4、保護(hù)芯片過放保護(hù)：在P+與P-上接上一合適的負(fù)載后，電池開始放電其電流方向如I2，電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極，(這時MOS2被D2短路)；當(dāng)電池放電到2.5 v時IC采樣并發(fā)出指令，讓MOS1截止，回路斷開，電池被保護(hù)了。 5、過流保護(hù)：在P+與P-上接上一合適的負(fù)載后，電池開始放電其電流方向如I2，電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極，(這時MOS2被D2短路)；當(dāng)負(fù)載突然減小，IC通過VM引腳采樣到突然增大電流而產(chǎn)生的電壓這時IC采樣并發(fā)出指令，讓MOS1截止，回路斷開，電池被保護(hù)了。 6、短路保護(hù)：在P+與P-上接上空負(fù)載后，電池開始放電其電流方向如I2，電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極，(這時MOS2被D2短路)； IC通過VM引腳采樣到突然增大電流而產(chǎn)生的電壓這時IC采樣并發(fā)出指令，讓MOS1截止，回路斷開，電池被保護(hù)了。單節(jié)至四節(jié)鎳氫電池進(jìn)行充電管理。該器件內(nèi)部包括功率晶體管，不需要外部的電流檢測電阻和阻流二極管。XB6060I2電源管理IC二合一鋰電保護(hù)

Xysemi設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)成員都有多年美國模擬電路設(shè)計(jì)公司的工作經(jīng)驗(yàn),曾設(shè)計(jì)出多款電源管理類產(chǎn)品。 “電池保護(hù)系列產(chǎn)品”是Xysemi的產(chǎn)品系列，產(chǎn)品涵蓋從幾毫安時的小容量電池到幾萬毫安時的超大容量電池.該系列產(chǎn)品在性能參數(shù)，方案面積上與傳統(tǒng)方案相比具有顛覆性的優(yōu)勢，本公司在“電池保護(hù)系列”產(chǎn)品上擁有大量的國內(nèi)和國際專利。 Xysemi現(xiàn)有的主導(dǎo)產(chǎn)品系列包括“電池保護(hù)系列產(chǎn)品”,“SOC系列產(chǎn)品”,DC-DC 降壓系列,DC-DC 升壓系列 以及屏背光系列等.XB8989GF電源管理IC兩串兩節(jié)保護(hù)XF5131是賽芯推出的一款集成充電管理、鋰電池保護(hù)、低功耗二合一芯片。

鋰電池PACK設(shè)計(jì)過程中鋰電池保護(hù)IC是保護(hù)芯片的，首先取樣電池電壓，然后通過判斷發(fā)出各種指令。MOS管：它主要起開關(guān)作用 2、保護(hù)芯片正常工作：保護(hù)芯片上MOS管剛開始可能處于關(guān)斷狀態(tài)，電池接上保護(hù)芯片后，必須先觸發(fā)MOS管，P+與P-端才有輸出電壓，觸發(fā)常用方法——用一導(dǎo)線把B-與P-短接。 3、保護(hù)芯片過充保護(hù)：在P+與P-上接上一高于電池電壓的電源，電源的正極接B+、電源的負(fù)極接B-，接好電源后，電池開始充電，電流方向如圖所示的I1的流向電流從電源正極出發(fā)，流經(jīng)電池、D1、MOS2到電源負(fù)極(這時MOS1被D1短路)，IC通過電容來取樣電池電壓的值，當(dāng)電池電壓達(dá)到4.25v時，IC發(fā)出指令，使引腳CO為低電平，這時電流從電源正極出發(fā)，流經(jīng)電池、D1、到達(dá)MOS2時由于MOS2的柵極與CO相連也為低電平，MOS2關(guān)斷，整個回路被關(guān)斷，電路起到保護(hù)作用。

鋰電保護(hù)的選型：電池充滿電壓 + 充、放電電流（不同于分離式鋰電保護(hù)） 輔助信息：電池容量，產(chǎn)品應(yīng)用 。 電池安全，首先要有保護(hù)，再有選型要正確鋰電保護(hù)在保護(hù)電池安全上是二次保護(hù)，如：過充保護(hù)時，一級保護(hù)是充電管理，過放保護(hù)的一級保護(hù)是主芯片等。所以在選型時，要考慮到鋰電保護(hù)是二次保護(hù)的特性，鋰電保護(hù)的過充電壓要高于充電管理的過充電壓的值（不能有重合區(qū)間），鋰電保護(hù)的過放電壓要低于主芯片的過放電壓的值等。鋰電保護(hù)的選型：電池充滿電壓 + 充、放電電流（不同于分離式鋰電保護(hù)）太陽能板供電的鋰電池、磷酸鐵鋰電池充電管理芯片。

XA2361系列產(chǎn)品需要四個元器就可完成底電壓的升壓，并且可使用可外擴(kuò)MOS型，使輸出電流達(dá)到更大值。SOT23-5封裝置EN使能端，可控制變換器的工作狀態(tài)，可使它處于關(guān)斷省電狀態(tài)，功耗降。啟動電壓:0.8V(1mA)l元件極少l可外加N溝MOS擴(kuò)流至1A以上。l*率：87%l低紋波，低噪聲。絲印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100B鋰電充電管理、DC降壓 0.5-1A電流 +OVP過壓保護(hù) 。XC3108RD電源管理IC上海如韻

XySemi 鋰電保護(hù)板生產(chǎn)操作注意事項(xiàng)1。XB6060I2電源管理IC二合一鋰電保護(hù)

賽芯微XBL6015-SM二合一鋰電保護(hù)，集成MOS，支持船運(yùn)模式，關(guān)機(jī)電流低至1nA。 XB6015-SM的特點(diǎn)： 1.低功耗，工作電流0.4uA,關(guān)機(jī)電流1nA； 2.更貼近應(yīng)用的保護(hù)電流，充電過流300mA，放電過流150mA，短路電路450mA； 3.高集成度，集成MOS，支持船運(yùn)模式，集成虛焊保護(hù)功能； 4.高可靠性，支持充電器反接功能，支持帶負(fù)載電芯防反接功能，ESD 8KV； 5.更好的匹配性，鋰電保護(hù)無管壓降，可以支持不同類型的充電芯片； 6.系列化，支持4.2-4.5V的電芯平臺。XB6060I2電源管理IC二合一鋰電保護(hù)

深圳市芯納科技技術(shù)有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭取每一個客戶不容易，失去每一個用戶很簡單”的理念，市場是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來深圳市芯納科技技術(shù)供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績，也不足以驕傲，過去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢想！