技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法,可用于微納制造,光學(xué)領(lǐng)域,電學(xué),生物領(lǐng)域,mems領(lǐng)域,nems領(lǐng)域。技術(shù)背景:微納制造技術(shù)是衡量一個(gè)國家制造水平的重要標(biāo)志,對(duì)提高人們的生活水平,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟(jì)增長,保障**安全等方法發(fā)揮著重要作用,微納制造技術(shù)是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ)?;诎雽?dǎo)體制造工藝的光刻技術(shù)是**常用的手段之一。對(duì)于納米孔的加工,常用的手段是先利用曝光負(fù)性光刻膠并顯影后得到微納尺度的柱狀結(jié)構(gòu),再通過金屬的沉積和溶膠實(shí)現(xiàn)圖形反轉(zhuǎn)從而得到所需要的納米孔。然而傳統(tǒng)的方法由于光刻過程中的散焦及臨近效應(yīng)等會(huì)造成曝光后的微納結(jié)構(gòu)側(cè)壁呈現(xiàn)一定的角度(如正梯形截面),這會(huì)造成蒸發(fā)過程中的掛壁嚴(yán)重從而使lift-off困難。同時(shí)由于我們常用的高分辨的負(fù)膠如hsq,在去膠的過程中需要用到危險(xiǎn)的氫氟酸,而氫氟酸常常會(huì)腐蝕石英,氧化硅等襯底從而影響器件性能,特別的,對(duì)于跨尺度高精度納米結(jié)構(gòu)的制備在加工效率和加工能力方面面臨著很大的挑戰(zhàn)。 剝離液可以用在什么地方;佛山哪家剝離液配方技術(shù)
圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖。具體實(shí)施方式目前剝離液機(jī)臺(tái)在工作時(shí),如果過濾剝離光阻時(shí)產(chǎn)生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞,則需要?jiǎng)冸x液機(jī)臺(tái)內(nèi)的所有工作單元,待被阻塞的過濾器被清理后,才能重新進(jìn)行剝離制程,使得機(jī)臺(tái)需頻繁停線以更換過濾器,極大的降低了生產(chǎn)效率。請(qǐng)參閱圖1,圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的過濾液機(jī)臺(tái)100的種結(jié)構(gòu)示意圖。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種剝離液機(jī)臺(tái)100,包括:依次順序排列的多級(jí)腔室10、每一級(jí)所述腔室10對(duì)應(yīng)連接一存儲(chǔ)箱20;過濾器30,所述過濾器30的一端設(shè)置通過管道40與當(dāng)前級(jí)腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20連接,所述過濾器30的另一端通過第二管道50與下一級(jí)腔室102連接;其中,至少在管道40或所述第二管道50上設(shè)置有閥門開關(guān)60。具體的,圖1所示出的是閥門開關(guān)60設(shè)置在管道40上的示例圖。當(dāng)當(dāng)前級(jí)別腔室101對(duì)應(yīng)的過濾器30被薄膜碎屑阻塞后,通過閥門開關(guān)60關(guān)閉當(dāng)前級(jí)別腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20與過濾器30之間的液體流通。浙江京東方用的蝕刻液剝離液聯(lián)系方式蘇州口碑好的剝離液公司。
光刻膠又稱光致抗蝕劑,主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經(jīng)光照后,在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng),使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)曝光、顯影、刻蝕、擴(kuò)散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移至加工的基板上、***通過去膠剝離液將未曝光部分余下的光刻膠清洗掉,從而完成整個(gè)圖形轉(zhuǎn)移過程。在液晶面板和amoled生產(chǎn)中***使用?,F(xiàn)有的剝離液主要有兩種,分別是水性剝離液和有機(jī)剝離液,由于有機(jī)剝離液只能用于具有mo/al/mo結(jié)構(gòu)的制程中,無法用于ito/ag/ito;且乙醇胺的含量高達(dá)60%以上,有很強(qiáng)的腐蝕性,因此,常用的剝離液是水性剝離液,現(xiàn)有的水性剝離液主要成分為有機(jī)胺化合物、極性有機(jī)溶劑以及水,但現(xiàn)有的水性剝離液大都存在腐蝕金屬配線、光刻膠殘留、環(huán)境污染大、影響操作人員的安全性、剝離效果差等問題。
可選擇的,旋涂光刻膠厚度范圍為1000?!?0000埃。s3,執(zhí)行離子注入:可選擇的,離子注入劑量范圍為1×1013cm-2~1×1016cm-2。s4,采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕,對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離;如背景技術(shù)中所述,經(jīng)過高劑量或大分子量的源種注入后,會(huì)在光刻膠的外層形成一層硬殼即為主要光刻膠層,主要光刻膠層包裹在第二光刻膠層外。使氮?dú)浠旌蠚怏w與光刻膠反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體,反應(yīng)速率平穩(wěn),等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w與主要光刻膠層、第二光刻膠層的反應(yīng)速率相等。等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w先剝離去除主要光刻膠層,參考圖8所示。再逐步剝離去除第二光刻膠層,參考圖9和圖10所示。可選的,等離子刻蝕氣體是氮?dú)浠旌蠚怏w,氫氮混合比例范圍為4:96~30:70。s5,對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗。可選擇的,對(duì)硅片執(zhí)行單片排序清洗。單片清洗時(shí),清洗液噴淋到硅片正面,單片清洗工藝結(jié)束后殘液被回收,下一面硅片清洗時(shí)再重新噴淋清洗液,清洗工藝結(jié)束后殘液再被回收,如此重復(fù)?,F(xiàn)有的多片硅片同時(shí)放置在一個(gè)清洗槽里清洗的批處理清洗工藝,在清洗過程中同批次不同硅片的反應(yīng)殘余物可能會(huì)污染其他硅片,或者上一批次硅片留在清洗槽的反應(yīng)殘余物可能會(huì)污染下一批次硅片。相比而言。剝離液分為溶劑型和水系兩種類別;
濕電子化學(xué)品位于電子信息產(chǎn)業(yè)偏中上游的材料領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品上游是基 礎(chǔ)化工產(chǎn)品,下游是電子信息產(chǎn)業(yè)(信息通訊、消費(fèi)電子、家用電器、汽車電子、 LED、平板顯示、太陽能電池、**等領(lǐng)域)。濕電子化學(xué)品的生產(chǎn)工藝主要采用物 理的提純技術(shù)及混配技術(shù),將工業(yè)級(jí)的化工原料提純?yōu)槌瑑舾呒兓瘜W(xué)試劑,并按照 特定的配方混配為具有特定功能性的化學(xué)試劑。濕電子化學(xué)品行業(yè)是精細(xì)化工和電 子信息行業(yè)交叉的領(lǐng)域,其行業(yè)特色充分融入了兩大行業(yè)的自身特點(diǎn),具有品種多、 質(zhì)量要求高、對(duì)環(huán)境潔凈度要求苛刻、產(chǎn)品更新?lián)Q代快、產(chǎn)品附加值高、資金投入 量大等特點(diǎn),是化工領(lǐng)域相當(dāng)有發(fā)展前景的領(lǐng)域之一。高效剝離液,讓光刻膠去除更輕松、更徹底。浙江哪家剝離液哪里買
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能夠增強(qiáng)親水性,使得剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基,為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。以下實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行進(jìn)一步說明,不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。表一:兩種不同組分的剝離液配方一和配方二所采用的基礎(chǔ)組分基本相同,不同的是配方二中加入有潤濕劑,上述所描述的潤濕劑是用于增強(qiáng)親水性的,滴液與產(chǎn)品表面間的夾角為接觸角,接觸角可用來衡量潤濕程度,水滴角測試儀可測量接觸角,從潤濕角度考慮,接觸角<90°,且接觸角越小潤濕效果越好加入潤濕劑后的配方二所制得的剝離液,在滴落在高世代面板后,通過水滴角測試儀測接觸角,檢測圖如圖1所示,三次測試的接觸角如下表二:上述兩種不同組分的剝離液作接觸角測試接觸角配方一配方二測試一,加入潤濕劑后的配方二所制得的剝離液,其滴落在高世代面板后,其接觸角比未加入潤濕劑的配方一的剝離液潤濕效果更好;請(qǐng)參閱圖2所示,將配方一所制得的剝離液以及配方二所制得的剝離液進(jìn)行光刻膠剝離,圖2中的陰影圓點(diǎn)為浸泡時(shí)間t1后光刻膠殘留,明顯地,可以看出配方二中t1時(shí)間后光刻膠殘留量小,而配方一中產(chǎn)品邊緣處光刻膠的殘留量大。佛山哪家剝離液配方技術(shù)