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硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的測(cè)試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì)，通過(guò)光矩陣的光路切換，每一時(shí)刻在程序控制下都可以形成一個(gè)單獨(dú)的測(cè)試環(huán)路。其光路如圖1所示，光源出光包含兩個(gè)設(shè)備，調(diào)光過(guò)程使用ASE寬光源，以保證光路通過(guò)光芯片后總是出光，ASE光源輸出端接入1*N路耦合器；測(cè)試過(guò)程使用可調(diào)激光器，以掃描特定功率及特定波長(zhǎng)，激光器... 【查看詳情】

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)耦合掉電，是在耦合的過(guò)程中斷電致使設(shè)備連接不上的情況，如果電池電量不足或者使用程控電源時(shí)供電電壓過(guò)低、5V觸發(fā)電壓未接觸好、測(cè)試連接線不良等都會(huì)導(dǎo)致耦合掉電的現(xiàn)象。與此相似的耦合充電也是常見(jiàn)的故障之一，在硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)過(guò)程中，點(diǎn)擊HQ_CFS的“開始”按鈕進(jìn)行測(cè)試時(shí)一定要等到“請(qǐng)稍后”出現(xiàn)后才能插上USB進(jìn)行硅光... 【查看詳情】

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)，該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場(chǎng)環(huán)境下的宏/微觀變形測(cè)量子系統(tǒng)五個(gè)子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻，實(shí)現(xiàn)無(wú)液氦制冷，并通過(guò)傳導(dǎo)冷方式對(duì)杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：1、可視化杜瓦，可實(shí)現(xiàn)室溫~4.2K... 【查看詳情】

提到硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)，我們來(lái)認(rèn)識(shí)一下硅光子集。硅光子集成的工藝開發(fā)路線和目標(biāo)比較明確，困難之處在于如何做到與CMOS工藝的較大限度的兼容，從而充分利用先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備和工藝，同時(shí)需要關(guān)注個(gè)別工藝的特殊控制。硅光子芯片的設(shè)計(jì)目前還未形成有效的系統(tǒng)性的方法，設(shè)計(jì)流程沒(méi)有固化，輔助設(shè)計(jì)工具不完善，但基于PDK標(biāo)準(zhǔn)器件庫(kù)的設(shè)計(jì)方法正在逐步形成... 【查看詳情】

此在確認(rèn)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)耦合不過(guò)的前提下，可依次排除B殼天線、KB板和同軸線等內(nèi)部結(jié)構(gòu)的故障進(jìn)行維修。若以上一一排除，則是主板參數(shù)校準(zhǔn)的問(wèn)題，或者說(shuō)是主板硬件存在故障。耦合天線的種類比較多，有塔式、平板式、套筒式，常用的是自動(dòng)硅光芯片硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)。為防止外部環(huán)境的電磁干擾搭載屏蔽箱，來(lái)提高耦合直通率。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是... 【查看詳情】

針對(duì)不同的硅光芯片結(jié)構(gòu),我們提出并且實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合器,在實(shí)驗(yàn)中,我們得到了超過(guò)60%的光纖-波導(dǎo)耦合效率。此外,我們還開發(fā)了一款用以實(shí)現(xiàn)硅條形波導(dǎo)和狹縫波導(dǎo)之間高效耦合的新型耦合器應(yīng)用的系統(tǒng)主要是硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng),理論設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明該耦合器可以實(shí)現(xiàn)兩種波導(dǎo)之間的無(wú)損... 【查看詳情】

光學(xué)平臺(tái)的隔振性能取決于臺(tái)面本身和支架的隔振性能，總體上說(shuō)，光學(xué)平臺(tái)的隔振，通過(guò)三個(gè)方面來(lái)實(shí)現(xiàn)：隔振支架：通常來(lái)說(shuō)，氣浮式隔振支架性能優(yōu)于阻尼式隔振支架，部分性能優(yōu)異的隔振支架可以將外界振動(dòng)（常見(jiàn)10～200Hz）減少一至兩個(gè)數(shù)量級(jí)臺(tái)面物理性能：要求臺(tái)面有一定的剛性而且較輕（硬重比），這樣的臺(tái)面可以有效減少共振時(shí)的振幅，這一點(diǎn)在后面闡述臺(tái)... 【查看詳情】

經(jīng)過(guò)多年發(fā)展,硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)如今已經(jīng)成為受到普遍關(guān)注的熱點(diǎn)研究領(lǐng)域。利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學(xué)被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)高集成度光子芯片的較佳選擇。但是,硅光子學(xué)也有其固有的缺點(diǎn),比如缺乏高效的硅基有源器件,極低的光纖-波導(dǎo)耦合效率以及硅基波導(dǎo)明顯的偏振相關(guān)性等都制約著硅光子學(xué)的進(jìn)一步發(fā)展。針對(duì)這些問(wèn)題,試圖通過(guò)新的嘗試給出一些... 【查看詳情】

晶圓探針臺(tái)還可以在晶圓劃片線上執(zhí)行任何測(cè)試電路。一些公司從這些劃線測(cè)試結(jié)構(gòu)中獲得大部分有關(guān)器件性能的信息。當(dāng)特定芯片的所有測(cè)試圖案都通過(guò)時(shí)，它的位置會(huì)被記住，以便以后在IC封裝過(guò)程中使用。有時(shí)，芯片有內(nèi)部備用資源可用于修復(fù)（即閃存IC）；如果它沒(méi)有通過(guò)某些測(cè)試模式，則可以使用這些備用資源。如果故障管芯的冗余是不可能的，則管芯被認(rèn)為有故障并... 【查看詳情】

探針臺(tái)是半導(dǎo)體（包括集成電路、分立器件、光電器件、傳感器）行業(yè)重要的檢測(cè)裝備之一，其普遍應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。探針臺(tái)用于晶圓加工之后、封裝工藝之前的CP測(cè)試環(huán)節(jié)，負(fù)責(zé)晶圓的輸送與定位，使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個(gè)測(cè)試。在半導(dǎo)體器件與集成電路制造工藝中，從單晶硅棒... 【查看詳情】

盡管半導(dǎo)體測(cè)試探針國(guó)產(chǎn)化迫在眉睫，但從技術(shù)的角度來(lái)看，要想替代進(jìn)口產(chǎn)品卻并不容易。業(yè)內(nèi)人士指出，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體測(cè)試探針還只能用于要求不高的測(cè)試需求，比如可靠性測(cè)試國(guó)產(chǎn)探針可以替代很多，但功能性測(cè)試和性能測(cè)試還有待突破。彈簧測(cè)試探針主要的技術(shù)是精微加工和組裝能力，涉及精微加工設(shè)備、經(jīng)驗(yàn)、工藝能力缺一不可。值得注意的是，由于半導(dǎo)體測(cè)試探針市場(chǎng)一直... 【查看詳情】

探針臺(tái)市場(chǎng)逐年增長(zhǎng)：半導(dǎo)體測(cè)試對(duì)于良率和品質(zhì)控制至關(guān)重要，是必不可少的環(huán)節(jié)，主要涉及兩種測(cè)試（CP測(cè)試、FT測(cè)試等）、三種設(shè)備（探針臺(tái)、測(cè)試機(jī)、分選機(jī)等）。根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)線投資配置規(guī)律，測(cè)試設(shè)備在半導(dǎo)體設(shè)備投資的占比約為8%，次于晶圓制造裝備，其中測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)的占比分別為63.10%、17.40%、15.20%。中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)飛速... 【查看詳情】