電氣完整性測(cè)試可以使用多種工具進(jìn)行,常見的有以下幾種: 1.多用表:可以測(cè)量電路的電壓、電流、電阻等參數(shù),是常見的電氣測(cè)試工具之一。 2.熔斷器性能測(cè)試儀:用于檢查熔斷器的性能,包括額定電流及過(guò)流保護(hù)時(shí)間。 3.地絕緣測(cè)試儀:用于檢測(cè)設(shè)備的絕緣電阻,檢查設(shè)備是否有漏電現(xiàn)象。 4.電線跟蹤儀:用于對(duì)電線路進(jìn)行定位...
查看詳細(xì) >>(2)阻抗匹配(impedance matching):信號(hào)源和接收器的輸入輸出端口阻抗不匹配,導(dǎo)致信號(hào)反射、信噪比下降等問題。 (3)噪聲(noise):干擾源、地線回流、耦合等問題導(dǎo)致的信號(hào)噪聲。 (4)時(shí)序誤差(timingerror):信號(hào)在不同線路中傳播時(shí)的時(shí)序誤差,導(dǎo)致系統(tǒng)工作不穩(wěn)定。 (5)電源波動(dòng)(p...
查看詳細(xì) >>1、什么是數(shù)據(jù)交換? 廣義上講,任何數(shù)據(jù)的相互轉(zhuǎn)發(fā)都可以稱之為數(shù)據(jù)交換,交換機(jī)使用過(guò)程,是基于以太網(wǎng)的數(shù)據(jù)交換,網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)交換可以到達(dá)指定的端口。 2、什么是交換機(jī)? 交換機(jī)(switch)是一種基于MAC地址識(shí)別,能完成封裝轉(zhuǎn)發(fā)數(shù)據(jù)包功能的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,交換機(jī)可以學(xué)習(xí)MAC地址,并將其存放在內(nèi)部地址表中,通過(guò)在幀的始...
查看詳細(xì) >>信號(hào)完整性是許多設(shè)計(jì)人員在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中涉及的主要主題之一。信號(hào)完整性涉及數(shù)字信號(hào)波形的質(zhì)量下降和時(shí)序誤差,因?yàn)樾盘?hào)從發(fā)射器傳輸?shù)浇邮掌鲿?huì)通過(guò)封裝結(jié)構(gòu)、PCB走線、通孔、柔性電纜和連接器等互連路徑。當(dāng)今的高速總線設(shè)計(jì)如LpDDR4x、USB3.2Gen1/2(5Gbps/10Gbps)、USB3.2x2(2x10Gbps)、PCIe和...
查看詳細(xì) >>3. 眼圖測(cè)試:眼圖測(cè)試是一種通過(guò)在不同的時(shí)刻測(cè)量相同的信號(hào),然后用所得數(shù)據(jù)重建信號(hào)波形的方法。該測(cè)試方法可以揭示信號(hào)時(shí)域和頻域上任何的失真和噪聲,以評(píng)估電路的整體完整性。 4. 傳輸線測(cè)試:傳輸線測(cè)試是一種通過(guò)測(cè)量傳輸線的阻抗、傳輸損耗和傳輸速度等參數(shù)來(lái)評(píng)估傳輸線質(zhì)量和完整性的方法。該測(cè)試方法可以檢測(cè)到傳輸線路的各種故障和問題...
查看詳細(xì) >>信號(hào)完整性--系統(tǒng)化設(shè)計(jì)方法及案例分析 信號(hào)完整性是內(nèi)嵌于PCB設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)必備內(nèi)容,無(wú)論高速板還是低速板或多或少都會(huì)涉及信號(hào)完整性問題。仿真或者guideline的確可以解決部分問題,但無(wú)法覆蓋全部風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn),對(duì)高危風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)失去控制經(jīng)常導(dǎo)致設(shè)計(jì)失敗,保證設(shè)計(jì)成功需要系統(tǒng)化的設(shè)計(jì)方法。許多工程師對(duì)信號(hào)完整性知識(shí)有所了解,但干活時(shí)卻無(wú)處...
查看詳細(xì) >>DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試 DDR總線參考時(shí)鐘或時(shí)鐘總線的測(cè)試變得越來(lái)越復(fù)雜,主要測(cè)試內(nèi)容可以分為兩方面:波形參數(shù)和抖動(dòng)。波形參數(shù)主要包括:Overshoot(過(guò)沖);Undershoot(下沖);SlewRate(斜率);RiseTime(上升時(shí)間)和FallTime(下降時(shí)間);高低時(shí)間;DutyCycle(占空比失真)等,...
查看詳細(xì) >>LPDDR4具備多通道結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)并行存取,提高內(nèi)存帶寬和性能。LPDDR4通常采用雙通道(DualChannel)或四通道(QuadChannel)的配置。在雙通道模式下,LPDDR4的存儲(chǔ)芯片被分為兩個(gè)的通道,每個(gè)通道有自己的地址范圍和數(shù)據(jù)總線??刂破骺梢酝瑫r(shí)向兩個(gè)通道發(fā)送讀取或?qū)懭胫噶?,并通過(guò)兩個(gè)的數(shù)據(jù)總線并行傳輸數(shù)據(jù)。這樣可以實(shí)現(xiàn)對(duì)...
查看詳細(xì) >>LPDDR4是低功耗雙數(shù)據(jù)率(Low-PowerDoubleDataRate)的第四代標(biāo)準(zhǔn),主要用于移動(dòng)設(shè)備的內(nèi)存存儲(chǔ)。其主要特點(diǎn)如下:低功耗:LPDDR4借助新一代電壓引擎技術(shù),在保持高性能的同時(shí)降低了功耗。相比于前一代LPDDR3,LPDDR4的功耗降低約40%。更高的帶寬:LPDDR4增加了數(shù)據(jù)時(shí)鐘速度,每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可以傳輸更多的...
查看詳細(xì) >>實(shí)現(xiàn)并行存取的關(guān)鍵是控制器和存儲(chǔ)芯片之間的協(xié)議和時(shí)序控制??刂破餍枰軌蜃R(shí)別和管理不同通道之間的地址和數(shù)據(jù),確保正確的通道選擇和數(shù)據(jù)流。同時(shí),存儲(chǔ)芯片需要能夠接收和處理來(lái)自多個(gè)通道的讀寫請(qǐng)求,并通過(guò)相應(yīng)的通道進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。需要注意的是,具體應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)并行存取需要硬件和軟件的支持。系統(tǒng)設(shè)計(jì)和配置需要根據(jù)LPDDR4的規(guī)范、技術(shù)要求以及所使用...
查看詳細(xì) >>LPDDR4的延遲取決于具體的時(shí)序參數(shù)和工作頻率。一般來(lái)說(shuō),LPDDR4的延遲比較低,可以達(dá)到幾十納秒(ns)的級(jí)別。要測(cè)試LPDDR4的延遲,可以使用專業(yè)的性能測(cè)試軟件或工具。以下是一種可能的測(cè)試方法:使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)試設(shè)備和測(cè)試環(huán)境,包括一個(gè)支持LPDDR4的平臺(tái)或設(shè)備以及相應(yīng)的性能測(cè)試軟件。在測(cè)試軟件中選擇或配置適當(dāng)?shù)臏y(cè)試場(chǎng)景或設(shè)置。這...
查看詳細(xì) >>LPDDR4的性能和穩(wěn)定性在低溫環(huán)境下可能會(huì)受到影響,因?yàn)榈蜏貢?huì)對(duì)存儲(chǔ)器的電氣特性和物理性能產(chǎn)生一定的影響。具體地說(shuō),以下是LPDDR4在低溫環(huán)境下的一些考慮因素:電氣特性:低溫可能會(huì)導(dǎo)致芯片的電氣性能變化,如信號(hào)傳輸速率、信號(hào)幅值、電阻和電容值等的變化。這些變化可能會(huì)影響數(shù)據(jù)的傳輸速率、穩(wěn)定性和可靠性。冷啟動(dòng)延遲:由于低溫環(huán)境下電子元件...
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