XB8089A、XB8089D、XB8089D0、XB8089D3、XB8089G、XB8608AF、XB8608AFJ、XB8608AJ、XB8608G、XB8702I、XB8703I、XB8783A、XB8783AHM、XB8783G、XB8789D0、XB8886A、XB8886AR、XB8886AZ、XB8886G、XB8886I、XB8886M、XB8887A、XB8889A、XB8989AF、XB8989GF、XB8989MF、XB9121H2、XB9241A、XB9241G、XB9901A、XB9901G。XBDL61515JS、XBDL63030JS、XBG4508A、XBG6096MS、XBGL6034QS、XBGL6155MS、XBL6015J2SSM、XBL6015M2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6032J2SSM、XBL6032Q2SSM、XBL6042JSSM、XBL6042QSSM、XBL6083J2SSM、XBM3204BCA、XBM3204DBA、XBM3204JFG、XBM3212DGB、XBM3212JFG、XBM3214BCA、XBM3214DBA、XBM3214DCA、XBM3214DG、BXBM3214JFG、XBM3215MDA、XBM3215DGB、XBM3215JFG、XBR4303A、XBR5152QS、XBR5355A、XBR6096QS、XB4432SKP2、XC3062A、XC3062C、XC3071A、XC3071AT、XC3071C、XC3098VYP、XC3101A、XC3105AX、C3105AN、XC3105C、XC3105CN、XC3106A、XC3106AN、XC3106CN、XC3108RA、XC3108RC、XC3108RD、XC3108VA、XC5011、XC5015、XC5016、XC5071、XC5101、XC5105A、XF5131采用開關(guān)充電技術(shù),充電效率極限達(dá)到 96%,能縮短 3/4 的充電時(shí)間。上海如韻
在新能源汽車的快速發(fā)展進(jìn)程中,芯納科技的鋰電池保護(hù) IC 發(fā)揮著不可或缺的作用。例如在某新能源汽車的電池管理系統(tǒng)中,芯納科技 xinnasemi 的產(chǎn)品對(duì)眾多電池單元進(jìn)行精細(xì)監(jiān)控和保護(hù)。它能夠在汽車高速行駛、快速充電等復(fù)雜工況下,確保電池的安全性和穩(wěn)定性,為新能源汽車的推廣和普及奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
芯納科技 xinnasemi 憑借其高質(zhì)量的鋰電池保護(hù) IC 和二合一鋰電保護(hù) IC,在消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。從智能手機(jī)到大型儲(chǔ)能系統(tǒng),從工業(yè)手持設(shè)備到新能源汽車,芯納科技的產(chǎn)品通過(guò)保障電池的安全和穩(wěn)定性,不斷推動(dòng)各行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和發(fā)展,成為鋰電保護(hù)領(lǐng)域的重要力量。 XS5306電源管理IC芯納科技高PSRR-LDO完全沒(méi)凸波40V耐壓LDO。
DS6066-2S-30W+DC方案:可用于空調(diào)服、加熱服及其他外部DC供電應(yīng)用。DS6066是點(diǎn)思針對(duì)DC應(yīng)用市場(chǎng)推出的一顆移動(dòng)電源SOC。目前市場(chǎng)上主流應(yīng)用于空調(diào)服和加熱服,此類應(yīng)用主要幫助戶外工作者保持一個(gè)舒服的狀態(tài)。DS6066-2S-30W+DC方案:2串電池,C口為30W雙向快充,通過(guò)DC口進(jìn)行外部供電,實(shí)現(xiàn)空調(diào)服/加熱服的工作能源。單擊按鍵開機(jī)并顯示電量,雙擊按鍵關(guān)機(jī)進(jìn)入休眠,長(zhǎng)按鍵進(jìn)入DC模式,再次單擊按鍵逐次切換空調(diào)服擋位(10-21V四檔可調(diào)),再次長(zhǎng)按鍵關(guān)閉DC模式。Type-C口、USB均帶插入自動(dòng)識(shí)別開機(jī)功能且協(xié)議自動(dòng)匹配Type-C輸入:5V/9V-3A、12V-2.5A、15V-2A、20V-1.5A(30W)Type-C輸出:5V/9V-3A、12V-2.5A、15V-2A、20V-1.5A(30W)PPS:3.3-11V/3A(33W)USB輸出:4.5V-5A、5V-4.5A、10V/2.25A、5V-3A、9V-2A、12V-1.5A(22.5W)。
DS5036B集成的KEY管腳內(nèi)置上拉電阻,用于檢測(cè)按鍵的輸入,支持按鍵單擊、雙擊和長(zhǎng)按鍵功能。小于30ms的按鍵動(dòng)作不會(huì)有任何響應(yīng),無(wú)效操作。按鍵持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于100ms,但小于2s,即為短按動(dòng)作。短按鍵會(huì)打開電量顯示燈或數(shù)碼管顯示電量和升壓輸出。按鍵持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于3s,即為長(zhǎng)按動(dòng)作。長(zhǎng)按會(huì)開啟或者關(guān)閉小電流輸出模式。在1s內(nèi)連續(xù)兩次短按鍵,會(huì)關(guān)閉升壓輸出、電量顯示,進(jìn)入休眠模式。DS5036B 自動(dòng)檢測(cè)手機(jī)插入,手機(jī)插入后即刻從待機(jī)狀態(tài)喚醒,開啟升壓給手機(jī)充電,省去按鍵操作, 可支持無(wú)按鍵模具方案。集成了過(guò)壓/欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、短路保護(hù)功能。
ESD( Electrostatic Discharge)靜電放電:在半導(dǎo)體芯片行業(yè),根據(jù)靜電產(chǎn)生方式和對(duì)電路的損傷模式不同,可以分為以下四種方式:人體放電模式(HBM:Human-body Model)、機(jī)器放電模式 (MM:Machine Model)、元件充電模式(CDM:Charge-Device Model)、電場(chǎng)感應(yīng)模式(FIM:Field-Induced Model),但業(yè)界關(guān)注的HBM、MM、CDM。以上是芯片級(jí)ESD,不是系統(tǒng)級(jí)ESD; 芯片級(jí)ESD:HBM 大于2KV,較高的是8KV。 系統(tǒng)級(jí)ESD:接觸ESD和空氣ESD,指的是系統(tǒng)加上外置器件做的系統(tǒng)級(jí)的ESD,一般空氣是15KV,接觸是8KV。電池電壓<涓流截止電壓時(shí),執(zhí)行涓流充電。XBR5152QS電源管理IC芯納科技
內(nèi)部降壓電路開關(guān)節(jié)點(diǎn),通過(guò)電感連接至 PVDD。上海如韻
DS2730集成了過(guò)壓/欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、短路保護(hù)功能。過(guò)壓/欠壓保護(hù):放電過(guò)程中,DS2730實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸入/輸出電壓,并和預(yù)設(shè)的閾值電壓比較。如果電壓高于過(guò)壓閾值或低于欠壓閾值,且維持時(shí)間達(dá)到一定長(zhǎng)度時(shí),芯片關(guān)閉放電通路。過(guò)流保護(hù):放電過(guò)程中,利用內(nèi)部的高精度ADC,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)流經(jīng)采樣電阻的電流。當(dāng)電流大于預(yù)設(shè)的過(guò)流閾值時(shí),首先降低輸出功率;如果降低功率后仍然持續(xù)過(guò)流,則觸發(fā)過(guò)流保護(hù),芯片自動(dòng)關(guān)閉放電通路。過(guò)溫保護(hù):放電過(guò)程中,利用連接在TS管腳上的NTC,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片自身的溫度或應(yīng)用方案中關(guān)鍵元件的溫度(例如,MOS管)。當(dāng)溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門限時(shí),降低放電功率。短路保護(hù):放電過(guò)程中,實(shí)時(shí)檢測(cè)VBUS的電壓和放電電流。發(fā)生VBUS輸出短路時(shí),自動(dòng)關(guān)閉放電通路。上海如韻
同步 異步 指的是芯片的整流方式!一般情況下同步使用MOS整流 異步使用二極管,由于MOS導(dǎo)通電阻和壓降比較低 因此可以提供高效率。 所謂同步模式是指可以用外部周期信號(hào)控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對(duì)數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來(lái)取代整流二極管,因此能降低整流器的損耗,提高DC/DC變換器的效率,滿足低壓、大電流整流的需要。所謂同步模式是指可以用外部周期信號(hào)控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對(duì)數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來(lái)取...