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企業(yè)商機(jī)
電源管理IC基本參數(shù)
  • 品牌
  • 賽芯微xysemi,上海如韻,上海芯龍
  • 型號(hào)
  • 電源管理
  • 封裝形式
  • DFN/SOP/SOT
  • 集成度
  • 大規(guī)模(100~10000)
  • 類型
  • 穩(wěn)壓IC,通信IC,時(shí)鐘計(jì)時(shí)IC,驅(qū)動(dòng)IC,其他IC
  • 應(yīng)用領(lǐng)域
  • 3C數(shù)碼,汽車電子,可穿戴設(shè)備,照明電子,智能家居,玩具,五金工具,物聯(lián)網(wǎng)IoT,醫(yī)療電子
電源管理IC企業(yè)商機(jī)

DS5036B 無按鍵動(dòng)作的情況下,只有連接用電設(shè)備的輸出口才會(huì)開啟;未連接設(shè)備的輸出口保持關(guān)閉。 USB-A1、USB-C 均支持輸出快充協(xié)議。但由于該方案是單電感方案,只能支持一個(gè)電壓輸出,所以只有一個(gè)輸出口開啟的情況下才能支持快充輸出。同時(shí)使用兩個(gè)或者三個(gè)輸出口時(shí),會(huì)自動(dòng)關(guān)閉快充功能。 按照“典型應(yīng)用原理圖”所示連接,任何一個(gè)輸出口已經(jīng)進(jìn)入快充輸出模式時(shí),當(dāng)其他輸出口插入用電設(shè)備,會(huì)先關(guān)閉所有輸出口,關(guān)閉高壓快充功能,再開啟有設(shè)備存在的輸出口。此時(shí)所有輸出口只支持 Apple、BC1.2 模式充電。當(dāng)處于多口輸出模式時(shí),任一輸出口的輸出電流小于約 80mA(MOS Rds_ON@15mohm)時(shí),持續(xù) 15s 后會(huì)自動(dòng)關(guān)閉該口。從多個(gè)用電設(shè)備減少到只有一個(gè)用電設(shè)備時(shí),持續(xù)約 15s 后會(huì)先關(guān)閉所有輸出口,開啟高壓快充功能,再開啟一個(gè)用電設(shè)備存在的輸出口,以此方式來重新使能設(shè)備請(qǐng)求快充。當(dāng)只有一個(gè)輸出口開啟的情況下,總的輸出功率小于 350mW 持續(xù)約 32s 時(shí),會(huì)關(guān)閉輸出口和放電功能,進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。為了補(bǔ)償因負(fù)載電流在線纜上產(chǎn)生的線壓降。XySemi 鋰電保護(hù)板生產(chǎn)操作注意事項(xiàng)1

XySemi 鋰電保護(hù)板生產(chǎn)操作注意事項(xiàng)1,電源管理IC

電源管理芯片的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域:消費(fèi)電子領(lǐng)域:智能手機(jī):電源管理芯片負(fù)責(zé)管理電池充電、電量監(jiān)測(cè)、不同部件的電壓轉(zhuǎn)換(如將電池電壓轉(zhuǎn)換為處理器、屏幕等所需電壓),并且在快速充電技術(shù)中發(fā)揮關(guān)鍵作用,實(shí)現(xiàn)安全高效的充電。筆記本電腦和平板電腦:確保設(shè)備在不同工作模式下穩(wěn)定供電,包括待機(jī)、工作、高性能運(yùn)算等模式下的電源分配和管理,以及電池的合理充放電管理??纱┐髟O(shè)備:由于可穿戴設(shè)備對(duì)體積和功耗要求極為苛刻,電源管理芯片需要實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換和低功耗待機(jī)等功能,以延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航和電池壽命。XB8783G電源管理IC賽芯微代理適用范圍:適用于標(biāo)稱電壓3.7V,充滿電壓4.2V的鋰電池。2組電池的容量/內(nèi)阻越接近越好。

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拓微集成是一家專業(yè)化從事集成電路設(shè)計(jì)與銷售的公司,成立于2003年5月8日,座落軟件園區(qū)基地. 公司3位骨干是代CMOS電源芯片設(shè)計(jì)者、擁有多年的集成電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),尤其在低功耗電源管理類集成電路、微控制器芯片,CMOS圖象傳感器芯片等數(shù)?;旌想娐贩矫嬖趪?guó)內(nèi)處于地位。公司以發(fā)展我國(guó)的微電子事業(yè)為己任、致力于集成電路的設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售。以雄厚的實(shí)力、合理的價(jià)格、優(yōu)良的服務(wù)與多家企業(yè)建立了長(zhǎng)期的合作關(guān)系。 拓微集成的產(chǎn)品包括:電源管理IC包含DC-DC升壓IC、電壓檢測(cè)復(fù)位IC、鋰電池充電IC、負(fù)電壓翻轉(zhuǎn)IC7660、負(fù)電壓翻轉(zhuǎn)IC7661、霍爾開關(guān)IC、DC-DC降壓IC。

特瑞仕是專門用于電源IC的模擬類比CMOS專業(yè)集團(tuán)。 發(fā)揮只只有專業(yè)廠商才具有的專門知識(shí)和靈活性,不間斷地瞬時(shí)對(duì)應(yīng)開發(fā)小型化、輕量化電子機(jī)器的需求。獨(dú)特的超小型封裝技術(shù)接二連三地帶來乃至肉眼難于分辨的小型產(chǎn)品是我們的驕傲。 盡管尺寸極小,但給予世間的影響卻無限大。從我們身邊的智能手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、電腦等便攜式機(jī)器、到汽車用導(dǎo)航系統(tǒng)、車載ETC設(shè)備、電動(dòng)車窗等車載用品,及包括機(jī)器人在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)機(jī)械,其產(chǎn)品性能在所有領(lǐng)域都得到了高度評(píng)價(jià)。 特瑞仕擁有雄厚先進(jìn)的技術(shù)能力,高度的市場(chǎng)影響力,并積極地對(duì)應(yīng)環(huán)保要求,今后還將繼續(xù)于電源IC領(lǐng)域。結(jié)合少量元件即可組成降壓型 C+CA 雙環(huán)路的 100W 大功率多口快充解決方案。

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    鋰離子電池到5號(hào)電池到處都是,玩具、家用電器、門禁等等,給我們帶來了便攜性,但也給我們留下了很多麻煩:-在使用耗電的玩具時(shí),應(yīng)經(jīng)常更換電池;-廢電池處置過程中的潛在污染危害;-可充電鎳金屬氫化物等電池,充電速度慢。廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦甚至特斯拉汽車的鋰離子電池具有優(yōu)異的性能。與傳統(tǒng)的,鋰離子電池有以下特點(diǎn):-容量相同,電池容量更大;-無召回效果,使用壽命更長(zhǎng);低污染;-充電速度更快;更低的價(jià)格;隨著鋰離子電池產(chǎn)業(yè)化的深入,其單位容量?jī)r(jià)格逐漸降低,資金優(yōu)勢(shì)現(xiàn)在優(yōu)于傳統(tǒng)的可充電干電池,所以5號(hào)電池內(nèi)置鋰離子電池,可以如下圖,標(biāo)準(zhǔn)microUSB充電,兼容性好。但是如何解決鋰離子電池充電的問題,如何解決鋰離子電池的。5.電池,原理框圖及實(shí)物樣例如下。充電容量可達(dá)500mA,,支持小電感,輸出電流。 鋰保PCB應(yīng)用注意事項(xiàng)-布局。XySemi 鋰電保護(hù)板生產(chǎn)操作注意事項(xiàng)1

可實(shí)現(xiàn)雙C輸入輸出;性價(jià)比高,成本優(yōu);支持在線燒錄。XySemi 鋰電保護(hù)板生產(chǎn)操作注意事項(xiàng)1

ESD( Electrostatic Discharge)靜電放電:在半導(dǎo)體芯片行業(yè),根據(jù)靜電產(chǎn)生方式和對(duì)電路的損傷模式不同,可以分為以下四種方式:人體放電模式(HBM:Human-body Model)、機(jī)器放電模式 (MM:Machine Model)、元件充電模式(CDM:Charge-Device Model)、電場(chǎng)感應(yīng)模式(FIM:Field-Induced Model),但業(yè)界關(guān)注的HBM、MM、CDM。以上是芯片級(jí)ESD,不是系統(tǒng)級(jí)ESD; 芯片級(jí)ESD:HBM 大于2KV,較高的是8KV。 系統(tǒng)級(jí)ESD:接觸ESD和空氣ESD,指的是系統(tǒng)加上外置器件做的系統(tǒng)級(jí)的ESD,一般空氣是15KV,接觸是8KV。XySemi 鋰電保護(hù)板生產(chǎn)操作注意事項(xiàng)1

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手電筒驅(qū)動(dòng) 2025-06-25

同步 異步 指的是芯片的整流方式!一般情況下同步使用MOS整流 異步使用二極管,由于MOS導(dǎo)通電阻和壓降比較低 因此可以提供高效率。 所謂同步模式是指可以用外部周期信號(hào)控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對(duì)數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極管,因此能降低整流器的損耗,提高DC/DC變換器的效率,滿足低壓、大電流整流的需要。所謂同步模式是指可以用外部周期信號(hào)控制DC-DC振蕩頻率的工作方式,該方式可以減少電源對(duì)數(shù)字電路的干擾。主要看續(xù)流元件是二極管還是MOS。同步整流是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取...

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