DDR(Double Data Rate)是一種常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)標(biāo)準(zhǔn)。以下是對(duì)DDR規(guī)范的一些解讀:DDR速度等級(jí):DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級(jí),如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬,通常以頻率來(lái)表示(例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800...
查看詳細(xì) >>DDR3: DDR3釆用SSTL_15接口,I/O 口工作電壓為1.5V;時(shí)鐘信號(hào)頻率為400? 800MHz;數(shù)據(jù)信號(hào)速率為800?1600Mbps,通過(guò)差分選通信號(hào)雙沿釆樣;地址/命令/控制信 號(hào)在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps;數(shù)據(jù)和選通信號(hào) 仍然使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)?,時(shí)鐘/地址/命...
查看詳細(xì) >>DDR 規(guī)范的時(shí)序要求 在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后,下一步,我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對(duì)于信號(hào)的時(shí)序要求。這是我們所設(shè)計(jì)的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。 在規(guī)范文件中,有很多時(shí)序圖,筆者大致計(jì)算了一下,有 40 個(gè)左右。作為高速電路設(shè)計(jì)的工程師,我們不可能也沒(méi)有時(shí)間去做全部的仿真波形來(lái)和規(guī)范的要求一一...
查看詳細(xì) >>3.了解測(cè)試流程和方法:了解基本的高速電路測(cè)試流程和方法,包括測(cè)試前的準(zhǔn)備工作、測(cè)試方案設(shè)計(jì)、測(cè)試儀器的校準(zhǔn)、測(cè)試數(shù)據(jù)的分析和處理等。 4. 學(xué)習(xí)技術(shù)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn):了解高速電路測(cè)試的國(guó)際和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),例如眼圖測(cè)試、時(shí)域反射測(cè)量、時(shí)域傳輸率等,以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。 5. 加強(qiáng)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn):通過(guò)實(shí)踐工作中積累的經(jīng)驗(yàn),加深對(duì)...
查看詳細(xì) >>5、技術(shù)選擇 不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)適于不同的任務(wù)。 信號(hào)是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的還是一點(diǎn)對(duì)多抽頭的?信號(hào)是從電路板輸出還是留在相同的電路板上?允許的時(shí)滯和噪聲裕量是多少?作為信號(hào)完整性設(shè)計(jì)的通用準(zhǔn)則,轉(zhuǎn)換速度越慢,信號(hào)完整性越好。50MHZ時(shí)鐘采用500PS上升時(shí)間是沒(méi)有理由的。一個(gè)2-3NS的擺率控制器件速度要足夠快,才能保證SI的品質(zhì),并...
查看詳細(xì) >>眼圖中的“1”電平( top P)與“0”( base P )電平即是表示邏輯為1 或0 的電壓位準(zhǔn)值,實(shí)際中選取眼圖中間的20% UI 部分向垂直軸投影做直方圖,直方圖的中心值分別為“1”電平和“0”電平。 眼幅度表示“1”電平信號(hào)分布與“0”電平信號(hào)分布平均數(shù)之差,其測(cè)量是通過(guò)在眼圖位置附近區(qū)域(通常為零點(diǎn)交叉時(shí)間之間距離的...
查看詳細(xì) >>電氣完整性測(cè)試主要是通過(guò)以下步驟來(lái)進(jìn)行: 1.確定測(cè)試項(xiàng)目:根據(jù)測(cè)試對(duì)象,確定要進(jìn)行哪些項(xiàng)目的電氣完整性測(cè)試,如傳輸線完整性測(cè)試、時(shí)序完整性測(cè)試、電源完整性測(cè)試、接地完整性測(cè)試、封裝完整性測(cè)試等。 2.準(zhǔn)備測(cè)試工具和設(shè)備:根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目的不同,使用不同的測(cè)試工具和設(shè)備進(jìn)行測(cè)試,如TDR、CJA、接地電阻測(cè)量?jī)x、帶噪聲的互感耦...
查看詳細(xì) >>終端電阻的校準(zhǔn),需要通過(guò)如圖3所示的RTUN模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。它的原理是利用片外精細(xì)電阻對(duì)片內(nèi)電阻進(jìn)行校準(zhǔn)?;鶞?zhǔn)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓vba(1.2V)經(jīng)過(guò)buffer在片外6.04K電阻上產(chǎn)生電流,用同樣大小的電流ires流經(jīng)片內(nèi)電阻產(chǎn)生電壓與rex-tv(1.2V)進(jìn)行比較,觀察比較器的輸出。通過(guò)setrd來(lái)控制W這三個(gè)開關(guān),從000到111掃...
查看詳細(xì) >>三、測(cè)試工具 高速電路測(cè)試需要使用一系列的測(cè)試工具和測(cè)試設(shè)備,常見(jiàn)的測(cè)試工具包括示波器、頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、信號(hào)發(fā)生器、信號(hào)分析儀等。這些工具可以用來(lái)測(cè)試電路的信號(hào)電氣特性,包括電壓、電流、頻率、相位等參數(shù)。同時(shí),還可以通過(guò)這些工具進(jìn)行數(shù)據(jù)采集、波形分析、頻率響應(yīng)分析、時(shí)域分析、頻域分析等操作,以便更好地評(píng)估電路的性能和質(zhì)量...
查看詳細(xì) >>根據(jù)測(cè)試對(duì)象和測(cè)試方法的不同,高速電路測(cè)試可分為以下哪些幾大類: 1.性能測(cè)試:對(duì)高速電路的特定性能進(jìn)行測(cè)試,例如時(shí)鐘頻率、傳輸速率、抖動(dòng)、時(shí)序等指標(biāo)。通常使用示波器、信號(hào)發(fā)生器、頻譜分析儀等測(cè)試儀器進(jìn)行測(cè)試。 2.可靠性測(cè)試:對(duì)高速電路在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行過(guò)程中的穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行測(cè)試,以確認(rèn)其在不同溫度、濕度、電壓等條件下的工...
查看詳細(xì) >>4.執(zhí)行測(cè)試:運(yùn)行所選擇的性能測(cè)試工具,并選擇進(jìn)行傳輸速率測(cè)試的功能。在性能測(cè)試工具中,選擇相應(yīng)的設(shè)備和測(cè)試文件,并啟動(dòng)測(cè)試過(guò)程。 5.記錄測(cè)試結(jié)果:測(cè)試工具會(huì)顯示USB3.0設(shè)備的傳輸速率。記錄測(cè)得的讀取和寫入速度,并與USB3.0規(guī)范中所定義的比較大傳輸速率(5Gbps)進(jìn)行對(duì)比。 6.分析結(jié)果:根據(jù)測(cè)試結(jié)果,評(píng)估設(shè)備...
查看詳細(xì) >>信號(hào)完整性測(cè)試: 發(fā)射信號(hào)質(zhì)量測(cè)試(Transmitter Signal Quality Test):測(cè)試USB 3.0發(fā)送端的波形質(zhì)量和幅度是否符合規(guī)范要求。接收器靈敏度測(cè)試(Receiver Sensitivity Test):驗(yàn)證USB 3.0接收端對(duì)不同信號(hào)強(qiáng)度的識(shí)別和解碼能力。 性能測(cè)試: 傳輸速率測(cè)試:測(cè)...
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