無極性電容體積小，價格低，高頻特性好，但它不適合做大容量。像瓷片電容、獨石電容、聚乙烯(CBB)電容等都是，瓷片電容一般用在高頻濾波、震蕩電路中比較多。磁介電容是以陶瓷材料為介子，并在表面燒上銀層作為電極的電容器。磁介電容器性能穩(wěn)定。損耗，漏電都很小，適合于高頻高壓電路中應(yīng)用。一般而言，電容兩極間的絕緣材料，介電常數(shù)大的(如鐵電陶瓷，電解液)適合于制作大容量小體積的電容，但損耗也大。介電常數(shù)小的(如陶瓷)損耗小，適合于高頻應(yīng)用。MLCC可適用于各種電路，如振蕩電路、定時或延時電路、耦合電路、往耦電路、平濾濾波電路、抑制高頻噪聲等?；窗蔡沾呻娊怆娙輧r格
用過液體電解電容的玩家可能知道一件事。如果長時間使用液體電解電容器，它們的使用壽命將不會持久。一旦使用壽命達(dá)到失效，很容易。雖然是，但也沒那么可怕，只是因為后電解液溢出來了。但是當(dāng)它爆裂的時候，你會聽到轟的一聲，聽起來很可怕。所以固態(tài)電容的優(yōu)勢在于穩(wěn)定性好，阻抗低，環(huán)保。液體電解電容具有性價比高、耐壓高的優(yōu)點。如果不看價格，那么固體電容器其實比液體電解電容器好很多。因為液體電解電容失效時容易炸，所以頂部往往有“K”或“的防爆槽，而固體電容通常沒有。泰州電感器MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是片式多層陶瓷電容器英文縮寫。
鉭電容器成本高?？纯次覀兊奶詫毦椭?00uF鉭電容和100uF陶瓷電容的價格差了。鉭電容的價格是陶瓷電容的10倍左右。如果電容要求小于100uF，大多數(shù)情況下，如果滿足耐壓，我們通常需要陶瓷電容。陶瓷電容器的封裝大于1206大容量或高耐壓時盡量慎重選擇。片式陶瓷電容器的主要失效形式是斷裂(封裝越大越容易失效):片式陶瓷電容器常見的失效形式是斷裂，這是由片式陶瓷電容器本身介質(zhì)的脆性決定的。由于片式陶瓷電容焊接直接在電路板上，直接承受來自電路板的各種機(jī)械應(yīng)力，而鉛制陶瓷電容可以通過引腳吸收來自電路板的機(jī)械應(yīng)力。因此，對于片式陶瓷電容器，由于熱膨脹系數(shù)不同或電路板彎曲，
不同電容容量，不同的結(jié)構(gòu)原則上，不考慮前列放電，任何形狀的電容器都可以在環(huán)境中使用。常用的電解電容器(帶極性電容器)是圓形的，方形的很少用。非極性電容器的形狀多種多樣。如管式、異形矩形、片狀、方形、圓形、組合方形和圓形等。取決于它們的使用場合。當(dāng)然還有隱形。這里的隱形指的是分布電容。在高頻和中頻設(shè)備中，分布電容是不可忽視的。使用環(huán)境和目的在家電維修中，以上都能遇到。要想通俗易懂，還得自己琢磨。這里只是參考，請指正。極性電容器(如鋁電解)由于其內(nèi)部的材料和結(jié)構(gòu)，可以大容量使用，但高頻特性不好，適用于電力濾波等場合，但有高頻特性好的極性電容器——鉭電解，價格相對較貴。陶瓷電容較坑的失效就是短路了，一旦陶瓷電容短路，產(chǎn)品無法正常使用，危害非常大。
內(nèi)部電極通過逐層堆疊，增加電容兩極板的面積，從而增加電容容量。陶瓷介質(zhì)是內(nèi)部填充介質(zhì)，不同介質(zhì)制成的電容器具有不同的特性，如容量大、溫度特性好、頻率特性好等等，這也是陶瓷電容器種類繁多的原因。陶瓷電容器基本參數(shù)：電容的單位:電容的基本單位是F(法)，此外還有F(微法)、nF、pF(微微法)。因為電容F的容量很大，所以我們通常看到的是F、nF、pF的單位，而不是F。它們之間的具體轉(zhuǎn)換如下：1F＝1000000μF1μF=1000nF=1000000pFMLCC由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢，其ESR和ESL都具備獨特優(yōu)勢。所以陶瓷電容具備更好的高頻特性。上海鉭電容器廠家
MLCC 產(chǎn)業(yè)的下游幾乎涵蓋了電子工業(yè)全領(lǐng)域，如消費電子、工業(yè)、通信、汽車等?；窗蔡沾呻娊怆娙輧r格
一般來說，它是一個去耦電容?；蛘邤?shù)字電路通斷時，對電源影響很大，造成電源波動，需要用電容去耦。通常，容量是芯片開關(guān)頻率的倒數(shù)。如果頻率為1MHz，選擇1/1M，即1uF。你可以拿一個大一點的。比較好有芯片和去耦電容，電源處應(yīng)該有，用的量還是蠻大的。在一般設(shè)計中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF進(jìn)行電源去耦。在實際應(yīng)用中如何選擇它們？根據(jù)不同的功率輸出或后續(xù)電路？通常并聯(lián)兩個電容就夠了，但在某些電路中并聯(lián)更多的電容可能會更好。不同電容值的電容器并聯(lián)可以在很寬的頻率范圍內(nèi)保證較低的交流阻抗。在運算放大器的電源抑制(PSR)能力下降的頻率范圍內(nèi)，電源旁路尤為重要。電容可以補償放大器PSR的下降。在很寬的頻率范圍內(nèi)，這種低阻路徑可以保證噪聲不進(jìn)入芯片?；窗蔡沾呻娊怆娙輧r格
