能夠除去抗蝕劑。用本發(fā)明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒有特別限定,例如,可以舉出在設(shè)為10~80℃的本發(fā)明剝離液中浸漬基材1~60分鐘左右的條件、將設(shè)為10~80℃的本發(fā)明剝離液向基材噴霧1~60分鐘左右的條件。需要說明的是,浸漬時(shí),可以搖動(dòng)基材,或?qū)Ρ景l(fā)明剝離液施加超聲波??刮g劑的種類沒有特別限定,可以是例如干膜抗蝕劑、液體抗蝕劑等中的任一種。干膜抗蝕劑的種類也沒有特別限定,例如推薦堿可溶型的干膜抗蝕劑。作為這樣的堿可溶型的干膜抗蝕劑,例如,可以舉出rd-1225(sap用25μm厚)(日立化成株式會(huì)社制)等。施加抗蝕劑的基材沒有特別限定,例如,可以舉出印刷布線板、半導(dǎo)體基板、平板顯示器、引線框中使用的各種金屬、合金所形成的、薄膜、基板、部件等。按照上述方式本發(fā)明剝離液能夠從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑,因此能夠在包括除去這樣的抗蝕劑的工序的印刷布線板、半導(dǎo)體基板、平板顯示器、引線框等的制造方法中使用。上述制造方法之中推薦包括從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑的工序的印刷布線板的制造方法,特別推薦基于半加成法的印刷布線板的制造方法。本發(fā)明剝離液能夠除去的線/間距(l/s)沒有特別限定。如何挑選一款適合自己公司的剝離液?無錫顯示面板用剝離液聯(lián)系方式
微電子化學(xué)品***適用于先進(jìn)半導(dǎo)體封裝測(cè)試、TFT、FPD平板顯示、LED、晶體硅太陽能、PCB行業(yè)。類別品名英文名等級(jí)ELMOSUP溶劑類甲醇Methanol■ 甲苯Toluene■ 無水乙醇Ethanol■■ ■ 異丙醇IPA■■■**Acetone■■■N-甲基吡咯烷酮1-Methyl-2-pyrrolidinone■ ■ ■丙二醇甲醚PGME■ ■ ■丙二醇甲醚醋酸酯PGMEA■ ■ ■酸堿類硫酸Sulfuric Acid■■■鹽酸Hydrochloric Acid■■ 硝酸Nitric Acid■■■氫氟酸Hydrofluoric Acid■■■磷酸Phosphoric Acid■■ 冰乙酸Acetic Acid,Glacial■■■過氧化氫Hydrogen Peroxide■■■氟化銨Ammonium Fluoride■■■氨水Ammonium Hydroxide■■■氫氧化鉀Potassium Hydroxide Liquid■ 氫氧化鈉Sodium Hydroxide Liquid■ 功能化學(xué)品銅蝕刻液Copper Etchant■ 鋁蝕刻液Aluminum Etchants■ BOE蝕刻液Amnonium Fluoride Etchants■■■ITO蝕刻液ITO Etchant■ IGZO蝕刻液IGZO Etchant■ 光刻膠剝離液(有機(jī)) Photoresist Stripper (Solvent)■ 光刻膠剝離液(水系)Photoresist Stripper (Aqueous) ■ 玻璃減薄液Glass Thinning Liquid■ 玻璃清洗液Glass cleaning solution■ 光刻膠顯影液Photoresist Developer■■■玻璃切削液Glass cutting fluid■ 化學(xué)研磨液Chemical grinding fluid■ 合肥中芯國(guó)際用剝離液什么價(jià)格友達(dá)光電用的哪家的剝離液?
采用此方法可以制備出負(fù)性光刻膠所能制備的任意結(jié)構(gòu),同時(shí)相比于傳統(tǒng)的加工,本方案加工效率可以提高上千倍,且圖形的結(jié)構(gòu)越大相對(duì)的加工效率越高。本發(fā)明為微納制造領(lǐng)域,光學(xué)領(lǐng)域,電學(xué)領(lǐng)域,聲學(xué)領(lǐng)域,生物領(lǐng)域,mems制造,nems制造,集成電路等領(lǐng)域提供了一種新的有效的解決方案。附圖說明圖1為本發(fā)明制備用電子束在pmma上曝光出圓形陣列的輪廓;圖2為本發(fā)明用黏貼層撕走pmma輪廓以外的結(jié)構(gòu)后得到的圓形柱狀陣列;圖3為實(shí)施例1步驟三的結(jié)構(gòu)圖;圖4為實(shí)施例1步驟四的結(jié)構(gòu)圖;圖5為實(shí)施例1步驟五的結(jié)構(gòu)圖;圖6為實(shí)施例1步驟六的結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。實(shí)施例1一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法,包括以下步驟:步驟一、提供襯底,并清洗;步驟二、使用十三氟正辛基硅烷利用高溫氣體修飾法對(duì)襯底進(jìn)行修飾;步驟三、利用旋涂的方法在襯底上旋涂光刻膠pmma得到薄膜,如圖3。步驟四、在光刻膠上加工出所需結(jié)構(gòu)的輪廓如圓形,如圖4所示。步驟五、在加工出結(jié)構(gòu)輪廓的薄膜上面覆蓋一層黏貼層,如圖5。步驟六、揭開黏貼層及結(jié)構(gòu)輪廓以外的薄膜,在襯底上留下輪廓內(nèi)的微納尺度結(jié)構(gòu)。
添加劑中含有醇醚化合物、胺化合物、緩蝕劑以及潤(rùn)濕劑;s3:將步驟s1的剝離液廢液與添加劑混合,重新制備剝離液新液,制備過程中加入酰胺化合物或醇醚化合物。光刻膠剝離液為純有機(jī)溶劑體系,廢液可通過蒸餾回收80-95%有效物,得出純化液體,而在上述制備方式中,純化液體所含的組分與添加劑所含的組分之間是具有相重復(fù)的,可以認(rèn)為,添加劑是根據(jù)已知的剝離液新液的組分進(jìn)行配制的,添加劑可以是對(duì)純化液體與剝離液新液之間的組分的差別而進(jìn)行的添加、補(bǔ)充,使得純化液體和添加劑混合后,能夠具有與剝離液新液相同的組分。那么,可以知道,在預(yù)先知道剝離液新液的組分的基礎(chǔ)上,可以通過預(yù)先配制含有剝離液新液中的某些組分的添加劑,然后在制備回收的剝離液廢液得出純化液體時(shí),可以將添加劑加入純化液體中,再進(jìn)行質(zhì)量分?jǐn)?shù)的調(diào)節(jié)。純化液體是將剝離液廢液進(jìn)行加壓、蒸餾,去除剝離液廢液中的非剝離液新液的組分的物質(zhì),然后得出的純化液體,純化液體中所含的組分物質(zhì),都是剝離液新液所含有的組分物質(zhì)。進(jìn)一步技術(shù)方案中,所述的步驟1中得出的純化液體中含有的酰胺化合物的質(zhì)量分為:45%-60%;含有的醇醚化合物的質(zhì)量分為:35%-50%。蘇州性價(jià)比較好的剝離液的公司聯(lián)系電話。
光電行業(yè)的大力發(fā)展,致使剝離液被國(guó)內(nèi)外研究人員所關(guān)注及研究,雖然在**網(wǎng)及技術(shù)網(wǎng)上對(duì)剝離液的闡述較少,但當(dāng)前國(guó)內(nèi)與國(guó)外均在剝離液廢液如何利用及處置方面有了一定的成果,。美國(guó)專利US7273560公布了包含單乙醇胺與二乙二醇單丁醚組合的光刻膠剝離液廢液中含有、77%的二乙二醇單丁醚、3%的光刻膠和?,F(xiàn)有技術(shù)***采用的光刻膠剝離液廢液回收方法通常是通過薄膜蒸發(fā)器回收大部分的有機(jī)成分,回收得到的有機(jī)組分或再經(jīng)脫色脫水等處理后可再次作為光刻膠剝離液應(yīng)用。這種方法雖然流程簡(jiǎn)便,但在使用薄膜蒸發(fā)器蒸發(fā)溶劑過程中,光刻膠濃度達(dá)到一定程度后其傳熱傳質(zhì)效率快速下降,使溶劑回收效率大為降低,處理能耗***升高。且除去溶劑后殘留的光刻膠等物質(zhì)需要定期將其***干凈,進(jìn)而影響工藝操作效率。另外,美國(guó)專利US公布了在蝕刻產(chǎn)線上設(shè)置過濾回收裝置,通過粗孔和細(xì)孔過濾器的兩步組合過濾法除去光刻膠,將光刻膠剝離液在產(chǎn)線上循環(huán)使用。 哪家的剝離液比較好用點(diǎn)?無錫ITO蝕刻液剝離液
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實(shí)施例1~6:按照表1配方將二甲基亞砜、一乙醇胺、四甲基氫氧化銨、硫脲類緩蝕劑、聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑、n-甲基吡咯烷酮和去離子水混合,得到用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。表1:注:含量中不滿100wt%的部分由去離子水補(bǔ)足余量。以cna披露的光刻膠剝離液作為對(duì)照例,與實(shí)施例1~6所得用于疊層晶圓的光刻膠剝離液進(jìn)行比較試驗(yàn),對(duì)面積均為300cm2的疊層晶圓上的光刻膠進(jìn)行剝離并分別測(cè)定剝離周期、金屬鍍層的腐蝕率和過片量(剝離的面壁數(shù)量)。對(duì)比情況見表2:表2:剝離周期/s金屬腐蝕率/ppm過片量/片實(shí)施例1130~15015376實(shí)施例2130~15016583實(shí)施例3130~15017279實(shí)施例4130~15015675實(shí)施例5130~15016372實(shí)施例6130~15017681對(duì)照例180~20022664由表2可知,本用于疊層晶圓的光刻膠剝離液通過加入硫脲類緩蝕劑和聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑,使剝離效率有明顯的提升,對(duì)金屬腐蝕率降低20%以上,而且讓過片量提高10%以上。以上所述的*是本發(fā)明的一些實(shí)施方式。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。無錫顯示面板用剝離液聯(lián)系方式
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