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RF（r）---正向微分電阻.在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性.在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻RBB---雙基極晶體管的基極...

電容的種類可以從原理上分為：無極性可變電容、無極性固定電容、有極性電容等，從材料上可以分為：CBB電容（聚乙烯），滌綸電容、瓷片電容、云母電容、獨石電容、電解電容、鉭電容等。無極性可變電容制作工藝：可...

整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流這一個術(shù)語，它是通過二極管的單向?qū)ㄔ韥硗瓿晒ぷ鞯?，通俗的來說二極管它是正向?qū)ê头聪蚪卣鳂蚓褪菍⒄鞴芊庠谝粋€殼內(nèi)了.分全橋...

如果把整流電路的結(jié)構(gòu)作一些調(diào)整,可以得到一種能充分利用電能的全波整流電路。全波整流電路,可以看作是由兩個半波整流電路組合成的。變壓器次級線圈中間需要引出一個抽頭,把次組線圈分成兩個對稱的繞組,從而引出...

3、限幅元件二極管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不變（硅管?0.7V，鍺管為 0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。4、繼流二極管在開關(guān)電源的電感中和繼電...

6、平面型二極管在半導體單晶片（主要地是 N 型硅單晶片）上，擴散 P 型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅單晶片上但選擇性地擴散一部分而形成的 PN 結(jié)。因此，不需要為調(diào)整 PN 結(jié)面...

線性穩(wěn)壓電源的主要功能是穩(wěn)定電壓。當直流電壓流動時，它會產(chǎn)生低壓輸出，使其成為相對安全的電源。線性穩(wěn)壓電源主電路的工作過程首先通過預設(shè)電路對輸入電源進行初步的交流穩(wěn)壓，然后將其轉(zhuǎn)換為直流電。電源通過控...

晶體管結(jié)構(gòu)及類型用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，并形成兩個PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管。結(jié)構(gòu)如圖(a)所示，位于中間的P區(qū)稱為基區(qū)，它很薄且雜質(zhì)濃度很低；位于上層的N區(qū)是發(fā)射區(qū)，摻雜濃度很...

IRM---反向峰值電流IRR---晶閘管反向重復平均電流IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流IRRM---反向重復峰值電流IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）Irp---反向恢復電流Iz-...

整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流這一個術(shù)語，它是通過二極管的單向?qū)ㄔ韥硗瓿晒ぷ鞯?，通俗的來說二極管它是正向?qū)ê头聪蚪卣鳂蚓褪菍⒄鞴芊庠谝粋€殼內(nèi)了.分全橋...

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電?VB)的一半作為(VR)。較大反向電流IR...

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓VB的一半作為VR。（3）較大反向電流IR：...