DS6036B 2~6串30~100W方案：支持 2~6節(jié)電池串聯(lián)，支持 30~100W 功率選擇。DS6036B是點(diǎn)思針對30-100W市場推出的一顆移動電源SOC。DS6036B2~6串30~100W方案：支持2~6節(jié)電池串聯(lián)，支持30~100W功率選擇。支持CCAA、CC線L線A、CLinAA等輸出方式，同時也支持CCA+W的無線充移動電源方式。單擊按鍵開機(jī)并顯示電量，雙擊按鍵關(guān)機(jī)進(jìn)入休眠，長按鍵進(jìn)入小電流模式。集成了同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊，并提供輸入/輸出的過壓/欠壓，電池過充/過放、NTC過溫、放電過流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能，支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/VOOC/BC1.2DCP、APPLE2.4A等主流快充協(xié)議。高PSRR-LDO完全沒凸波40V耐壓LDO。XB5352AR電源管理IC賽芯微xysemi

DS5136B 是一款單串 22.5W 到 27W 雙向快充移動電源 SOC，集成了同步開關(guān)升壓變換器、支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 A + Cinout+ Cinout 任意口快充，支持 CC-CV 切換，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充協(xié)議，支持 PD3.1 /PD3.0/QC4.0/QC3.0/AFC/SCP/BC1.2/DCP 等主流快充協(xié)議，集成電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊，并提供輸入/輸出的過壓/欠壓，電池過充/過放、NTC過溫、放電過流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能。XB6030J2S-SM電源管理IC代理內(nèi)置 16-bit 的高精度 ADC 和 12-bit 的高速 ADC。

CN3125是具有恒流∕恒壓功能的充電芯片，輸入電壓范圍2.7V到6V，能夠?qū)喂?jié)或雙節(jié)超級電容進(jìn)行充電管理。CN3125內(nèi)部有功率晶體管，不需要外部阻流二極管和電流檢測電阻。CN3125只需要極少的外部元器件，非常適合于便攜式應(yīng)用的領(lǐng)域。 熱調(diào)制電路可以在器件的功耗比較大或者環(huán)境溫度比較高的時候?qū)⑿酒瑴囟瓤刂圃诎踩秶鷥?nèi)。 恒壓充電電壓由FB管腳的分壓電阻設(shè)置，恒流充電電流由ISET管腳的電阻設(shè)置。CN3125內(nèi)部有電容電壓自動均衡電路，可以防止充電過程中電容過壓。當(dāng)輸入電壓掉電時，CN3125自動進(jìn)入低功耗的睡眠模式，此時TOP管腳和MID管腳的電流消耗小于3微安。 其他功能包括芯片使能輸入端，電源低電壓檢測和超級電容準(zhǔn)備好狀態(tài)輸出等。 CN3125采用散熱增強(qiáng)型的8管腳小外形封裝(eSOP8)。

DS6036B 無按鍵動作的情況下，只有連接用電設(shè)備的輸出口才會開啟；未連接設(shè)備的輸出口保持關(guān)閉。 USB-A1、USB-A2、USB-C 均支持輸出快充協(xié)議。但由于該方案是單電感方案，只能支持一個電壓輸出，所以只有一個輸出口開啟的情況下才能支持快充輸出。同時使用兩個或者三個輸出口時，會自動關(guān)閉快充功能。 按照“典型應(yīng)用原理圖”所示連接，任何一個輸出口已經(jīng)進(jìn)入快充輸出模式時，當(dāng)其他輸出口插入用電設(shè)備，會先關(guān)閉所有輸出口，關(guān)閉高壓快充功能，再開啟有設(shè)備存在的輸出口。此時所有輸出口只支持 Apple、BC1.2 模式充電。當(dāng)處于多口輸出模式時，任一輸出口的輸出電流小于約 80mA（MOS Rds_ON@15mohm）時，持續(xù) 15s 后會自動關(guān)閉該口。從多個用電設(shè)備減少到只有一個用電設(shè)備時，持續(xù)約 15s 后會先關(guān)閉所有輸出口，開啟高壓快充功能，再開啟末尾一個用電設(shè)備存在的輸出口，以此方式來重新使能設(shè)備請求快充。當(dāng)只有一個輸出口開啟的情況下，總的輸出功率小于 350mW 持續(xù)約 32s 時，會關(guān)閉輸出口和放電功能，進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。點(diǎn)思DS2730多口協(xié)議產(chǎn)品全線上市，65-100W C+CA，帶直通模式。

XA2361系列產(chǎn)品需要四個元器就可完成底電壓的升壓，并且可使用可外擴(kuò)MOS型，使輸出電流達(dá)到更大值。SOT23-5封裝置EN使能端，可控制變換器的工作狀態(tài)，可使它處于關(guān)斷省電狀態(tài)，功耗降。啟動電壓:0.8V(1mA)l元件極少l可外加N溝MOS擴(kuò)流至1A以上。l*率：87%l低紋波，低噪聲。絲?。篍30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100B內(nèi)置軟啟動功能，防止在啟動時沖擊電流過大引起故障。XBGL6034QS電源管理IC拓微電子

專業(yè)供應(yīng)電源IC.DC/DC升壓芯片。XB5352AR電源管理IC賽芯微xysemi

ESD（ Electrostatic Discharge）靜電放電：在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，根據(jù)靜電產(chǎn)生方式和對電路的損傷模式不同，可以分為以下四種方式：人體放電模式（HBM：Human-body Model）、機(jī)器放電模式 （MM：Machine Model）、元件充電模式（CDM：Charge-Device Model）、電場感應(yīng)模式（FIM：Field-Induced Model），但業(yè)界關(guān)注的HBM、MM、CDM。以上是芯片級ESD，不是系統(tǒng)級ESD； 芯片級ESD：HBM 大于2KV，較高的是8KV。 系統(tǒng)級ESD：接觸ESD和空氣ESD，指的是系統(tǒng)加上外置器件做的系統(tǒng)級的ESD，一般空氣是15KV，接觸是8KV。XB5352AR電源管理IC賽芯微xysemi