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  CMP(化學(xué)機械拋光)工藝中磨料顆粒的高精度粒徑表征隨著半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展，電子器件尺寸縮小，要求晶片表面平整度達到納米級。CMP工藝作為芯片制造業(yè)不可或缺的一個部分，其對于磨料的顆粒粒度表征要求十分重要。CMP過程中使用的磨料顆粒典型尺寸范圍是10-200nm，其顆粒表征要求精確地確定納米級顆粒的尺寸，因此高分辨率納米粒度分析儀是磨料顆...

  顆粒形狀信息很重要，混合樣品或未知組分樣品，需要高分辨率的數(shù)量分布來準確分析樣品中的少數(shù)特殊顆粒，正在考慮將實驗室檢測擴大到工業(yè)規(guī)模的檢測，我們還提供原位在線粒形分析系統(tǒng)，可用于高溫，高壓以及腐蝕性環(huán)境。動態(tài)測量系統(tǒng)，顯微鏡同等級的精度真實原始數(shù)據(jù)的存儲，強大的預(yù)處理工具，高質(zhì)量的圖像分析結(jié)果，可精確測量非球形顆粒，供40個ISO標準粒形...

  光電探測器陣列由一系列同心環(huán)帶組成，每個環(huán)帶是一個單獨的探測器，能將投射到上面的散射光線形地轉(zhuǎn)換成電壓，然后送給數(shù)據(jù)采集卡，該卡將電信號放大，再進行AID轉(zhuǎn)化后送入計算機。激光粒度儀依據(jù)全量程米氏散射理論，充分考慮到被測顆粒和分散介質(zhì)的折射率等光學(xué)性質(zhì)，根據(jù)激光照射在顆粒上產(chǎn)生的散射光能量反演出顆粒群的粒度大小和粒度分布規(guī)律。激光粒度儀注...

  光電探測器陣列由一系列同心環(huán)帶組成，每個環(huán)帶是一個單獨的探測器，能將投射到上面的散射光線形地轉(zhuǎn)換成電壓，然后送給數(shù)據(jù)采集卡，該卡將電信號放大，再進行AID轉(zhuǎn)化后送入計算機。激光粒度儀依據(jù)全量程米氏散射理論，充分考慮到被測顆粒和分散介質(zhì)的折射率等光學(xué)性質(zhì)，根據(jù)激光照射在顆粒上產(chǎn)生的散射光能量反演出顆粒群的粒度大小和粒度分布規(guī)律。激光粒度儀注...

  磨料的粒度測量：以上我們了解到磨料在CMP工藝中起到了關(guān)鍵性的作用，CMP磨料顆粒的典型尺寸范圍是50-250納米，典型的過大聚集體為1-10微米，并出現(xiàn)在ppm范圍內(nèi)。顆粒表征的挑戰(zhàn)來自于精確確定納米級顆粒尺寸，同時還識別出相對較少的微米級聚集體。CPS納米粒度分析儀表征磨料顆粒粒度的有力工具。它可以分析任何粒度分布介于0.005和75...

  研磨液中的化學(xué)成分與硅片表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，將不溶的物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)，或者將硬度高的物質(zhì)進行軟化，然后通過磨粒的微機械摩擦作用將這些化學(xué)反應(yīng)物從硅片表面去除，溶入流動的液體中帶走，即在化學(xué)去膜和機械去膜的交替過程中實現(xiàn)平坦化的目的。其反應(yīng)分為兩個過程：化學(xué)過程：研磨液中的化學(xué)品和硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成比較容易去除的物質(zhì)；物理過程：...

  PEDOT是EDOT(3,4-乙撐二氧噻吩單體)的聚合物，PEDOT具有高電導(dǎo)率、高度的環(huán)境穩(wěn)定性、對可見光具有高透過率等特點，大量用于光伏、電容器、電致變色、觸摸屏等行業(yè)，用來制作抗靜電涂層、OLED(有機電激發(fā)光二極管)、有機薄膜太陽能電池材料、電極材料、電化學(xué)生物傳感器等。PEDOT及其復(fù)合材料，比如PEDOT/PSS(聚乙撐二氧噻...

  使用CPS分析儀平行測定3次高純氧化鋁粉得到的疊加圖，表明儀器的重復(fù)性較好，樣品的粒徑為0.586微米。分析氧化鋁粉末時，為防止樣品發(fā)生凝聚，需要添加入少量的乙酸。氧化鋅ZnO粉末：氧化鋅俗稱鋅白，是鋅的一種氧化物。氧化鋅是一種常用的化學(xué)添加劑，大量地應(yīng)用于塑料、硅酸鹽制品、合成橡膠、潤滑油、油漆涂料、藥膏、粘合劑、食品、電池、阻燃劑等產(chǎn)...

  高靈敏度：即使只有1微克樣品，CPS也能得到一個準確的粒度分布結(jié)果?？焖佟⒏呔葦?shù)模(A/D)轉(zhuǎn)換：可用信號分辨率(即軟件操作的數(shù)據(jù)對象)決定于數(shù)模轉(zhuǎn)換(A/D)過程。CPS系統(tǒng)使用的數(shù)模轉(zhuǎn)換可以實現(xiàn)在每秒31次取樣時保持20位以上的精度，即百萬分之一的誤差?？焖贆z測頭響應(yīng)：CPS系統(tǒng)的檢測頭和電路設(shè)計允許在95%精度下0.1秒的響應(yīng)速度...

  因此，需要對其粒徑的分布進行測試。而目前對炭黑的粒徑測量方法為差速沉淀法。由于常用的炭黑粒徑比較均勻，在測試時粒徑的分布常呈現(xiàn)正態(tài)曲線分布，但在裂解后炭黑中混有橡膠纖維，導(dǎo)致粒徑變大，不同粒徑炭黑的含量不同，不再呈現(xiàn)均勻的正態(tài)分布。造成樣品的測試比較困難。美國CPS24000納米粒度分析儀可以真實反映樣品在溶液中的真實粒徑分布狀態(tài)，粒徑測...

  CPS納米粒度分析儀測量參數(shù)：粒徑、粒形和濃度；粒徑范圍：0.1-3600μm；濃度范圍：高達109顆粒/cm3(對1μm顆粒)；供樣方式：液體、干粉、表面；系統(tǒng)規(guī)格/重量電源：665L×280W×183H(mm)；14Kg；100-130V，205-240V，50/60Hz，100VA；2mW He-Ne，632.8nm，硅PIN二極管...

  一般離心式分析儀的動態(tài)范圍為40，但是CPS系統(tǒng)的動態(tài)范圍可以超過1000。過去很多需要消耗整夜時間而且低精度的測量，現(xiàn)在可以使用示差沉降法快速測量，而得到高精度的結(jié)果。低噪聲光源/檢測頭：CPS納米粒度分析儀的光學(xué)系統(tǒng)和電路經(jīng)過精心設(shè)計以降低信號中的噪聲，信噪比通常為50000左右，低噪聲使得系統(tǒng)具有很高的靈敏度，可檢測窄峰的重量通常小...