電源管理IC(IntegratedCircuit)是一種用于管理和控制電源供應(yīng)的集成電路。它在電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用,可以提供穩(wěn)定的電源供應(yīng),保護(hù)電子設(shè)備免受電源波動和故障的影響。本文將介紹電源管理IC的用途和注意事項,并詳細(xì)解釋其在電子設(shè)備中的重要性。讓我們來了解一下電源管理IC的用途。電源管理IC廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,包括智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、無線通信設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)等。電源管理IC在電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用。它可以提供穩(wěn)定的電源供應(yīng),保護(hù)設(shè)備免受電源波動和故障的影響。點思DS5136邊充邊放由電源輸入功率決定,優(yōu)先提供無線充15W,剩余部分提供給電池。XBDL63232JTSZR
XB8089A、XB8089D、XB8089D0、XB8089D3、XB8089G、XB8608AF、XB8608AFJ、XB8608AJ、XB8608G、XB8702I、XB8703I、XB8783A、XB8783AHM、XB8783G、XB8789D0、XB8886A、XB8886AR、XB8886AZ、XB8886G、XB8886I、XB8886M、XB8887A、XB8889A、XB8989AF、XB8989GF、XB8989MF、XB9121H2、XB9241A、XB9241G、XB9901A、XB9901G。XBDL61515JS、XBDL63030JS、XBG4508A、XBG6096MS、XBGL6034QS、XBGL6155MS、XBL6015J2SSM、XBL6015M2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6032J2SSM、XBL6032Q2SSM、XBL6042JSSM、XBL6042QSSM、XBL6083J2SSM、XBM3204BCA、XBM3204DBA、XBM3204JFG、XBM3212DGB、XBM3212JFG、XBM3214BCA、XBM3214DBA、XBM3214DCA、XBM3214DG、BXBM3214JFG、XBM3215MDA、XBM3215DGB、XBM3215JFG、XBR4303A、XBR5152QS、XBR5355A、XBR6096QS、XB4432SKP2、XC3062A、XC3062C、XC3071A、XC3071AT、XC3071C、XC3098VYP、XC3101A、XC3105AX、C3105AN、XC3105C、XC3105CN、XC3106A、XC3106AN、XC3106CN、XC3108RA、XC3108RC、XC3108RD、XC3108VA、XC5011、XC5015、XC5016、XC5071、XC5101、XC5105A、XF5131XC3108VA電源管理IC兩串兩節(jié)保護(hù)集成的 KEY 管腳內(nèi)置上拉電阻,用于檢測按鍵的輸入,支持按鍵單擊、雙擊和長按鍵功能。
CN3086 鎳鋅電池電壓高。與過去的AA電池相比它的電壓達(dá)到1.6V。比鎳氫電池的1.2V要高得多,更適用于傳統(tǒng)的使用1.5V電池的電器。它可以使閃光燈回電更快。使數(shù)碼相機(jī)充分用完其電量。而很多鎳氫電池用在數(shù)碼相機(jī)上使用了30%的電量就低電關(guān)機(jī)了。(2010年12月)AA型號的鎳鋅電池的容量只有1300mAh左右,但是,它的放電能量已經(jīng)達(dá)到8300焦耳以上。的鎳氫電池eneloop相比,差別并不大,eneloop放電能量大約在9000焦耳左右。 鎳鋅電池放電電流強(qiáng)。已經(jīng)運用在電動汽車上了。一顆AA鎳鋅電池,在2A電流放電下可以放出超過7200焦耳的能量。鎳鋅電池更環(huán)保,鎳和鋅都是可回收而且容易回收的金屬。鎳鋅電池由于至2013還是比較新的產(chǎn)品,全球主要由一個美國公司PowerGenix生產(chǎn),所以價格還是比較高。相信在未來幾年其價格可以降到鎳氫電池同一水平。關(guān)于鎳鋅電池的安全電壓范圍,大眾根據(jù)其充電器滿電壓1.9v判斷,安全電壓為1.2v,即1.2v~1.9v。 在實際使用中,有人將電池過充過放導(dǎo)致電池失效或損壞,詳情搜索 "鎳鋅 過放" 看看小白鼠自愿者們的貢獻(xiàn)。
低壓差線性穩(wěn)壓器原理上與一般的線性直流穩(wěn)壓器基本相同,區(qū)別在于低壓差穩(wěn)壓器輸出端的功率由NPN晶體管共集極架構(gòu)改為PNP集電極開路架構(gòu)(以使用雙極性晶體管以言)。這種架構(gòu)下,功率晶體管的控制極只要利用對地的電壓差就能讓晶體管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),因此輸入端只需高出輸出端多于功率晶體管的飽和電壓,穩(wěn)壓器就能運作,穩(wěn)定輸出電壓。 這類設(shè)計在保持穩(wěn)定性方設(shè)計難度較高,因為輸出級的阻抗較大,較易不穩(wěn)定或起振。 低壓差穩(wěn)壓器所使用的功率晶體管可以是雙極性晶體管或場效晶體管。 雙極性晶體管因為基極電流的關(guān)系,會耗用額外的電流,增加功耗,在相對高輸出電壓、低輸出電流、低輸出輸入電壓差的情況下尤其明顯。 場效晶體管沒有雙極性晶體管的功耗問題,但其所需導(dǎo)通的閘極電壓限制了其在低輸出電低的應(yīng)用,而且場效晶體管管的成本較高。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,這兩方面的問題都得以改善。放電過程中,實時檢測 VBUS 的電壓和放電電流。
XB5128A、XB5136IS、XB5152I2SZR、XB5152J2SZR、XB5153I2S、XB5153J2S、XB5153J2SWY、XB5225I2SZR、XB5306A、XB5307A、XB5307H、XB5332A、XB5332B、XB5350A、XB5350D0、XB5351A0、XB5352A、XB5352AR、XB5352AR12、XB5352AZ、XB5352G、XB5352M、、XB5353A、XB5358D0、XB5358G、XB5358K、XB5401A、XB5556A、0XB5606A、XB5606AJ、XB5606GJ、XB5608A、XB5608AJ、XB5608G、XB5891A、XB5806AE、XB6006AE、XB6008H2、XB6030J2S-SM、XB6030Q2S-SM、XB6040I2、XB6040I2S、XB6042I2、XB6042I2S、XB6042J2S、XB6042K2SV、XB6042M2S、XB6042Q2SV、XB6052M2S、XB6060I2、XB6060I2S、XB6060J2、XB6060M2S、XB6061I2、XB6061I2S、XB6061J2S、XB6090I、XB6091I2S、XB6091I2SV、XB6091ISC、XB6091J2SV、XB6092I2、XB6092J2、XB6094UA2S、XB6096IS、XB6096J、XB6096JS、XB6097IS、XB6156G、XB6166IS、XB6166ISA、XB6206AE、XB6366D、XB6706A、XB6706AHY、XB6706H2、XB6706U0、XB7608A、、XB7608AF、XB7608AJ、XB7608AJL、XB7608AR、XB7608G、XB7608GF、XB7608GJ、XB7608MF、內(nèi)置的同步降壓變換器,支持極限1MHz 的開關(guān)頻率和線補(bǔ)功能。XBDL63232JTSZR
支持設(shè)置電池的初始化容量,利用電池端電流和時間的積分來管理電池的剩余容量。XBDL63232JTSZR
拓微集成是一家專業(yè)化從事集成電路設(shè)計與銷售的公司,成立于2003年5月8日,座落軟件園區(qū)基地. 公司3位骨干是代CMOS電源芯片設(shè)計者、擁有多年的集成電路設(shè)計經(jīng)驗,尤其在低功耗電源管理類集成電路、微控制器芯片,CMOS圖象傳感器芯片等數(shù)模混合電路方面在國內(nèi)處于地位。公司以發(fā)展我國的微電子事業(yè)為己任、致力于集成電路的設(shè)計、開發(fā)和銷售。以雄厚的實力、合理的價格、優(yōu)良的服務(wù)與多家企業(yè)建立了長期的合作關(guān)系。 拓微集成的產(chǎn)品包括:電源管理IC包含DC-DC升壓IC、電壓檢測復(fù)位IC、鋰電池充電IC、負(fù)電壓翻轉(zhuǎn)IC7660、負(fù)電壓翻轉(zhuǎn)IC7661、霍爾開關(guān)IC、DC-DC降壓IC。XBDL63232JTSZR
同步 異步 指的是芯片的整流方式!一般情況下同步使用MOS整流 異步使用二極管,由于MOS導(dǎo)通電阻和壓降比較低 因此可以提供高效率。 所謂同步模式是指可以用外部周期信號控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極管,因此能降低整流器的損耗,提高DC/DC變換器的效率,滿足低壓、大電流整流的需要。所謂同步模式是指可以用外部周期信號控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取...