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企業(yè)商機
剝離液基本參數(shù)
  • 品牌
  • 博洋化學
  • 純度級別
  • 超純/高純
  • 類型
  • 醇,醚
  • 產(chǎn)品性狀
  • 液態(tài)
剝離液企業(yè)商機

    形成帶有沉淀物的固液混合物,打開一級過濾罐進料管路上的電磁閥18,固液混合物進入一級過濾罐16的過濾筒中,先由一級過濾罐16的過濾筒過濾得到一級線性酚醛樹脂,濾液由提升泵6送往攪拌釜的循環(huán)料口7,往復3次數(shù)后,一級線性酚醛樹脂回收完成,關閉一級過濾罐進料管路上的電磁閥18,利用提升泵6將一級過濾罐16中濾液抽取到攪拌釜10內備用;2、向攪拌釜10中輸入酸性溶液,與前述濾液充分攪拌混合再次析出沉淀物,即二級線性酚醛樹脂,利用ph計檢測溶液ph值,當達到5-7范圍內即可,打開二級過濾罐13進料管路上的電磁閥17,帶有沉淀物的混合液進入二級過濾罐13中,由其中的過濾筒過濾得到二級線性酚醛樹脂,廢液二級過濾罐底部的廢液出口20流出,送往剝離成分處理系統(tǒng)。上述過濾得到的一級線性酚醛樹脂可用于光刻膠產(chǎn)品的原料,而二級線性酚醛樹脂可用于其他場合。天馬微電子用的哪家的剝離液?紹興半導體剝離液銷售廠

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    本發(fā)明涉及剝離液技術領域:,更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術::電子行業(yè)飛速發(fā)展,光刻膠應用也越來越。在半導體元器件制造過程中,經(jīng)過涂敷-顯影-蝕刻過程,在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后,必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材,才能再進行下道工序。因此,光刻膠的剝離質量也有直接影響著產(chǎn)品的質量。但是傳統(tǒng)光刻膠剝離液雖然能剝離絕大部分光阻,但對于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板),傳統(tǒng)剝離液親水性不夠,水置換能力較差,容易造成面板邊緣光刻膠殘留。技術實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的是提供一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術方案:本申請公開了一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液,包括以下質量組分:酰胺:50-60%;醇醚:35-45%;環(huán)胺與鏈胺:3-7%;緩蝕劑:%%;潤濕劑:%%。的技術方案中,所述的酰胺為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種。的技術方案中,所述的醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種。的技術方案中。南京格林達剝離液商家專業(yè)配方,博洋剝離液是您的明智之選。

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    當前級別腔室101對應的過濾器30被薄膜碎屑阻塞后,通過閥門開關60關閉當前級別腔室101對應的存儲箱20與過濾器30之間的液體流通,從而可以在閥門開關60關閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續(xù)。其中,腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液;與多個腔室10分別對應連接的多個存儲箱20,各級腔室10分別通過管道與相應的存儲箱20連接,存儲箱20用于收集和存儲來自當前級腔室101的經(jīng)歷剝離制程的剝離液;過濾器30用于過濾來自當前級腔室101的存儲箱20的剝離液,并且過濾器30還可以通過管道與下一級腔室102連接,從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級腔室102。各腔室10設計為適合進行剝離制程,用于向制程中的玻璃基板供給剝離液,具體結構可參考現(xiàn)有設計在此不再贅述。各級腔室10分別于相應的存儲箱20通過管道連接,腔室10中經(jīng)歷剝離制程后的剝離液可以經(jīng)管道輸送至存儲箱20中,由存儲箱20來收集和存儲。各級腔室10的存儲箱20分別與相應的過濾器30通過管道連接,經(jīng)存儲箱20處理后的剝離液再經(jīng)相應的過濾器30過濾后才經(jīng)管道輸送至下一級腔室102。

    在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請實施例提供的剝離液機臺的種結構示意圖。圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺的第二種結構示意圖。圖3為本申請實施例提供的剝離液機臺的第三種結構示意圖。圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺的第四種結構示意圖。圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖。具體實施方式目前剝離液機臺在工作時,如果過濾剝離光阻時產(chǎn)生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞,則需要剝離液機臺內的所有工作單元,待被阻塞的過濾器被清理后,才能重新進行剝離制程,使得機臺需頻繁停線以更換過濾器,極大的降低了生產(chǎn)效率。請參閱圖1,圖1為本申請實施例提供的過濾液機臺100的種結構示意圖。本申請實施例提供一種剝離液機臺100,包括:依次順序排列的多級腔室10、每一級所述腔室10對應連接一存儲箱20;過濾器30,所述過濾器30的一端設置通過管道40與當前級腔室101對應的存儲箱20連接,所述過濾器30的另一端通過第二管道50與下一級腔室102連接;其中,至少在管道40或所述第二管道50上設置有閥門開關60。 如何挑選一款適合自己公司的剝離液?

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    參考圖7),這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會被增強呈現(xiàn),傳遞到柵極成型工序時會對柵極圖形產(chǎn)生嚴重的影響,即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷,在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接,直接降低了產(chǎn)品良率。另外,在氧氣灰化階段,由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達襯底硅區(qū),直接與硅反應產(chǎn)生二氧化硅,增加了硅損失,會影響器件閾值電壓及漏電流,也會影響產(chǎn)品良率。技術實現(xiàn)要素:在發(fā)明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念,該簡化形式的概念均為本領域現(xiàn)有技術簡化,這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征,更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種用于包括但不限于半導體生產(chǎn)工藝中,能降低光刻膠去除殘留物的光刻膠剝離去除方法。為解決上述技術問題,本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法,包括以下步驟:s1,在半導體襯底上淀積介質層;可選擇的,淀積介質層為二氧化硅薄膜??蛇x的,進一步改進,淀積二氧化硅薄膜厚度范圍為5埃~60埃。s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成光刻圖形阻擋層。剝離液中加入添加劑可保護金屬層;東莞哪家剝離液推薦貨源

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    從而可以在閥門開關60關閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續(xù)。其中,腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液;與多個腔室10分別對應連接的多個存儲箱20,各級腔室10分別通過管道與相應的存儲箱20連接,存儲箱20用于收集和存儲來自當前級腔室101的經(jīng)歷剝離制程的剝離液;過濾器30用于過濾來自當前級腔室101的存儲箱20的剝離液,并且過濾器30還可以通過管道與下一級腔室102連接,從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級腔室102。各腔室10設計為適合進行剝離制程,用于向制程中的玻璃基板供給剝離液,具體結構可參考現(xiàn)有設計在此不再贅述。各級腔室10分別于相應的存儲箱20通過管道連接,腔室10中經(jīng)歷剝離制程后的剝離液可以經(jīng)管道輸送至存儲箱20中,由存儲箱20來收集和存儲。各級腔室10的存儲箱20分別與相應的過濾器30通過管道連接,經(jīng)存儲箱20處理后的剝離液再經(jīng)相應的過濾器30過濾后才經(jīng)管道輸送至下一級腔室102。本申請中,腔室10及過濾器30可以采用與現(xiàn)有技術相同的設計。處于剝離制程中的玻璃基板。紹興半導體剝離液銷售廠

剝離液產(chǎn)品展示
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