隨著頻率的升高，容抗下降、感抗上升，容抗等于感抗并相互抵消時(shí)的頻率為鋁電解電容器的諧振頻率，這時(shí)的阻抗比較低，只剩下ESR。如果ESR為零，則這時(shí)的阻抗也為零；頻率繼續(xù)上升，感抗開(kāi)始大于容抗，當(dāng)感抗接近于ESR時(shí)，阻抗頻率特性開(kāi)始上升，呈感性，從這個(gè)頻率開(kāi)始以上的頻率下電容器時(shí)間上就是一個(gè)電感。由于制造工藝的原因，電容量越大，寄生電感也越大，諧振頻率也越低，電容器呈感性的頻率也越低。這就要求它在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的工作頻段內(nèi)要有低的等效阻抗，同時(shí)，對(duì)于電源內(nèi)部，由于半導(dǎo)體器件開(kāi)始工作所產(chǎn)生高達(dá)數(shù)百千赫的尖峰噪聲，亦能有良好的濾波作用，一般低頻用普通電解電容器在10kHz左右，其阻抗便開(kāi)始呈現(xiàn)感性，無(wú)法滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)電源使用要求。電容器的電容量在數(shù)值上等于一個(gè)導(dǎo)電極板上的電荷量與兩個(gè)極板之間的電壓之比。南京片式電容規(guī)格

MLCC除有電容器“隔直通交”的通性特點(diǎn)外，其還有體積小，比容大，壽命長(zhǎng)，可靠性高，適合表面安裝等特點(diǎn)。隨著世界電子行業(yè)的飛速發(fā)展，作為電子行業(yè)的基礎(chǔ)元件，片式電容器也以驚人的速度向前發(fā)展，每年以10%～15%的速度遞增。目前，世界片式電容的需求量在2000億支以上，70%出自日本（如MLCC大廠(chǎng)村田muRata），其次是歐美和東南亞（含中國(guó)）。隨著片容產(chǎn)品可靠性和集成度的提高，其使用的范圍越來(lái)越廣，普遍地應(yīng)用于各種軍民用電子整機(jī)和電子設(shè)備。如電腦、電話(huà)、程控交換機(jī)、精密的測(cè)試儀器、雷達(dá)通信等。南京陶瓷貼片電容哪家好鉭電容的容值的溫度穩(wěn)定性比較好。

鋁電解電容器的擊穿是由于陽(yáng)極氧化鋁介質(zhì)膜破裂，導(dǎo)致電解液與陽(yáng)極直接接觸。氧化鋁膜可能由于各種材料、工藝或環(huán)境條件而局部損壞。在外加電場(chǎng)的作用下，工作電解液提供的氧離子可以在受損部位重新形成氧化膜，從而對(duì)陽(yáng)極氧化膜進(jìn)行填充和修復(fù)。但如果受損部位有雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填充修復(fù)工作不完善，陽(yáng)極氧化膜上會(huì)留下微孔，甚至可能成為通孔，使鋁電解電容器擊穿。陽(yáng)極氧化膜不夠致密牢固等工藝缺陷，后續(xù)鉚接工藝不好時(shí)，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，這些刺破的部位漏電流很大，局部過(guò)熱導(dǎo)致電容產(chǎn)生熱擊穿。

共燒技術(shù)(陶瓷粉料和金屬電極共燒)，MLCC元件結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，由陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極金屬層和外電極三層金屬層構(gòu)成。MLCC是由多層陶瓷介質(zhì)印刷內(nèi)電極漿料，疊合共燒而成。為此，不可避免地要解決不同收縮率的陶瓷介質(zhì)和內(nèi)電極金屬如何在高溫?zé)珊蟛粫?huì)分層、開(kāi)裂，即陶瓷粉料和金屬電極共燒問(wèn)題。共燒技術(shù)就是解決這一難題的關(guān)鍵技術(shù)，掌握好的共燒技術(shù)可以生產(chǎn)出更薄介質(zhì)(2μm以下)、更高層數(shù)(1000層以上)的MLCC。當(dāng)前日本公司在MLCC燒結(jié)設(shè)備技術(shù)方面早于其它各國(guó)，不僅有各式氮?dú)夥崭G爐(鐘罩爐和隧道爐)，而且在設(shè)備自動(dòng)化、精度方面有明顯的優(yōu)勢(shì)。電容器外殼、輔助引出端子與正、負(fù)極 以及電路板間必須完全隔離。

電解電容器在電子電路中是必不可少的。而且隨著電子設(shè)備的小型化，越來(lái)越要求電解電容器具有更好的頻率特性、更低的ESR、更低的阻抗、更低的ESL、更高的耐壓和無(wú)鉛，這也是電解電容器未來(lái)的發(fā)展方向。采用鈮、鈦等新型介電材料，改進(jìn)結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)電容器的小型化和大容量化。通過(guò)開(kāi)發(fā)和優(yōu)化新型電解質(zhì)的工藝和結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)低ESR和低ESL，產(chǎn)品將向更高電壓方向發(fā)展。在日新月異的信息技術(shù)領(lǐng)域，電容永遠(yuǎn)是關(guān)鍵元件之一。我們將應(yīng)用新技術(shù)和新材料，不斷開(kāi)發(fā)高性能電容器，以滿(mǎn)足信息時(shí)代的需求。鋁電解電容器由于在負(fù)荷工作過(guò)程中電解液不斷修補(bǔ)并增厚陽(yáng)極氧化膜（稱(chēng)為補(bǔ)形效應(yīng)），會(huì)導(dǎo)致電容量的下降。廣東片式多層陶瓷電容器廠(chǎng)家

大容量低耐壓鉭電容的替代產(chǎn)品：高分子聚合物固體鋁電解電容器。南京片式電容規(guī)格

電容允許偏差：這個(gè)上期我們講安規(guī)電容的作用時(shí)又提起過(guò)，顧名思義，這就是電容的較大允許偏差范圍。常用的容量誤差為：J表示允許偏差±5%,K表示允許偏差±10%,M表示允許偏差±20%。額定工作電壓：在電路中能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定、可靠地工作，并能承受較大直流電壓，也叫耐壓。對(duì)結(jié)構(gòu)、容量一樣的電子器件，耐壓越高，體積越大。損耗：貼片陶瓷電容在電場(chǎng)的作用下，由于每單位時(shí)間產(chǎn)生熱量而消耗能量。這種損失主要來(lái)源于介質(zhì)損失和金屬損失。一般都是以損耗角正切值表示的。上述就是關(guān)于貼片陶瓷電容的一些基本常識(shí)，想要了解更多電容相關(guān)咨詢(xún)的，可關(guān)注江蘇芯聲微電子科技。南京片式電容規(guī)格