該方法包括:步驟110、將多級腔室順序排列,按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液;步驟120、將來自于當前級腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲于當前級腔室相應的存儲箱中,所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑;步驟130、使用當前級腔室相應的過濾器過濾來自當前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室;步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關;步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個并列排布的子過濾器,則可以關閉被阻塞的子過濾器的閥門,因此,步驟140還可以包括:若所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器,則關閉連接被阻塞的所述子過濾器的管道上的閥門開關。在上述實施例中,對各個實施例的描述都各有側(cè)重,某個實施例中沒有詳述的部分,可以參見其他實施例的相關描述。以上對本申請實施例進行了詳細介紹,本文中應用了具體個例對本申請的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本申請的技術方案及其思想;本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改,或者對其中部分技術特征進行等同替換。哪家的剝離液的價格低?銅陵天馬用的蝕刻液剝離液商家
技術領域:本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法,可用于微納制造,光學領域,電學,生物領域,mems領域,nems領域。技術背景:微納制造技術是衡量一個國家制造水平的重要標志,對提高人們的生活水平,促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟增長,保障**安全等方法發(fā)揮著重要作用,微納制造技術是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎?;诎雽w制造工藝的光刻技術是**常用的手段之一。對于納米孔的加工,常用的手段是先利用曝光負性光刻膠并顯影后得到微納尺度的柱狀結(jié)構(gòu),再通過金屬的沉積和溶膠實現(xiàn)圖形反轉(zhuǎn)從而得到所需要的納米孔。然而傳統(tǒng)的方法由于光刻過程中的散焦及臨近效應等會造成曝光后的微納結(jié)構(gòu)側(cè)壁呈現(xiàn)一定的角度(如正梯形截面),這會造成蒸發(fā)過程中的掛壁嚴重從而使lift-off困難。同時由于我們常用的高分辨的負膠如hsq,在去膠的過程中需要用到危險的氫氟酸,而氫氟酸常常會腐蝕石英,氧化硅等襯底從而影響器件性能,特別的,對于跨尺度高精度納米結(jié)構(gòu)的制備在加工效率和加工能力方面面臨著很大的挑戰(zhàn)。 銅陵天馬用的蝕刻液剝離液商家剝離液適用于哪些行業(yè)。
本申請涉及半導體工藝技術領域,具體涉及一種剝離液機臺及其工作方法。背景技術:剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減,lift-off先形成光阻并圖案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同時,沉積在光阻上的膜層也被剝離,從而完成膜層的圖形化,通過該制程可以實現(xiàn)兩次光刻合并為一次以達到光罩縮減的目的?,F(xiàn)有技術中,由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬,ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層),在剝離光阻的同時薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中,大量的薄膜碎屑將會導致剝離液機臺中的過濾器(filter)堵塞,從而導致機臺無法使用,并且需要停止所有剝離液機臺的工作,待將filter清理后再次啟動,降低了生產(chǎn)效率。技術實現(xiàn)要素:本申請實施例提供一種剝離液機臺及其工作方法,可以提高生產(chǎn)效率。本申請實施例提供一種剝離液機臺,包括:依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應連接一存儲箱;過濾器,所述過濾器的一端設置通過管道與當前級腔室對應的存儲箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接;其中,至少在所述管道或所述第二管道上設置有閥門開關。在一些實施例中。
但現(xiàn)有的回收裝置普遍存在如下問題:剝離廢液利用水洗裝置水洗過濾出光刻膠樹脂成分,回收率低。為了解決這一問題,現(xiàn)有技術通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續(xù)反應,而后沉淀過濾出光刻膠樹脂成分,但所得到的光刻膠樹脂成分品質(zhì)不宜再用于光刻膠原料,只能用于其他要求較低的樹脂需求場所。技術實現(xiàn)要素:本實用新型的目的是為了提供一種結(jié)構(gòu)設置更為合理、使用方便可靠的光刻膠廢剝離液回收裝置,從根本上解決現(xiàn)有回收裝置回收率低的問題,同時分級回收輸出線性酚醛樹脂成分,分級儲存,以用于不同場合,物盡其用。為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種光刻膠廢剝離液回收裝置,包括攪拌釜和與攪拌釜連通的過濾罐,攪拌釜頂部設有廢剝離液投料口,其技術要點是:所述過濾罐的數(shù)量為兩個,由一級過濾罐和二級過濾罐組成,所述一級過濾罐和二級過濾罐在垂直方向上位于攪拌釜下方,一級過濾罐和二級過濾罐的進料管路分別與攪拌釜底部連通,且進料管路上分別設有電磁閥,所述一級過濾罐的底部出液口連接有提升泵,所述提升泵的出料管路末端與攪拌釜頂部的循環(huán)料口連通,所述攪拌釜頂部另設有功能切換口。剝離液可以實現(xiàn)光刻膠的剝離;
每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通,所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中,閥門開關60設置在每一子管道301上。在一些實施例中,閥門開關60設置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中,閥門開關60設置在每一第二子管道502上。具體的,閥門開關60的設置位置可以設置在連接過濾器30的任意管道上,在此不做贅述。在一些實施例中,請參閱圖4,圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503,每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301,且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連通102。其中,閥門開關60設置在每一第三子管道503上。本申請實施例提供的剝離液機臺,包括:依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應連接一存儲箱;過濾器,所述過濾器的一端設置通過管道與當前級腔室對應的存儲箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接;其中,至少在管道或所述第二管道上設置有閥門開關。通過閥門開關控制連接每一級腔室的過濾器相互獨立,從而在過濾器被阻塞時通過閥門開關將被堵塞的過濾器取下并不影響整體的剝離進程,提高生產(chǎn)效率。 剝離液使用時要注意什么?銅陵天馬用的蝕刻液剝離液商家
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本發(fā)明下述示例性實施例可以多種不同的形式來實施,并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的具體實施例。應當理解的是,提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整,并且將這些示例性具體實施例的技術方案充分傳達給本領域技術人員。如圖1所示,本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實施例,用于半導體制造工藝中,可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟,主要包括以下步驟:s1,在半導體襯底上淀積介質(zhì)層;s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成光刻圖形阻擋層;s3,執(zhí)行離子注入:s4,采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕,對光刻膠進行干法剝離;s5,對襯底表面進行清洗。本發(fā)明刻膠剝離去除方法主要實施例采用能與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應生成含氨揮發(fā)性化合物氣體,與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應速率相等的等離子體氮氫混合氣體能更高效的剝離去除光刻膠,有效降低光刻膠殘留。進而避免由于光刻膠殘留造成對后續(xù)工藝的影響,提高產(chǎn)品良率。參考圖11和圖12所示,在生產(chǎn)線上采用本發(fā)明的光刻膠剝離去除方法后,監(jiān)控晶圓產(chǎn)品缺陷由585顆降低到32顆,證明本發(fā)明光刻膠剝離去除方法的的改善的產(chǎn)品缺陷,促進了產(chǎn)品良率的提升。銅陵天馬用的蝕刻液剝離液商家