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VB---反向峰值擊穿電壓Vc---整流輸入電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發(fā)射極與基極反向電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）VF---正向壓降（正向直流電壓）△VF---正向壓降差VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓VGT---門極觸發(fā)電壓VGD---門極不觸發(fā)電壓VGFM---門極正向峰值電壓VGRM---門極反向峰值電壓VF（AV）---正向平均電壓Vo---交流輸入電壓VOM---比較大輸出平均電壓Vop---工作電壓Vn---中心電壓Vp---峰點電壓VR---反向工作電壓（反向直流電壓）VRM---反向峰值電壓（比較高測試電壓）V（BR）...

半導體二極管1、英文縮寫：D(Diode)，電路符號是2、半導體二極管的分類分類：a按材質分：硅二極管和鍺二極管；b按用途分：整流二極管，檢波二極管，穩(wěn)壓二極管，發(fā)光二極管，光電二極管，變容二極管。3、半導體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：D5表示編號為5的半導體二極管。4、半導體二極管的導通電壓是:a;硅二極管在兩極加上電壓,并且電壓大于.B;鍺二極管在兩極加上電壓,并且電壓大于.5、半導體二極管主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很??；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。6、半導體二極管可分為整流、檢波、發(fā)光、光電、變容等作用。 深圳市凱軒業(yè)...

三極管，是一種具有三個電極的裝置，也稱為雙極型晶體管、晶體三極管，實質上就是一塊半導體基片上的兩個PN結將其隔成基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，從而引出基極、發(fā)射機和集電極三個電極，按結構可將其分為NPN型和PNP型。三極管是一種電流控制電流的半導體器件，具有電流放大、用作開關、代換等多種作用，現(xiàn)已***存在于各電路中。TVS的鉗位特性TVS屬限壓型浪涌保護器件，能對過電壓起鉗位作用，將浪涌電壓限制在安全耐壓范圍內，從而保護后面的負載電路。根據(jù)電路的基本理論，按照環(huán)路電壓分析法，從圖2可以看出，電路的輸出電壓Voutput可由式（1）得到：若設浪涌電壓Vg為8kV,Rg為330Ω，RS為Ω，...

用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型(用指針式萬用表). a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位. b;判別半導體三極管基極： 用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極，紅表筆分別接半導體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉，若兩次的測量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極（兩次阻值都小的為NPN型管，兩次阻值都大的為PNP型管），若兩次測量阻值一大一小，則用黑筆重新固定半導體三極管一個引腳極繼續(xù)測量，直到找到基極。 c;.判別半導體三極管的c極和e極： 確定基極后，對于NPN管，用萬用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測量兩次，若兩次測量的結果不相等，則其中測得...

半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向導電性（注：硅管的導通電壓為－；鍺管的導通電壓為－），而工程分析時通常采用的是.半導體二極管的伏安特性曲線：（通過二極管的電流Ｉ與其兩端電壓Ｕ的關系曲線為二極管的伏安特性曲線。）見圖三.圖三硅和鍺管的伏安特性曲線，半導體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,反向電阻應在100K以上.總之,正向電阻越小,越好.反向電阻越大越好.若正向電阻無窮大,說明二極管內部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內部斷開或擊穿的二極管均不能使用。半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向導電性...

利用TVS的鉗位特性，將8kV危險浪涌電壓削減到10V的安全電壓。需要注意的是，以上電路應滿足Rggt;RSRLoadgt;RS這一條件。TVS在TN電源系統(tǒng)的應用雷電過電壓波、負載開關等人為操作錯誤引起的過電壓容易通過供電線路侵入電氣電子設備內部，造成電氣電子設備失效、誤動作，甚至造成設備的損壞，造成嚴重經(jīng)濟損失。穩(wěn)定電流IZ指管子在正常工作時的參考電流值，其值在穩(wěn)壓區(qū)域的大電流IZmax與小電流IZmin之間。通過在電源線路上安裝浪涌吸收裝置MOV和TVS,實施兩級保護，并對L、N線進行共模、差模保護。具體做法是在線路的前端安裝MOV作為第1級SPD保護，泄放大部分雷電流，在線...

用萬用表判斷半導體三極管的極性和類型(用指針式萬用表).a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位.b;判別半導體三極管基極：用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極，紅表筆分別接半導體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉，若兩次的測量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極（兩次阻值都小的為NPN型管，兩次阻值都大的為PNP型管），若兩次測量阻值一大一小，則用黑筆重新固定半導體三極管一個引腳極繼續(xù)測量，直到找到基極。c;.判別半導體三極管的c極和e極：確定基極后，對于NPN管，用萬用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測量兩次，若兩次測量的結果不相等，則其中測得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是...

三極管各區(qū)的工作條件： 1．放大區(qū)：發(fā)射結正偏，集電結反偏： 2．飽和區(qū)：發(fā)射結正偏，集電結正偏； 3．截止區(qū)：發(fā)射結反偏，集電結反偏。 11、半導體三極管的好壞檢測 a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位 b;測量PNP型半導體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值: 紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好. c;測量PNP型半導體三極管的發(fā)射極和集電極的反向電阻值: 深圳市凱軒業(yè)科技為您供應晶體管設計，有需求可以...

RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RL---負載電阻Rs(rs)----串聯(lián)電阻Rth----熱阻R(th)ja----結到環(huán)境的熱阻Rz(ru)---動態(tài)電阻R(th)jc---結到殼的熱阻r；δ---衰減電阻r(th)---瞬態(tài)電阻Ta---環(huán)境溫度Tc---殼溫td---延遲時間tf---下降時間tfr---正向恢復時間tg---電路換向關斷時間tgt---門極控制極開通時間Tj---結溫Tjm...

δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt---通態(tài)電流臨界上升率dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率PB---承受脈沖燒毀功率PFT（AV）---正向導通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向導通總瞬時耗散功率Pd---耗散功率PG---門極平均功率PGM---門極峰值功率PC---控制極平均功率或集電極耗散功率Pi---輸入功率PK---比較大開關功率PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率PMP---比較大漏過脈沖功率PMS---比較大承受脈沖功率Po---輸出功率PR---反向浪涌功率Ptot---總耗散功率Pomax---最大輸出功率Psc--...

IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流IF（AV）---正向平均電流IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的比較大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。IH---恒定電流、維持電流。Ii---；發(fā)光二極管起輝電流IFRM---正向重復峰值電流IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電...

RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RL---負載電阻Rs(rs)----串聯(lián)電阻Rth----熱阻R(th)ja----結到環(huán)境的熱阻Rz(ru)---動態(tài)電阻R(th)jc---結到殼的熱阻r；δ---衰減電阻r(th)---瞬態(tài)電阻Ta---環(huán)境溫度Tc---殼溫td---延遲時間tf---下降時間tfr---正向恢復時間tg---電路換向關斷時間tgt---門極控制極開通時間Tj---結溫Tjm...

2015年，北美占據(jù)了FinFET市場的大多數(shù)份額。2016到2022年，亞太區(qū)市場將以年復合增長率比較高的速度擴大。一些亞太地區(qū)的國家是主要的制造中心，將為的FinFET技術的發(fā)展提供充足機會。智能手機和自動汽車對于高性能CPU需求的不斷增長是推動該地區(qū)市場的因素。這份全球性的報告主要對四個地區(qū)的市場做了詳細分析，分別是北美區(qū)、歐洲區(qū)、亞太區(qū)和其他區(qū)（包括中東和非洲）。這份報告介紹了FinFET市場上10個有前途的國家成員。市場的競爭格局呈現(xiàn)了一個很有意思畫面：FinFET市場價值鏈的原始設備制造商、零部件制造商和系統(tǒng)集成商已經(jīng)走到了一起，他們大多數(shù)都聚焦于提高和完善FinFET產(chǎn)品的...

故L型濾波器又稱為K常數(shù)濾波器。倘若一濾波器的構成部分，較K常數(shù)型具有較尖銳的截止頻率（即對頻率范圍選擇性強），而同時對此截止頻率以外的其他頻率只有較小的衰減率者，稱為m常數(shù)濾波器。所謂截止頻率，亦即與濾波器有尖銳諧振的頻率。通帶與帶阻濾波器都是m常數(shù)濾波器，m為截止頻率與被衰減的其他頻率之衰減比的函數(shù)。每一m常數(shù)濾波器的阻抗與K常數(shù)濾波器之間的關系，均由m常數(shù)決定，此常數(shù)介于0～1之間。當m接近零值時，截止頻率的尖銳度增高，但對于截止頻的倍頻之衰減率將隨著而減小。合于實用的m值為。至于那一頻率需被截止，可調節(jié)共振臂以決定之。m常數(shù)濾波器對截止頻率的衰減度，決定于共振臂的有效Q值之大小。若...

VB---反向峰值擊穿電壓Vc---整流輸入電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發(fā)射極與基極反向電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）VF---正向壓降（正向直流電壓）△VF---正向壓降差VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓VGT---門極觸發(fā)電壓VGD---門極不觸發(fā)電壓VGFM---門極正向峰值電壓VGRM---門極反向峰值電壓VF（AV）---正向平均電壓Vo---交流輸入電壓VOM---比較大輸出平均電壓Vop---工作電壓Vn---中心電壓Vp---峰點電壓VR---反向工作電壓（反向直流電壓）VRM---反向峰值電壓（比較高測試電壓）V（BR）...

導體三極管的主要參數(shù) a; 電流放大系數(shù)：對于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化，使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化，即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大，這就是三極管的電流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。 b;極間反向電流，集電極與基極的反向飽和電流。 c;極限參數(shù)：反向擊穿電壓，集電極比較大允許電流、集電極比較大允許功率損耗。 半導體三極管具有三種工作狀態(tài)，放大、飽和、截止，在模擬電路中一般使用放大作用。飽和和截止狀態(tài)一般合用在數(shù)字電路中。 a;半導體三極管的三種基本的放大電路。 深圳市凱軒業(yè)科技是一家專業(yè)晶體管方案設計公司，...

特殊二極管穩(wěn)壓二極管是利用二極管反向擊穿后伏安關系特別垂直的特性工作，即擊穿后電壓有微小的增加時，擊穿電流增加巨大這一特性，使得當電路中電流有波動時，穩(wěn)壓管兩端的電壓基本不變。穩(wěn)壓管是否被反向擊穿，可以借用二極管是否導通的方法來判斷，即先斷開穩(wěn)壓管，然后看兩個斷點之間的電壓是否滿足反向電壓，且數(shù)值大于擊穿電壓。若反向且大于擊穿電壓，則接入穩(wěn)壓管后穩(wěn)壓管反向擊穿，兩點之間電壓變?yōu)榉€(wěn)壓值。但是這種方法有個問題就是擊穿后的電流可能非常大，超過了穩(wěn)壓管的承受能力，時間一長將燒壞穩(wěn)壓管。使用穩(wěn)壓管時不但要考慮其被反向擊穿，還要考慮能否長期安全工作。所以還需要判斷其工作電流是否在穩(wěn)壓管的安全電...

半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向導電性（注：硅管的導通電壓為－；鍺管的導通電壓為－），而工程分析時通常采用的是.半導體二極管的伏安特性曲線：（通過二極管的電流Ｉ與其兩端電壓Ｕ的關系曲線為二極管的伏安特性曲線。）見圖三.圖三硅和鍺管的伏安特性曲線，半導體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,反向電阻應在100K以上.總之,正向電阻越小,越好.反向電阻越大越好.若正向電阻無窮大,說明二極管內部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內部斷開或擊穿的二極管均不能使用。半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向導電性...

特殊二極管穩(wěn)壓二極管是利用二極管反向擊穿后伏安關系特別垂直的特性工作，即擊穿后電壓有微小的增加時，擊穿電流增加巨大這一特性，使得當電路中電流有波動時，穩(wěn)壓管兩端的電壓基本不變。穩(wěn)壓管是否被反向擊穿，可以借用二極管是否導通的方法來判斷，即先斷開穩(wěn)壓管，然后看兩個斷點之間的電壓是否滿足反向電壓，且數(shù)值大于擊穿電壓。若反向且大于擊穿電壓，則接入穩(wěn)壓管后穩(wěn)壓管反向擊穿，兩點之間電壓變?yōu)榉€(wěn)壓值。但是這種方法有個問題就是擊穿后的電流可能非常大，超過了穩(wěn)壓管的承受能力，時間一長將燒壞穩(wěn)壓管。使用穩(wěn)壓管時不但要考慮其被反向擊穿，還要考慮能否長期安全工作。所以還需要判斷其工作電流是否在穩(wěn)壓管的安全電...

RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻RBB---雙基極晶體管的基極間電阻RE---射頻電阻RL---負載電阻Rs(rs)----串聯(lián)電阻Rth----熱阻R(th)ja----結到環(huán)境的熱阻Rz(ru)---動態(tài)電阻R(th)jc---結到殼的熱阻r；δ---衰減電阻r(th)---瞬態(tài)電阻Ta---環(huán)境溫度Tc---殼溫td---延遲時間tf---下降時間tfr---正向恢復時間tg---電路換向關斷時間tgt---門極控制極開通時間Tj---結溫Tjm...

故L型濾波器又稱為K常數(shù)濾波器。倘若一濾波器的構成部分，較K常數(shù)型具有較尖銳的截止頻率（即對頻率范圍選擇性強），而同時對此截止頻率以外的其他頻率只有較小的衰減率者，稱為m常數(shù)濾波器。所謂截止頻率，亦即與濾波器有尖銳諧振的頻率。通帶與帶阻濾波器都是m常數(shù)濾波器，m為截止頻率與被衰減的其他頻率之衰減比的函數(shù)。每一m常數(shù)濾波器的阻抗與K常數(shù)濾波器之間的關系，均由m常數(shù)決定，此常數(shù)介于0～1之間。當m接近零值時，截止頻率的尖銳度增高，但對于截止頻的倍頻之衰減率將隨著而減小。合于實用的m值為。至于那一頻率需被截止，可調節(jié)共振臂以決定之。m常數(shù)濾波器對截止頻率的衰減度，決定于共振臂的有效Q值之大小。...

按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。按鐵芯或線圈結構分類：芯式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。按電源相數(shù)分類：單相變壓器、三相變壓器、多相變壓器。按用途分類：電源變壓器、調壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。半導體分立器件如何分類？分立器件當燃是二極管，三極管，MOS晶體管，JFET晶體管幾大類了如果細分的話，如晶閘管，快速二極管等，就得看半導體器件相關的書了當然也可以包括電阻...

半導體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向導電性（注：硅管的導通電壓為0.6－0.8V；鍺管的導通電壓為0.2－0.3V），而工程分析時通常采用的是0.7V. 半導體二極管的伏安特性曲線：（通過二極管的電流Ｉ與其兩端電壓Ｕ的關系曲線為二極管的伏安特性曲線。） 半導體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,反向電阻應在100K以上.總之,正向電阻越小,越好.反向電阻越大越好.若正向電阻無窮大,說明二極管內部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內部斷開或擊穿的二極管均不能使用。 深圳市凱軒業(yè)科技為您供應晶體管設計，期...

故L型濾波器又稱為K常數(shù)濾波器。倘若一濾波器的構成部分，較K常數(shù)型具有較尖銳的截止頻率（即對頻率范圍選擇性強），而同時對此截止頻率以外的其他頻率只有較小的衰減率者，稱為m常數(shù)濾波器。所謂截止頻率，亦即與濾波器有尖銳諧振的頻率。通帶與帶阻濾波器都是m常數(shù)濾波器，m為截止頻率與被衰減的其他頻率之衰減比的函數(shù)。每一m常數(shù)濾波器的阻抗與K常數(shù)濾波器之間的關系，均由m常數(shù)決定，此常數(shù)介于0～1之間。當m接近零值時，截止頻率的尖銳度增高，但對于截止頻的倍頻之衰減率將隨著而減小。合于實用的m值為。至于那一頻率需被截止，可調節(jié)共振臂以決定之。m常數(shù)濾波器對截止頻率的衰減度，決定于共振臂的有效Q值之大小。若...

利用TVS的鉗位特性，將8kV危險浪涌電壓削減到10V的安全電壓。需要注意的是，以上電路應滿足Rggt;RSRLoadgt;RS這一條件。TVS在TN電源系統(tǒng)的應用雷電過電壓波、負載開關等人為操作錯誤引起的過電壓容易通過供電線路侵入電氣電子設備內部，造成電氣電子設備失效、誤動作，甚至造成設備的損壞，造成嚴重經(jīng)濟損失。穩(wěn)定電流IZ指管子在正常工作時的參考電流值，其值在穩(wěn)壓區(qū)域的大電流IZmax與小電流IZmin之間。通過在電源線路上安裝浪涌吸收裝置MOV和TVS,實施兩級保護，并對L、N線進行共模、差模保護。具體做法是在線路的前端安裝MOV作為第1級SPD保護，泄放大部分雷電流，在線...

穩(wěn)壓二極管的基本知識a、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。b、故障特點：穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。c、常用穩(wěn)壓二極管的型號及穩(wěn)壓值如下表：型號1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761穩(wěn)壓值15V27V30V75V。...

場效應管(MOS管)1、場效應管英文縮寫：FET(Field-effecttransistor)2、場效應管分類：結型場效應管和絕緣柵型場效應管3、場效應管電路符號：4、場效應管的三個引腳分別表示為:G(柵極),D(漏極),S(源極)注：場效應管屬于電壓控制型元件，又利用多子導電故稱單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點。5、場效應晶體管的優(yōu)點：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導體。 晶體管設計，就選深圳市凱軒業(yè)科技，讓您滿意，歡迎您的來電！1SM...

三極管三極管是電流控制型器件，基極（B）的電流控制發(fā)射極（E）和集電極（C）之間的電流。下面以NPN管為例圖示如下。NPN管的原理圖示三極管好像是一個為了取小水而漏掉大水的例子。如上圖所示，當不取水時，閥門關閉了大小管道，都沒有電流。當通過小管道開啟閥門取一點水的時候，水就會漫過閥門空隙流到大管道另外一端。當閥門開的越大，漏掉的水就越多，好像小水流可以控制大漏水一樣，這就是線性工作區(qū)。如果閥門開大到一定程度，管子滿了，那么再開大閥門也不會增加水流了，這就是飽和工作區(qū)。MOS管和三極管的特點有點相似：它們都可以做開關（飽和區(qū)），也都可以做放大器（線性區(qū)）使用。但是MOS管由于柵極與源...

導體三極管的主要參數(shù) a; 電流放大系數(shù)：對于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化，使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化，即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大，這就是三極管的電流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。 b;極間反向電流，集電極與基極的反向飽和電流。 c;極限參數(shù)：反向擊穿電壓，集電極比較大允許電流、集電極比較大允許功率損耗。 6、半導體三極管具有三種工作狀態(tài)，放大、飽和、截止，在模擬電路中一般使用放大作用。飽和和截止狀態(tài)一般合用在數(shù)字電路中。 a;半導體三極管的三種基本的放大電路。 深圳市凱軒業(yè)科技為您供應晶...

三極管三極管是電流控制型器件，基極（B）的電流控制發(fā)射極（E）和集電極（C）之間的電流。下面以NPN管為例圖示如下。NPN管的原理圖示三極管好像是一個為了取小水而漏掉大水的例子。如上圖所示，當不取水時，閥門關閉了大小管道，都沒有電流。當通過小管道開啟閥門取一點水的時候，水就會漫過閥門空隙流到大管道另外一端。當閥門開的越大，漏掉的水就越多，好像小水流可以控制大漏水一樣，這就是線性工作區(qū)。如果閥門開大到一定程度，管子滿了，那么再開大閥門也不會增加水流了，這就是飽和工作區(qū)。MOS管和三極管的特點有點相似：它們都可以做開關（飽和區(qū)），也都可以做放大器（線性區(qū)）使用。但是MOS管由于柵極與源...