淀粉結晶度測定引言淀粉結晶度是表征淀粉顆粒結晶性質的一個重要參數，也是表征淀粉材料類產品性質的重要參數，其大小直接影響著淀粉產品的應用性能、淀粉材料的物理和機械性能。X射線衍射法（XRD)加全譜擬合法測定淀粉顆粒結晶度常用的方法之一。結晶度對于含有非晶態(tài)的聚合物，其散射信號來源于兩部分：晶態(tài)的衍射峰和非晶態(tài)漫散峰。那么結晶度DOC則定義為晶態(tài)衍射峰面積與總散射信號面積的比值。采用了開放式設計并具有不受約束的模塊化特性的同時，將用戶友好性、操作便利性以及安全操作性發(fā)揮得淋漓盡致，這就是布魯克DAVINCI設計D8 DISCOVER配備了MONTEL光學器件的IμS微焦源可提供更大強度小X射線束，非常適合小范圍或小樣品的研究。蘇州薄膜略入射測試檢測分析

石墨化度分析引言石墨及其復合材料具有高溫下不熔融、導電導熱性能好以及化學穩(wěn)定性優(yōu)異等特點，應用于冶金、化工、航空航天等行業(yè)。特別是近年來鋰電池的快速發(fā)展，進一步加大了石墨材料的需求。工業(yè)上常將碳原料經過煅燒破碎、焙燒、高溫石墨化處理來獲取高性能人造石墨材料。石墨的質量對電池的性能有很大影響，石墨化度是一種從結構上表征石墨質量的方法之一。石墨化度碳原子形成密排六方石墨晶體結構的程度,其晶格尺寸愈接近理想石墨的點陣參數,石墨化度就愈高。蘇州薄膜略入射測試檢測分析全能運動概念確保當樣品在移動時，感興趣區(qū)域始終在測角儀中心，從φ旋轉到XYZ平移和ψ傾斜，有5個自由度。

XRD檢測納米二氧化鈦晶粒尺寸引言納米材料的性能往往和其晶粒大小有關，而X射線衍射是測定納米材料晶尺寸的有效方法之一。晶粒尺寸Dhkl(可理解為一個完整小單晶的大小)可通過謝樂公示計算Dhkl：晶粒尺寸，垂直于晶面hkl方向β:hkl晶面的半高寬（或展寬）θ：hkl晶面的bragg角度λ：入射X光的波長，一般Cu靶為1.54埃K：常數（晶粒近似為球形，K=0.89；其他K=1）ADVANCE采用了開放式設計并具有不受約束的模塊化特性的同時，將用戶友好性、操作便利性以及安全操作性發(fā)揮得淋漓盡致，這就是布魯克DAVINCI設計

波特蘭水泥熟料礦相定量分析引言水泥和熟料的物理化學性能，比如凝結性能和強度變化等，不光是由化學組成所決定的，而主要是由其礦物組成所決定的。傳統(tǒng)的熟料物相分析采用BOGUE計算方法或熟料顯微鏡分析方法。這些方法的缺點是眾所周知的。目前有效的熟料礦相定量分析方法是XRD與Rietveld分析方法的結合。可以確定孰料中的C3S、C2S、C3A、C4AF等主要礦相的含量，還可以得到C3S、C2S、C3A等礦相多晶型含量以及游離鈣等微量相的含量。定性相分析和結構測定 微米應變和微晶尺寸分析 應力和織構分析 粒度和粒度分布測定 微米大小X射線束局部分析。

D2PHASER—數據質量D2PHASER所具備的數據質量和數據采集速度遠超目前人們對臺式XRD系統(tǒng)的認知。得益于出色的分辨率、低角度和低背景，該儀器是從相識別、定量相分析到晶體結構分析的所有粉末衍射應用的理想解決方案。不僅如此——只有布魯克AXS才能在整個角度范圍內，保證實現(xiàn)儀器對準（精度等于或優(yōu)于±0.02°2θ）。加上遵循著嚴格的儀器驗證協(xié)議，它可為所有應用提供準確數據。由于具有出色的適應能力，使用D8ADVANCE，您就可對所有類型的樣品進行測量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。專為在環(huán)境條件下和非環(huán)境條件下，對從粉末、非晶和多晶材料到外延多層薄膜等各種材料進行結構表征而設計。蘇州薄膜略入射測試檢測分析

涉及高通量篩選（HTS）和大區(qū)域掃描分析時，D8 DISCOVER是較好解決方案。蘇州薄膜略入射測試檢測分析

D8ADVANCEECO可提供高亮度1kW線焦點X射線源，其能耗極低，無需外設水冷，對實驗室基礎設施亦無特殊要求。您只需準備家用壁式插座即可。因此，您將能簡單快捷地完成安裝和定位。D8ADVANCEECO將在分析性能不打折扣的前提下，將擁有成本和立式XRD儀器的生態(tài)足跡降至。插件分析：無需外設水冷：每年可節(jié)約高達1.700m3的自來水耗電減少50％左右需單相電源，由于具有出色的適應能力，使用D8ADVANCE，您就可對所有類型的樣品進行測量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。無論是新手用戶還是**用戶，都可簡單快捷、不出錯地對配置進行更改。這都是通過布魯克獨特的DAVINCI設計實現(xiàn)的：配置儀器時，免工具、免準直，同時還受到自動化的實時組件識別與驗證的支持。布魯克提供基于NIST標樣剛玉（SRM1976）的準直保證。目前，在峰位、強度和分辨率方面，市面上尚無其他粉末衍射儀的精度超過D8ADVANCE。蘇州薄膜略入射測試檢測分析