什么是遙控接收頭?所謂接收頭就是將光敏二極管和放大電路組合到一起的元件,這些元件完成接收、放大、解調(diào)等功能。所有紅外線遙控器的輸出都是用編碼后的串行數(shù)據(jù)對30~56kHz的方波進(jìn)行脈沖幅度調(diào)制而產(chǎn)生的。如果直接對已調(diào)波進(jìn)行測量,由于單芯片系統(tǒng)的指令周期是微秒(μs),而已調(diào)波的脈寬只有20多μs,會產(chǎn)生很大的誤差。因此先要對已調(diào)波...
查看詳細(xì) >>緊固區(qū)段和測量區(qū)段的材料在此是相同的并且一體地由彈性體材料構(gòu)成。環(huán)狀的緊固區(qū)段的層厚在此比盤狀的測量區(qū)段的層厚大。層厚在此表示在表面與第二表面之間的間距。在測量區(qū)段與緊固區(qū)段之間的過渡在此可以是階梯狀的,其中,所述層厚突變式地升高。地,所述層厚從測量區(qū)段出發(fā)直到緊固區(qū)段的層厚為止線性增大。由此獲得傾斜的過渡區(qū)域。該過渡區(qū)域構(gòu)成測量...
查看詳細(xì) >>這樣的線路起到了光電控制作用。圖⑥(b)是暗通的光控線路,與圖⑥。a)相比電路中2CU與R-2-的位置對調(diào)了。當(dāng)有光照時2CU內(nèi)阻變小。它兩端的壓降減小,這樣使BG-1-截止,BG-2-也截止,繼電器觸點(diǎn)不吸合,當(dāng)無光照時2CU的內(nèi)阻增大。它兩端的壓降增大,使BG-1-導(dǎo)通,BG-2-也導(dǎo)通,繼電器觸點(diǎn)吸合。三、2DU型硅光電二極...
查看詳細(xì) >>以p型離子注入形成有源區(qū);所述的氧化硅層為熱氧化生成sio2層,所述的氮化硅層為淀積生長的si3n4層;所述的正面金屬電極是在濺射后經(jīng)刻蝕成形。所述外延層的電阻率為500~1000ohm·cm,外延層厚度wepi根據(jù)耗盡區(qū)寬度wd確定:wepi≈wd,而wd≥w入/2,其中w入=f(λ),w入為入射光入射深度,λ為入射光波長。一種...
查看詳細(xì) >>圖1和圖2中示出的較窄的邊框115)的背光單元200和重量較輕的背光單元200。例如,被定位成在橫向上與導(dǎo)光板210的外邊緣213相鄰(例如,面對導(dǎo)光板210的外邊緣213)且在導(dǎo)光板210的外邊緣213的外部的光源可以照明背光單元200。然而,在一些實施例中,利用面向?qū)Ч獍?10的外邊緣213的光源照亮背光單元200可能需要包括...
查看詳細(xì) >>可以由面對顯示器面板110的主表面111的用戶觀看。在一些實施例中,背光單元200可以包括導(dǎo)光板210,導(dǎo)光板210包括主表面211和第二主表面212。導(dǎo)光板210可以包括從主表面211向第二主表面212延伸并外接主表面211和第二主表面212的外邊緣213。如下文更地討論的,在一些實施例中,背光單元200可以包括光耦合器220、...
查看詳細(xì) >>圖1為本實用新型實施例提供的一種傳感器引腳剪切及檢測裝置的結(jié)構(gòu)圖;圖2為圖1的主視圖;圖3為圖1的側(cè)視圖。其中,1-基體,2-凹槽,3-指示燈,4-顯示屏,5-電源開關(guān),6-傳感器,7-剪切機(jī)構(gòu)。具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述,顯然。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(S...
查看詳細(xì) >>跨越管測量的工作電壓,靜態(tài)(即當(dāng)沒有鍵按下),通常是零,而在動態(tài)(即當(dāng)按下按鈕)將跳轉(zhuǎn)到一個較小的電壓值,由于編碼不同的遠(yuǎn)程控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和電源電壓,驅(qū)動電路的工作方法,該電壓值通常為?,和筆應(yīng)微微顫抖。當(dāng)使用數(shù)字萬用表測量,測得的值一般比測量值模擬萬用表更高,通常在?。握手時如果有靜態(tài)和動態(tài)平穩(wěn)不抖動,靜態(tài)和動態(tài)的顫抖下在靜態(tài)和動...
查看詳細(xì) >>并且光耦合器220可以被表示為沿著非線性軸線投影的光耦合器220的恒定的橫截面輪廓。在一些實施例中,該多個同心波導(dǎo)中的每一個波導(dǎo)300a、300b、300c的邊緣303a、303b、303c可以面對導(dǎo)光板210的外邊緣213。另外,在一些實施例中,光源225可以面對該多個同心波導(dǎo)中的每一個波導(dǎo)300a、300b、300c的第二邊緣...
查看詳細(xì) >>由霍爾效應(yīng)的原理知,霍爾電勢的大小取決于:Rh為霍爾常數(shù),它與半導(dǎo)體材質(zhì)有關(guān);IC為霍爾元件的偏置電流;B為磁場強(qiáng)度;d為半導(dǎo)體材料的厚度。對于一個給定的霍爾器件,Vh將完全取決于被測的磁場強(qiáng)度B。由霍爾效應(yīng)的原理知,霍爾電勢的大小取決于:Rh為霍爾常數(shù),它與半導(dǎo)體材質(zhì)有關(guān);IC為霍爾元件的偏置電流;B為磁場強(qiáng)度;d為半導(dǎo)體材料的...
查看詳細(xì) >>國產(chǎn)光耦廠家--**光半導(dǎo)體工業(yè)術(shù)語經(jīng)常模糊相似術(shù)語之間的界線。,我們發(fā)現(xiàn)光耦合器和光隔離器這兩個術(shù)語可以互換使用,以指代相同的功能。這兩個術(shù)語之間的區(qū)別在于隔離的電壓量。光耦合器用于將模擬或數(shù)字信息從一個電壓電勢傳輸?shù)搅硪浑妷?,同時保持低于5,000V的電勢隔離。光隔離器設(shè)計為隔離電源系統(tǒng),同時在系統(tǒng)之間傳輸模擬或數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù),隔離...
查看詳細(xì) >>SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。T=25℃Vcc=5vf0=38KHZ):參數(shù)符號測試條件MinTypeMax單位工作電壓VCCV工作電流Icc-mA靜態(tài)電流Ice無信號輸入時mA接收距離L※1518M接收角度θ1/2+/-35D...
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