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企業(yè)商機(jī)
電源管理IC基本參數(shù)
  • 品牌
  • 賽芯微xysemi,上海如韻,上海芯龍
  • 型號(hào)
  • 電源管理
  • 封裝形式
  • DFN/SOP/SOT
  • 集成度
  • 大規(guī)模(100~10000)
  • 類型
  • 穩(wěn)壓IC,通信IC,時(shí)鐘計(jì)時(shí)IC,驅(qū)動(dòng)IC,其他IC
  • 應(yīng)用領(lǐng)域
  • 3C數(shù)碼,汽車電子,可穿戴設(shè)備,照明電子,智能家居,玩具,五金工具,物聯(lián)網(wǎng)IoT,醫(yī)療電子
電源管理IC企業(yè)商機(jī)

圖3: “二芯合一”的鋰電池保護(hù)方案。 由于內(nèi)部?jī)蓚€(gè)芯片實(shí)際仍來(lái)自于不同廠商,外形不能很好匹配,因此導(dǎo)致封裝形狀各異,很多情況下不能采用通用封裝。這種封裝體積比較大,又不能節(jié)省外置元件,所以這種“二芯合一”的方案實(shí)際上并省不了太多空間。在成本方面,雖然兩個(gè)封裝的成本縮減成一個(gè)封裝的成本,但由于這個(gè)封裝通常比較大,有的不是通用封裝,有的為了縮小封裝尺寸,需要用芯片疊加的封裝形式,因此與傳統(tǒng)的兩個(gè)芯片的方案相比,其成本優(yōu)勢(shì)并不明顯。 圖4是一種真正的將控制器芯片及開關(guān)管芯片集成在同一晶圓的單芯片方案。傳統(tǒng)方案原理圖1中的開關(guān)管是N型管,接在圖1中的B-與P-之間,俗稱負(fù)極保護(hù)。 圖4中的方案由于技術(shù)原因,開關(guān)管只能改為P型管,接在B+與P+之間,俗稱正極保護(hù)。用此芯片完成保護(hù)板方案后,在檢測(cè)保護(hù)板時(shí)用戶需要更換測(cè)試設(shè)備及理念。此方案雖然減少了一定的封裝成本,但芯片成本并沒(méi)有得到減少,在與量大成熟的傳統(tǒng)方案競(jìng)爭(zhēng)時(shí)也沒(méi)有真正的成本優(yōu)勢(shì)。相反其與傳統(tǒng)方案不相容的正極保護(hù)理念成了其推廣過(guò)程的巨大障礙。線性驅(qū)動(dòng)芯片手電筒驅(qū)動(dòng)。XB5606A電源管理IC磷酸鐵鋰充電管理

XB5606A電源管理IC磷酸鐵鋰充電管理,電源管理IC

鋰電保護(hù)的選型:電池充滿電壓 + 充、放電電流(不同于分離式鋰電保護(hù)) 輔助信息:電池容量,產(chǎn)品應(yīng)用 。 電池安全,首先要有保護(hù),再有選型要正確鋰電保護(hù)在保護(hù)電池安全上是二次保護(hù),如:過(guò)充保護(hù)時(shí),一級(jí)保護(hù)是充電管理,過(guò)放保護(hù)的一級(jí)保護(hù)是主芯片等。所以在選型時(shí),要考慮到鋰電保護(hù)是二次保護(hù)的特性,鋰電保護(hù)的過(guò)充電壓要高于充電管理的過(guò)充電壓的值(不能有重合區(qū)間),鋰電保護(hù)的過(guò)放電壓要低于主芯片的過(guò)放電壓的值等。鋰電保護(hù)的選型:電池充滿電壓 + 充、放電電流(不同于分離式鋰電保護(hù))XC3106CN電源管理IC賽芯微xysemi正極保護(hù)的鋰電池保護(hù)方案。

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一個(gè)是防止充電器的浪涌,與10uF電容一起做RC濾波,保護(hù)充電管理. 對(duì)充電器頻繁熱插拔的高壓浪涌、對(duì)目前市場(chǎng)上的各種參差不齊的手機(jī)充電器,加這個(gè)電阻對(duì)產(chǎn)品的可靠性增加,從某種程度上說(shuō)有一點(diǎn)系統(tǒng)TVS的效果。 所以這個(gè)電阻的功率稍微留點(diǎn)點(diǎn)余量。 二個(gè)是可以起到分壓的作用,因?yàn)槭蔷€性充電,如果電池電壓3.3V,這時(shí)充電處于快充階段(設(shè)定450mA),如果輸入5V,芯片自身將產(chǎn)生(5-3.3)*0.45=765mW的熱量,芯片太燙,充電電流就會(huì)變得小些。而如果加0.5ohm電阻,該電阻將產(chǎn)生0.225V的壓降,將能降低一些芯片的功耗,進(jìn)而降低芯片溫度,使得芯片可以保證以設(shè)定的450mA持續(xù)快速充電。但這個(gè)電阻不能大,因?yàn)槿绻?,上面產(chǎn)生的壓差大,會(huì)影響電池電壓4V以上時(shí)的快速充電,也會(huì)影響充電器輸入電壓偏低時(shí)仍然能以較大電流快速充電。

解決方案概要 標(biāo)稱電壓2.2~2.4V的鋰二次電池和全固態(tài)電池具有以下特點(diǎn),也適合于工業(yè)設(shè)備的備份用途、可穿戴設(shè)備及Smartcard等。 可使用LDO進(jìn)行恒壓充電可能。(無(wú)需的高價(jià)CV/CC充電IC) 耐過(guò)放電,可用于簡(jiǎn)單的放電檢測(cè) 因?yàn)槭请姵?,所以能長(zhǎng)時(shí)間維持恒定電壓 比起電壓直線下降的Supercap,能更簡(jiǎn)單、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高溫對(duì)應(yīng)產(chǎn)品 也有回流對(duì)應(yīng) / 熱層壓加工對(duì)應(yīng)品 關(guān)于充電用LDO 因二次電池的大容量成為負(fù)載,所以低消耗穩(wěn)壓器適合于LDO。 充電時(shí) 可在充電狀態(tài)下使用。 充電后,電池電壓短期內(nèi)上升到LDO的輸出電壓之后,會(huì)逐漸充電。 無(wú)需滿充電檢測(cè),在滿充電后,一般無(wú)需關(guān)閉穩(wěn)壓器。 使用時(shí) 可在充電狀態(tài)下使用。 VIN沒(méi)有電壓時(shí),為了不白白消耗儲(chǔ)存在二次電池中的能量,需要防止回流到VIN及使LDO處于待機(jī)狀態(tài)。 在本電路框中,在用SBD防止回流的同時(shí),通過(guò)連接到SBD陽(yáng)極側(cè)的下拉電阻,成為L(zhǎng)DO的CE=“L”,穩(wěn)壓器將處于待機(jī)狀態(tài)。 由此,可從二次電池將消耗電流抑制為穩(wěn)壓器VOUT引腳的微小電流。(稱為“VOUT SINK電流”)正極保護(hù)IC、的鋰電池保護(hù)方案。

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芯納科技:鋰電池充電管理XA4246:絲?。?YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055絲?。?5B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058;絲印:58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057;絲?。?7B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059;絲?。?9B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017:絲印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056絲?。?056 、XA4217絲?。篐XN-WL適用范圍:適用于標(biāo)稱電壓3.7V,充滿電壓4.2V的鋰電池。2組電池的容量/內(nèi)阻越接近越好。XC5105A電源管理IC上海如韻

手環(huán)手表牙刷成人用品(無(wú)線充)電源IC選型參考。XB5606A電源管理IC磷酸鐵鋰充電管理

賽芯微電子通過(guò)自主研發(fā)的多項(xiàng)器件及電路結(jié)合獨(dú)特的工藝技術(shù),將控制IC與開關(guān)管集成于同一芯片,推出世界小的鋰電池保護(hù)方案XB430X系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品采用傳統(tǒng)的N型開關(guān)管,與傳統(tǒng)方案的負(fù)極保護(hù)原理一致,保護(hù)板廠商或電池廠商無(wú)需更換任何測(cè)試設(shè)備或理念。該系列芯片本身就是一個(gè)完整的鋰電池保護(hù)方案,無(wú)需外接任何元器件即可實(shí)現(xiàn)鋰電池保護(hù)的功能。為了防止Vcc線上的噪聲,建議在使用XB430X系列芯片時(shí)在VCC和電池負(fù)端之間外接一個(gè)電容,如圖5所示。XB5606A電源管理IC磷酸鐵鋰充電管理

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同步 異步 指的是芯片的整流方式!一般情況下同步使用MOS整流 異步使用二極管,由于MOS導(dǎo)通電阻和壓降比較低 因此可以提供高效率。 所謂同步模式是指可以用外部周期信號(hào)控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對(duì)數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來(lái)取代整流二極管,因此能降低整流器的損耗,提高DC/DC變換器的效率,滿足低壓、大電流整流的需要。所謂同步模式是指可以用外部周期信號(hào)控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對(duì)數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來(lái)取...

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