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鋁蝕刻液是鋁蝕刻液STM-AL100。根據(jù)查詢相關信息顯示：鋁蝕刻液STM-AL100是一款專為蝕刻鋁目的去設計的化學品，STM-AL100的組成有主要蝕刻化學品，添加劑，輔助化學品，對于控制蝕刻均勻以及穩(wěn)定的蝕刻速率一定的效果，在長效性的表現(xiàn)上更是無話可說.在化學特性上，鋁金屬容易受到酸性以及堿性的化學品攻擊，本化學品設計上為酸性配方且完全可被水溶解，故無須再花額外的成本在廢水處理上.用在生產的用途可以調整藥液溫度來調整蝕刻速率，所以本化學品對于初次使用者來說，是簡單容易上手。蘇州性價比高的蝕刻液。揚州天馬用的蝕刻液蝕刻液 將裝置主體1內部的蝕刻液進行清洗，具有很好的清理作用。工作原理...

在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內的情況下，能夠調節(jié)添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以為使包含本發(fā)明的必須成分以及除此以外的其他成分的組合物總重量成為100重量％的余量。推薦可以按照本發(fā)明的組合物總重量的2～45重量％來包含。<選擇添加劑的方法、由此選擇的添加劑及利用其的蝕刻方法>此外，本發(fā)明提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*對上述氮化物膜選擇性蝕刻的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的...

如前文所述，必須避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題，因此，該復數(shù)個宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小，例如：孔徑a0小于3mm，即可因毛細現(xiàn)象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內的夾角θ等于該水滴與該第二擋板12的該上表面123所夾的接觸角θ4，而達到防止位于該第二擋板12的該上表面123的藥液51水滴經由該復數(shù)個宣泄孔121滴下至該基板20上(如圖9所示)。再者，請再參閱圖10至圖12所示，為本實用新型蝕刻設備其二較佳實施例的擋液板結構結合風刀裝置示意圖、其三較佳實施例的擋液板結構結合風刀裝置示意圖，以及宣泄孔的表面張力局部放大圖，其中該宣...

當該風刀裝置40的***風刀41與該第二風刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時，該氣體43碰到該擋液板結構10后部分會往該復數(shù)個宣泄孔121流動，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題；此外，為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題，因此，該復數(shù)個宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小，例如：孔徑a0小于3mm，即可因毛細現(xiàn)象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內的夾角θ等于該水滴與...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學品產品，廣泛應用于平板顯示、LED制造及半導體制造領域。隨著新技術的不斷進步，對該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎上我司自主進行了無氟，無硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā)，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產品特點：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩(wěn)定72H，常溫可穩(wěn)定120H；無暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結構不同膜厚度的機種。剝離液是用于光刻膠剝離用的...

鋁蝕刻液是鋁蝕刻液STM-AL100。根據(jù)查詢相關信息顯示：鋁蝕刻液STM-AL100是一款專為蝕刻鋁目的去設計的化學品，STM-AL100的組成有主要蝕刻化學品，添加劑，輔助化學品，對于控制蝕刻均勻以及穩(wěn)定的蝕刻速率一定的效果，在長效性的表現(xiàn)上更是無話可說.在化學特性上，鋁金屬容易受到酸性以及堿性的化學品攻擊，本化學品設計上為酸性配方且完全可被水溶解，故無須再花額外的成本在廢水處理上.用在生產的用途可以調整藥液溫度來調整蝕刻速率，所以本化學品對于初次使用者來說，是簡單容易上手。使用蝕刻液的時候需要注意的事項有哪些？合肥BOE蝕刻液蝕刻液批量定制 避免連接構件11的兩側與操作人員的手接觸...

并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由該復數(shù)個宣泄孔121落下造成該基板20的蝕刻不均等異常現(xiàn)象，確實達到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板而導致該基板20刮傷或破片風險等主要優(yōu)勢。該蝕刻設備1可進一步設置有一噴灑裝置50，該噴灑裝置50設置于該擋液板結構10的一端部，且該基板20設置于該擋液板結構10的下方約8毫米至15毫米之間，其中該噴灑裝置50用以噴灑一藥液51至該基板20上，以對該基板20進行一濕式蝕刻制程；由上述的說明，擋液板結構10的設置即是為了避免噴灑裝置50的藥液51繼續(xù)對已經完成蝕刻步驟的基板20再進行蝕刻制程，故仍舊會有少量的藥液51噴灑...

一種ito蝕刻液及其制備方法、應用方法技術領域1.本技術涉及化學蝕刻技術領域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應用方法。背景技術：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續(xù)給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術實現(xiàn)要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術難題，本技術提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應用方法。...

很好的對注入量進行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說明圖1為本實用新型的整體示意圖；圖2為本實用新型的a處放大示意圖；圖3為本實用新型的b處放大示意圖；圖4為本實用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，3、過濾除雜裝置，4、翻折觀察板，401、觀察窗翻折滾輪，402、內嵌觀察窗，5、裝置底座，6、成品罐，7、鹽酸裝罐，8、硝酸裝罐，9、熱水流入漏斗，10、加固支架，11、防燙隔膜，12、旋轉搖勻轉盤，13、運轉電機組，14、震蕩彈簧件，15、控制面板，16、致密防腐桿，17、攪動孔，18、注入量控制容器，19、注入量觀察刻度線，20、限...

可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉化為金屬銅，起到循環(huán)電解蝕刻液的作用；裝置主體1左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵19，抽氣泵19下方設置有集氣箱21，集氣箱21與抽氣泵19之間連接有排氣管20，電解池4下端連接有二號排液管22，二號排液管22內部上端設置有二號電磁閥23，裝置主體1內部底端靠近左側設置有傾斜板24，裝置主體1前端表面靠近左上邊角位置設置有活動板25，分隔板2右端放置有蓄水箱26，蓄水箱26上端靠近右側連接有進水管27，回流管15下端連接有抽水管28，抽水管28內部上端設置有三號電磁閥29，裝置主體1前端表面靠近右側安裝有控制面板30，傾斜板24的傾斜角度設計為10°...

技術實現(xiàn)要素：本實用新型所解決的技術問題即在于提供一種擋液板結構與以之制備的蝕刻設備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產品損耗的擋液板結構與以之制備的蝕刻設備，主要借由具有復數(shù)個宣泄孔的擋液板結構搭配風刀裝置的硬體設計，有效使風刀裝置吹出的氣體得以經由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現(xiàn)象防止水滴由宣泄孔落下造成基板顯影不均等異?，F(xiàn)象，確實達到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導致的基板刮傷或破片風險等主要優(yōu)勢。本實用新型所采用的技術手段如下所述。為了達到上述的實施目的，本實用新型提出一種擋液板結構，適用于一濕式蝕刻機，擋液板...

在上述硅烷系偶聯(lián)劑的含量處于上述含量范圍內的情況下，能夠調節(jié)添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發(fā)明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以為使包含本發(fā)明的必須成分以及除此以外的其他成分的組合物總重量成為100重量％的余量。推薦可以按照本發(fā)明的組合物總重量的2～45重量％來包含。<選擇添加劑的方法、由此選擇的添加劑及利用其的蝕刻方法>此外，本發(fā)明提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*對上述氮化物膜選擇性蝕刻的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學品產品，廣泛應用于平板顯示、LED制造及半導體制造領域。隨著新技術的不斷進步，對該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎上我司自主進行了無氟，無硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發(fā)，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產品特點：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩(wěn)定72H，常溫可穩(wěn)定120H；無暴沸現(xiàn)象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結構不同膜厚度的機種。哪家公司的蝕刻液的是口碑推...

提高反應體系的穩(wěn)定性。當體系中加入過氧化氫后有助于提高過氧化氫的穩(wěn)定性，避免由于過氧化氫分解而引發(fā)的，提高生產的安全性。具體實施方式下面結合實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產工藝，所述工藝包括以下步驟：第一步：將純水進行低溫處理，使純水溫度≤10℃在純水罐中備用；純水罐中設有通過電路控制的電磁閥，當純水溫度高于10℃時，電磁閥無法打開。第二步：配制和準備原料，將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應的原料罐中，經過過濾器循環(huán)過濾，備用；將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分...

本發(fā)明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術：以往，在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的過氧化氫、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所構成的水溶液將pH值調整為7至9。但是，含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問題，含有過氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩(wěn)定性的問題?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特許第4471094號說明書。技術實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問題本發(fā)明是鑒于所述實際情況而成，其目的在于...

所述有機硫化合物具有作為還原劑及絡合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物，例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N'-二烷基硫脲、N,N,N'-三烷基硫脲、N,N,N',N'-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N'-二苯基硫脲及亞乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并無特別限制，推薦為碳數(shù)1至4的烷基。這些硫酮系化合物中，推薦使用選自由作為還原劑或絡合劑的效果及水溶性優(yōu)異的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。作為所述硫醚系化合物，例如可舉出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯鹽酸鹽、乙硫氨酸、2-羥基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷...

對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。實施例一，請參閱圖1-4，本實用新型提供技術方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，包括裝置主體1、支撐腿2、電源線3和單片機4，裝置主體1的底端固定連接有支撐腿2，裝置主體1的后面一側底部固定連接有電源線3，裝置主體1的一側中間部位固定連接有控制器5，裝置主體1的內部底端一側固定連接有單片機4，裝置主體1的頂部一端固定連接有去離子水儲罐14，裝...

12、伸縮桿；13、圓環(huán)塊；14、連接桿；15、回流管；16、增壓泵；17、一號排液管；18、一號電磁閥；19、抽氣泵；20、排氣管；21、集氣箱；22、二號排液管；23、二號電磁閥；24、傾斜板；25、活動板；26、蓄水箱；27、進水管；28、抽水管；29、三號電磁閥；30、控制面板。具體實施方式下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。請參閱圖1-5，本發(fā)明提供一種技術方...

從蝕刻速度及安全性的觀點來看，推薦為40℃至70℃，更推薦為45℃至55℃。處理時間視對象物的表面狀態(tài)及形狀等而變化，通常為30秒至120秒左右。實施例然后，對本發(fā)明的實施例與比較例一起進行說明。此外，本發(fā)明并非限定于下述實施例而解釋。制備表1及表2所示的組成的各蝕刻液，在下述條件下進行蝕刻試驗及蝕刻液的穩(wěn)定性試驗。此外，表1及表2所示的組成的各蝕刻液中，剩余部分為離子交換水。另外，表1及表2所示的鹽酸的濃度為以氯化氫計的濃度。(蝕刻試驗)通過濺鍍法在樹脂上形成50nm的鈦膜，然后成膜200nm的銅膜，進而通過電鍍銅在該銅膜上形成圖案，將所得的基板用作試樣。使用銅的蝕刻液，將試樣的濺鍍...

etchingamount)的相互關系的圖表。具體實施方式本發(fā)明人確認了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿足特定參數(shù)值時能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明包括選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*將氮化物膜選擇性去除的能力優(yōu)異的添加劑的方法、由此選擇的添加劑、包含上述添加劑的蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。本發(fā)明中，蝕刻對象膜可以為氮化物膜，保護對象膜可以為氧化物膜。此外，本發(fā)明的上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯(lián)劑。<蝕刻液組合物>具體而言，本發(fā)明可以包含磷酸、...

當該風刀裝置40的***風刀41與該第二風刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時，該氣體43碰到該擋液板結構10后部分會往該復數(shù)個宣泄孔121流動，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現(xiàn)象，亦可達到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題；此外，為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題，因此，該復數(shù)個宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小，例如：孔徑a0小于3mm，即可因毛細現(xiàn)象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內的夾角θ等于該水滴與...

更推薦滿足。參照圖4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程，也能夠選擇具有目標防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護對...

所述制備裝置主體的內部中間部位活動連接有高效攪拌裝置，所述制備裝置主體的一側中間部位嵌入連接有翻折觀察板，所述制備裝置主體的底端固定連接有裝置底座，所述裝置底座的內部底部固定連接有成品罐，所述裝置底座的頂端一側固定連接有鹽酸裝罐，所述裝置底座的頂端另一側固定連接有硝酸裝罐，所述高效攪拌裝置的內部頂部中間部位活動連接有旋轉搖勻轉盤，所述高效攪拌裝置的內部頂部兩側活動連接有震蕩彈簧件，所述震蕩彈簧件的頂端固定連接有運轉電機組，所述運轉電機組的頂端電性連接有控制面板，所述高效攪拌裝置的內部中間部位固定連接有致密防腐桿，所述致密防腐桿的內部內側貫穿連接有攪動孔，所述鹽酸裝罐的內部一側嵌入連接有...

故仍舊會有少量的藥液51噴灑在擋液板結構10上而留下該藥液51的水滴，而該藥液51的水滴亦不能落入該基板20上，以避免基板20的蝕刻不均的現(xiàn)象產生；此外，該輸送裝置30用以承載并運送至少一該基板20于該濕式蝕刻機內運行，并接受濕式蝕刻的噴灑裝置50的制程運作，故該輸送裝置30具有一驅動機構以驅動該滾輪31轉動，以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風刀裝置40的該***風刀41下端部的方向移動。步驟三s3：使用一設置于該擋液板結構10下方的風刀裝置40對該基板20吹出一氣體43，以使該基板20干燥；在本實用新型其一較佳實施例中，該風刀裝置40設置于該擋液板結構10的一端部，該風刀...

更推薦滿足。參照圖4，在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程，也能夠選擇具有目標防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護對...

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鋁蝕刻液是鋁蝕刻液STM-AL100。根據(jù)查詢相關信息顯示：鋁蝕刻液STM-AL100是一款專為蝕刻鋁目的去設計的化學品，STM-AL100的組成有主要蝕刻化學品，添加劑，輔助化學品，對于控制蝕刻均勻以及穩(wěn)定的蝕刻速率一定的效果，在長效性的表現(xiàn)上更是無話可說.在化學特性上，鋁金屬容易受到酸性以及堿性的化學品攻擊，本化學品設計上為酸性配方且完全可被水溶解，故無須再花額外的成本在廢水處理上.用在生產的用途可以調整藥液溫度來調整蝕刻速率，所以本化學品對于初次使用者來說，是簡單容易上手。天馬微電子用哪家蝕刻液更多？綿陽銀蝕刻液蝕刻液報價 本實用涉及電子化學品生產設備技術領域，具體為高蝕刻速率無殘...

技術實現(xiàn)要素：本實用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，以解決上述背景技術中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問題。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機，所述裝置主體的底端固定連接有支撐腿，所述裝置主體的后面一側底部固定連接有電源線，所述裝置主體的一側中間部位固定連接有控制器，所述裝置主體的內部底端一側固定連接有單片機，所述裝置主體的頂部一端固定連接有去離子水儲罐，所述裝置主體的頂部一側固定連接有磷酸儲罐，所述磷酸儲罐的底部固定連接有攪拌倉，所述攪拌倉的內部頂部固定連接有攪拌電機，所述攪...

本實用涉及電子化學品生產設備技術領域，具體為高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置。背景技術：近年來，人們對半導體裝置、液晶顯示器的需求量不斷增加的同時，對于這些裝置所具有的配線、電極等的微小化、高性能化的要求也越來越嚴格，而蝕刻的效果能直接導致電路板制造工藝的好壞，影響高密度細導線圖像的精度和質量，為了解決蝕刻液組合物蝕刻鋁材料過程中，對蝕刻速率慢、難以控制蝕刻角度和不同金屬層的蝕刻量而造成的多層配線的半導體裝置的配線的斷路、短路，得到較高的成品率，為保證其穩(wěn)定性及蝕刻的平滑度及精度，在蝕刻液中需要加入多種組分，而常規(guī)的生產方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合。現(xiàn)有的高蝕刻速率...

所述裝置主體前端表面靠近左上邊角位置設置有活動板，所述分隔板右端放置有蓄水箱，所述蓄水箱上端靠近右側連接有進水管，所述回流管下端連接有抽水管，所述抽水管內部上端設置有三號電磁閥，所述裝置主體前端表面靠近右側安裝有控制面板。作為本發(fā)明的進一步方案，所述分隔板與承載板相互垂直設置，所述電解池內部底端的傾斜角度設計為5°。作為本發(fā)明的進一步方案，所述進液管的形狀設計為l型，且進液管貫穿分隔板設置在進液漏斗與伸縮管之間。作為本發(fā)明的進一步方案，所述圓環(huán)塊通過伸縮桿活動安裝在噴頭上方，且噴頭通過伸縮管活動安裝在電解池上方。作為本發(fā)明的進一步方案，所述回流管與進水管的形狀均設計為l型，所述傾斜板的...