厚度確認(rèn)操作；具體的，通過(guò)設(shè)置于所述沖洗區(qū)2內(nèi)的所述輔助厚度測(cè)量?jī)x，進(jìn)行檢測(cè)厚度比較，從而實(shí)現(xiàn)所述減薄厚度確認(rèn)操作，當(dāng)所述減薄厚度未達(dá)到目標(biāo)厚度時(shí)，所述控制器可控制所述玻璃加工治具4再次回撤至所述腔室31內(nèi)進(jìn)行再次減薄處理。s3，所述玻璃加工治具4移動(dòng)至所述第三沖洗區(qū)2進(jìn)行減薄后終清洗。蘇州質(zhì)量好的減薄用清洗劑的公司聯(lián)系方式。清洗效果好的減薄用清洗劑替代

    來(lái)對(duì)所述待加工表面進(jìn)行減薄。可選地，還包括：在所述磁轉(zhuǎn)子運(yùn)行一段時(shí)間后，更換所述磁轉(zhuǎn)子?？蛇x地，將待加工部件固定在托盤(pán)上包括：采用光刻膠將所述待加工部件固定在所述托盤(pán)上。可選地，對(duì)所述待加工部件的待加工表面進(jìn)行拋光和減薄之后，還包括：對(duì)所述待加工部件進(jìn)行清洗；采用特定溶液對(duì)所述光刻膠進(jìn)行腐蝕，以將所述待加工部件與所述托盤(pán)分離。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明所提供的拋光減薄裝置和拋光減薄方法，采用托盤(pán)固定待加工部件，采用噴頭向待加工部件的待加工表面噴涂拋光液，來(lái)對(duì)所述待加工表面進(jìn)行拋光，采用磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)對(duì)待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨，來(lái)對(duì)所述待加工表面進(jìn)行減薄，由于減薄過(guò)程中待加工部件如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn)，因此，可以降低拋光減薄過(guò)程中對(duì)待加工部件如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力，降低待加工部件如inp基晶圓的機(jī)械加工損傷。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。浙江國(guó)產(chǎn)減薄用清洗劑價(jià)格選擇高效減薄用清洗劑，為您的生產(chǎn)線注入新活力。

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    所述支撐條431和所述第二支撐條432一一平行對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述連接部433活動(dòng)連接所述支撐條431和所述第二支撐條432，所述支撐條431固定設(shè)置于所述底座41上，所述接觸部434均勻設(shè)置在所述第二支撐條432上。同時(shí)可通過(guò)設(shè)置所述支撐條431的高度或所述支撐條431的固定位置從而調(diào)節(jié)所述底支撐件43的高度，如通過(guò)將上述支撐條431的兩端固定在兩所述豎直平板421上。較佳的，所述支撐條431和所述第二支撐條432上設(shè)置有磁性組，所述支撐條431和所述第二支撐條432在所述磁性組提供的磁性斥力作用下具有調(diào)節(jié)間隙。所述磁性組包括磁性件435和第二磁性件436，所述磁性件435和所述第二磁性件436分別設(shè)置于所述支撐條431和所述第二支撐條432上，且所述磁性件435和所述第二磁性件436之間具有磁性斥力，從而使所述第二支撐條432懸浮于所述支撐條431的上方。所述連接部433設(shè)置有限位孔437，所述限位孔437設(shè)置為腰型孔，所述支撐條431的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干限位塊438，所述第二支撐條432的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干第二限位塊439，所述限位塊438和所述第二限位塊439一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，對(duì)應(yīng)設(shè)置的所述限位塊438和所述第二限位塊439均設(shè)置在同一所述連接部433的所述限位孔437內(nèi)。專業(yè)減薄用清洗劑，讓您的生產(chǎn)更高效，成本更低。深圳半導(dǎo)體減薄用清洗劑訂做價(jià)格

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    在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，拋光液110的主要成分包括：碳化硅顆粒，顆粒直徑為50nm～200nm，體積比為3％～5％；次氯酸鹽，體積比為30％～40％；氫溴酸，體積比為5％～7％，di水，體積比50～60％。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，磁轉(zhuǎn)子12包括截面為半圓形的柱狀磁性結(jié)構(gòu)120和位于柱狀磁性結(jié)構(gòu)120的底部平面的研磨層121，以通過(guò)研磨層121對(duì)待加工部件20的待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨。當(dāng)然，本發(fā)明并不僅限于此，在其他實(shí)施例中，可以根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的磁轉(zhuǎn)子形狀。可選地，研磨層121為金屬氧化物層，進(jìn)一步可選地，金屬氧化物層包括三氧化二鋁層?？蛇x地，研磨層121的厚度為10μm。本發(fā)明實(shí)施例中，如圖4所示，磁轉(zhuǎn)子12沿箭頭所示方向旋轉(zhuǎn)，如沿逆時(shí)針或順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，并且，磁轉(zhuǎn)子12的長(zhǎng)度近似等于待加工部件20如inp基晶圓的直徑，以對(duì)整個(gè)待加工表面進(jìn)行研磨。本發(fā)明實(shí)施例中，拋光減薄裝置還包括控制部件。控制部件與磁轉(zhuǎn)子12和噴頭11相連，用于控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作，以對(duì)待加工表面交替進(jìn)行拋光和減薄。其中，控制部件通過(guò)脈沖方式控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作?？蛇x地，控制部件控制磁轉(zhuǎn)子12的轉(zhuǎn)速為80rpm～200rpm。清洗效果好的減薄用清洗劑替代