ESD( Electrostatic Discharge)靜電放電:在半導(dǎo)體芯片行業(yè),根據(jù)靜電產(chǎn)生方式和對(duì)電路的損傷模式不同,可以分為以下四種方式:人體放電模式(HBM:Human-body Model)、機(jī)器放電模式 (MM:Machine Model)、元件充電模式(CDM:Charge-Device Model)、電場(chǎng)感應(yīng)模式(FIM:Field-Induced Model),但業(yè)界關(guān)注的HBM、MM、CDM。以上是芯片級(jí)ESD,不是系統(tǒng)級(jí)ESD; 芯片級(jí)ESD:HBM 大于2KV,較高的是8KV。 系統(tǒng)級(jí)ESD:接觸ESD和空氣ESD,指的是系統(tǒng)加上外置器件做的系統(tǒng)級(jí)的ESD,一般空氣是15KV,接觸是8KV。支持設(shè)備插拔自動(dòng)檢測(cè)和設(shè)備類型的識(shí)別。XB3306A電源管理ICLED線性驅(qū)動(dòng)芯片手電筒驅(qū)動(dòng)
芯納科技代理的 XYSEMI / 賽芯微涵蓋了豐富多樣的型號(hào),諸如 XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S - SM、XB6030Q2S - SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS等型號(hào)。 XB4908GJ電源管理IC磷酸鐵鋰充電管理電池電壓<涓流截止電壓時(shí),執(zhí)行涓流充電。
XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S-SM、XB6030Q2S-SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS、XB6097IS、XB6156G、XB6166IS、XB6166ISA、XB6206AE、XB6366D、XB6706A、XB6706AHY、XB6706H2、XB6706U0、XB7608A、、XB7608AF、XB7608AJ、XB7608AJL、XB7608AR、XB7608G、XB7608GF、XB7608GJ、XB7608MF、
DS5035B單串+無(wú)線充方案:?jiǎn)未?2.5+無(wú)線充。DS5035B是點(diǎn)思針對(duì)單節(jié)移動(dòng)電源磁吸無(wú)線充市場(chǎng)推出的一顆移動(dòng)電源SOC。DS5035B單串+無(wú)線充方案:?jiǎn)未姵兀?2.5W功率,支持CA+W輸出方式,單擊按鍵開(kāi)機(jī)并顯示電量,雙擊按鍵關(guān)機(jī)進(jìn)入休眠,長(zhǎng)按鍵進(jìn)入小電流模式。支持CC-CV切換,支持PD3.1/PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP等主流快充協(xié)議,集成電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊,并提供輸入/輸出的過(guò)壓/欠壓,電池過(guò)充/過(guò)放、NTC過(guò)溫、放電過(guò)流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能。點(diǎn)思DS5136邊充邊放由電源輸入功率決定,優(yōu)先提供無(wú)線充15W,剩余部分提供給電池。
在使用電源管理IC時(shí),還需要注意以下幾點(diǎn):選擇適合的電源管理IC:不同的電子設(shè)備對(duì)電源管理IC的需求不同,因此在選擇電源管理IC時(shí)需要考慮設(shè)備的功耗、電壓要求和其他特殊需求。確保選擇適合的電源管理IC可以提高設(shè)備的性能和可靠性。正確連接和布局:電源管理IC通常需要與其他電子元件連接,因此在連接時(shí)需要確保正確的引腳連接和電路布局。不正確的連接和布局可能導(dǎo)致電源管理IC無(wú)法正常工作或引起其他問(wèn)題。通過(guò)合理使用電源管理IC,可以提高設(shè)備的性能和可靠性,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。高耐壓帶OVP線性充電管理。5608AJ1V
DS5036B是點(diǎn)思針對(duì)單節(jié)移動(dòng)電源市場(chǎng)推出的一顆移動(dòng)電源SOC。XB3306A電源管理ICLED線性驅(qū)動(dòng)芯片手電筒驅(qū)動(dòng)
DS6036B是點(diǎn)思針對(duì)多串市場(chǎng)推出的一顆移動(dòng)電源SOC。DS6036B兩串移動(dòng)電源+MPP無(wú)線充方案(QI2.0):兩串30W+MPP無(wú)線充15W(蘋(píng)果15W)QI2.0。支持CCAA、CC線L線A、CLinAA等輸出方式,同時(shí)也支持CCA+W的無(wú)線充移動(dòng)電源方式。單擊按鍵開(kāi)機(jī)并顯示電量,雙擊按鍵關(guān)機(jī)進(jìn)入休眠,長(zhǎng)按鍵進(jìn)入小電流模式。集成了同步開(kāi)關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊,并提供輸入/輸出的過(guò)壓/欠壓,電池過(guò)充/過(guò)放、NTC過(guò)溫、放電過(guò)流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能,支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/BC1.2DCP及APPLE2.4A等主流快充協(xié)議。點(diǎn)思DS6036B無(wú)線充15W帶載效率高達(dá)83%。邊充邊放(無(wú)線充放電、適配器給移動(dòng)電源充電)由電源輸入功率決定,優(yōu)先提供無(wú)線充15W,剩余部分提供給電池。移動(dòng)電源和無(wú)線充供電共用一路升降壓節(jié)約成本。我們的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):效率高,溫度底;可實(shí)現(xiàn)雙C輸入輸出;無(wú)線充邊充邊放為快充;性價(jià)比高,成本優(yōu);支持在線燒錄;無(wú)需外加升壓芯片,可直接升壓至18V。XB3306A電源管理ICLED線性驅(qū)動(dòng)芯片手電筒驅(qū)動(dòng)
同步 異步 指的是芯片的整流方式!一般情況下同步使用MOS整流 異步使用二極管,由于MOS導(dǎo)通電阻和壓降比較低 因此可以提供高效率。 所謂同步模式是指可以用外部周期信號(hào)控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對(duì)數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來(lái)取代整流二極管,因此能降低整流器的損耗,提高DC/DC變換器的效率,滿足低壓、大電流整流的需要。所謂同步模式是指可以用外部周期信號(hào)控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對(duì)數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來(lái)取...