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  其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關、光電編碼器、紙張感應器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展，世華高半導體已成為一家先進的半導體器件制造商。公司在全球范圍內設有多個銷售機構，分布在中國、印度、泰國、伊朗、香港等多個國家和地區(qū)。采用上海辰華chi660e電化學工作站，將...

  按照霍爾開關的感應方式可將它們分為：單極性霍爾開關、雙極性霍爾開關、全極性霍爾開關。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負責光電器件的制造。單極性霍爾開關的感應方式：磁場的一個磁極靠近它，輸出低電位電壓（低電平）或關的信號，磁...

  4)通過離子注入分別形成n+保護環(huán)102和p+有源區(qū)103，間距12～20um；5)熱氧化生成sio2層104)，sio2層上方淀積生長si3n4層105；6)接連刻掉si3n4層和sio2層形成接觸孔，然后濺射al。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾...

  深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負責光電器件的制造。這類元件可以分為兩大類，一類是線性元件，另一類是開關類元件。線性霍爾元件的原理及應用UGN350lT是一種目前較常用的三端型線性霍爾元件。它由穩(wěn)壓器、霍爾發(fā)生器和放大器組...

  深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負責光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關、光電編碼器、紙張感應器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展，世華高半導體...

  用UGN3501T還可以十分方便地組成如圖2所示的鉗形電流表。將霍爾元件置于鉗形冷軋硅鋼片的空隙中，當有電流流過導線時，就會在鉗形圓環(huán)中產(chǎn)生磁場，其大小正比于流過導線電流的安匝數(shù)。深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負責光電器...

  305c限定)的光耦合器220的本公開的特征可以提供可以是以下中的一個或多個的背光單元200和電子顯示器100：比其他背光單元和電子顯示器更小、更輕、更窄和更薄。因此，在一些實施例中，隨著可以追求朝著更小、更輕、更窄和更薄的電子顯示器100的趨勢，本公開的包括彎曲或曲折的輪廓(例如，由弧形路徑305a、305b、305c限定的)的...

  可以由面對顯示器面板110的主表面111的用戶觀看。在一些實施例中，背光單元200可以包括導光板210，導光板210包括主表面211和第二主表面212。導光板210可以包括從主表面211向第二主表面212延伸并外接主表面211和第二主表面212的外邊緣213。如下文更地討論的，在一些實施例中，背光單元200可以包括光耦合器220、...

  信號是單向傳輸?shù)摹］斎牒洼敵龆俗油耆姎飧綦x。輸出信號對輸入端沒有影響?？垢蓴_能力強，工作穩(wěn)定，無觸點，使用壽命長，傳輸效率高。光耦合器是20世紀70年代發(fā)展起來的新器件，目前廣泛應用于電絕緣、電平轉換、級間耦合、驅動電路、開關電路、斬波器、多諧振蕩器、信號隔離、級間隔離、脈沖放大電路、數(shù)字儀器、長距離信號傳輸、脈沖放大等領域，固...

  新型光耦合器不斷涌現(xiàn)。其應用范圍已擴展到測量儀器、精密儀器、工業(yè)電子儀器、計算機及其設備、通信機械、信號機和道路信息系統(tǒng)、電機等領域。重點介紹了該器件的工作特性、驅動和輸出電路以及一些實際應用電路。線性光耦合器是近年來出現(xiàn)的一種能夠傳輸連續(xù)變化的模擬電壓或模擬電流信號的器件，極大地拓展了其應用領域。下面介紹光耦合器的工作原理和檢測...

  深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設在深圳，主要負責研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負責光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關、光電編碼器、紙張感應器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展，世華高半導體...

  提高硅基光電二極管響應速度變得越來越迫切。高阻材料雖然可以提高響應度，同時它也會引入三個方面的缺點：一是耗盡區(qū)寬度變寬，使得光生載流子漂移時間變長，響應速度變慢；二是耗盡區(qū)變寬，需要材料厚度相應的變厚，而對于某些應用場景，需要芯片厚度在150um左右，這種情況下，寬耗盡區(qū)并未帶來響應度的明顯提升；三是由于材料為高阻材料，擴散區(qū)電阻...