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電容基本參數(shù)
  • 品牌
  • 芯聲
  • 型號(hào)
  • 齊全
  • 介質(zhì)材料
  • 高頻瓷介,半導(dǎo)體瓷,低頻瓷介
  • 工作電壓
  • 高壓,中壓,低壓
  • 用途
  • 諧振,溫度補(bǔ)償,旁路,濾波,隔直流,耦合,放大信
  • 調(diào)節(jié)方式
  • 固定,微調(diào),可變
  • 廠家
  • 江蘇芯聲微電子科技有限公司
電容企業(yè)商機(jī)

當(dāng)電容器的內(nèi)部連接性能惡化或失效時(shí),通常會(huì)出現(xiàn)開路。電氣連接的惡化可能是由腐蝕、振動(dòng)或機(jī)械應(yīng)力引起的。鋁電解電容器在高溫或濕熱環(huán)境下工作時(shí),陽(yáng)極引出箔可能因電化學(xué)腐蝕而斷裂。陽(yáng)極引出箔與陽(yáng)極箔接觸不良也會(huì)造成電容器間歇性開路。1)在工作初期,鋁電解電容器的電解液在負(fù)載工作過程中會(huì)不斷修復(fù)和增厚陽(yáng)極氧化膜(稱為填形效應(yīng)),導(dǎo)致電容下降。2)在使用后期,由于電解液損耗大,溶液變稠,電阻率增大,增加了等效串聯(lián)電阻和電解液損耗。同時(shí),隨著溶液粘度的增加,鋁箔表面不均勻的氧化膜難以充分接觸,減少了電解電容器的有效極板面積,導(dǎo)致電容量下降。此外,在低溫下工作時(shí),電解液的粘度也會(huì)增加,導(dǎo)致電解電容損耗增加,電容下降。當(dāng)電容器內(nèi)部的連接性能變差或失效時(shí),通常就會(huì)發(fā)生開路。北京鉭電容批發(fā)

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片式多層陶瓷電容器,獨(dú)石電容,片式電容,貼片電容)MLCC的優(yōu)點(diǎn):1、由于使用多層介質(zhì)疊加的結(jié)構(gòu),高頻時(shí)電感非常低,具有非常低的等效串聯(lián)電阻,因此可以使用在高頻和甚高頻電路濾波無對(duì)手;2、無極性,可以使用在存在非常高的紋波電路或交流電路;3、使用在低阻抗電路不需要大幅度降額;4、擊穿時(shí)不燃燒,安全性高。所有都用陶瓷為介質(zhì)的電容器都叫陶瓷電容,絕大部分的人都是根據(jù)貼片、插件來稱呼,但是這個(gè)稱呼不是很統(tǒng)一,還有很多人是根據(jù)形狀來稱呼,如片狀陶瓷電容、圓形陶瓷電容、管形陶瓷電容等。對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備而言,貼片陶瓷電容非常重要,否則,那些采用較新微細(xì)加工技術(shù)制造的微處理器、DSP、微機(jī)、FPGA等半導(dǎo)體器件,將會(huì)失去正常工作,所以我們?cè)谶x擇貼片陶瓷電容的時(shí)候要慎重,南通片式多層陶瓷電容器常用陶瓷電容容量范圍:0.5pF~100uF。

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旁路某些設(shè)計(jì)的電路,雙通道(大電容小電容)或多通道(三個(gè)以上小電容組成),一般用在比效率更高的dsp中,為了使頻率特性更好。)在電容的接地端,(地線的寬度和一次噪聲會(huì)造成頻率特性),比如ccd布局中的旁路,要測(cè)量電容接地端的紋波。這是指近端。為了濾除DC饋線中的所有交流分量,可以并聯(lián)不同的電容器。低頻濾波要求電容大,但引線電感不適合高頻濾波,高頻濾波要求電容小,不適合低頻濾波。如果并聯(lián),可以同時(shí)濾除高頻和低頻。有些濾波電路并聯(lián)使用三個(gè)電容,分別是電解電容、紙電容和云母電容,分別濾除工頻、音頻和射頻。并聯(lián)電容器的esr也將更小。然后電路圖中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)一排排電容,大部分是0.1uf和10uf。你如何計(jì)算大小和數(shù)量?

鉭電容器成本高??纯次覀兊奶詫毦椭?00uF鉭電容和100uF陶瓷電容的價(jià)格差了。鉭電容的價(jià)格是陶瓷電容的10倍左右。如果電容要求小于100uF,大多數(shù)情況下,如果滿足耐壓,我們通常需要陶瓷電容。陶瓷電容器的封裝大于1206大容量或高耐壓時(shí)盡量慎重選擇。片式陶瓷電容器的主要失效形式是斷裂(封裝越大越容易失效):片式陶瓷電容器常見的失效形式是斷裂,這是由片式陶瓷電容器本身介質(zhì)的脆性決定的。由于片式陶瓷電容焊接直接在電路板上,直接承受來自電路板的各種機(jī)械應(yīng)力,而鉛制陶瓷電容可以通過引腳吸收來自電路板的機(jī)械應(yīng)力。因此,對(duì)于片式陶瓷電容器,由于熱膨脹系數(shù)不同或電路板彎曲,鉭電容器的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。

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鉭電容以后會(huì)用完了,有錢也買不到。早在2007年,美國(guó)后勤管理局(DLA)就已經(jīng)儲(chǔ)存了大量鉭礦石長(zhǎng)達(dá)十余年。為了完成美國(guó)國(guó)會(huì)的會(huì)議決定,該組織將用盡其擁有的14萬磅鉭材料。來自美國(guó)后勤管理局的鉭礦石買家已經(jīng)包括HCStarck、DMChemi-Met、ABSAlloyCompany、Umicore、UlbaMetallurgicalCompany和MitsuiMiningCompany,它們表示著許多將這些鉭礦石加工成電容器級(jí)粉末、鉭產(chǎn)品的磨損部件或切割工具的公司。從美國(guó)物流局購(gòu)買這些鉭礦石的競(jìng)標(biāo)者傳統(tǒng)上是年復(fù)一年一致的,以至于當(dāng)鉭礦石供應(yīng)變得緊張時(shí),一些公司不得不搶新的礦石供應(yīng)來源,因?yàn)槊绹?guó)物流局的供應(yīng)耗盡了。當(dāng)鋁電解電容在高溫或潮熱的環(huán)境中工作時(shí),陽(yáng)極引出箔片可能會(huì)由于遭受電化學(xué)腐蝕而斷裂。鎮(zhèn)江高壓貼片電容生產(chǎn)廠家

電容作為基本元器件之一,實(shí)際生產(chǎn)的電容都不是理想的,會(huì)有寄生電感,等效串聯(lián)電阻存在。北京鉭電容批發(fā)

鋁電解電容器的擊穿是由于陽(yáng)極氧化鋁介質(zhì)膜破裂,導(dǎo)致電解液與陽(yáng)極直接接觸。氧化鋁膜可能由于各種材料、工藝或環(huán)境條件而局部損壞。在外加電場(chǎng)的作用下,工作電解液提供的氧離子可以在受損部位重新形成氧化膜,從而對(duì)陽(yáng)極氧化膜進(jìn)行填充和修復(fù)。但如果受損部位有雜質(zhì)離子或其他缺陷,使填充修復(fù)工作不完善,陽(yáng)極氧化膜上會(huì)留下微孔,甚至可能成為通孔,使鋁電解電容器擊穿。陽(yáng)極氧化膜不夠致密牢固等工藝缺陷,后續(xù)鉚接工藝不好時(shí),引出箔上的毛刺刺破氧化膜,這些刺破的部位漏電流很大,局部過熱導(dǎo)致電容產(chǎn)生熱擊穿。北京鉭電容批發(fā)

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