根據(jù)經(jīng)驗(yàn),在電路的總電源原理圖中,設(shè)計(jì)原理圖時(shí)把這些電容畫在一起,因?yàn)槭峭粋€(gè)網(wǎng)絡(luò),而在設(shè)計(jì)實(shí)際PCB時(shí),這些電容分別放在各自的ic上。電容越大,信號(hào)頻率越高,電容的交流阻抗越小。電源(或信號(hào))或多或少會(huì)疊加一些交流高頻和低頻信號(hào),對(duì)系統(tǒng)不利。IC電源的引腳與地之間并聯(lián)放置電容,一般是為了濾除對(duì)系統(tǒng)不利的交流信號(hào)。10uf和0.1uf的電容配合使用,使電源(或信號(hào))對(duì)地的交流阻抗在很寬的頻率范圍內(nèi)很小,這樣可以更干凈地濾除交流分量。MLCC具有體積小、容量大、機(jī)械強(qiáng)度高、耐濕性好、內(nèi)感小、高頻特性好、可靠性高等一系列優(yōu)點(diǎn)。北京片式多層陶瓷電容器
當(dāng)電容器的內(nèi)部連接性能惡化或失效時(shí),通常會(huì)出現(xiàn)開路。電氣連接的惡化可能是由腐蝕、振動(dòng)或機(jī)械應(yīng)力引起的。鋁電解電容器在高溫或濕熱環(huán)境下工作時(shí),陽(yáng)極引出箔可能因電化學(xué)腐蝕而斷裂。陽(yáng)極引出箔與陽(yáng)極箔接觸不良也會(huì)造成電容器間歇性開路。1)在工作初期,鋁電解電容器的電解液在負(fù)載工作過程中會(huì)不斷修復(fù)和增厚陽(yáng)極氧化膜(稱為填形效應(yīng)),導(dǎo)致電容下降。2)在使用后期,由于電解液損耗大,溶液變稠,電阻率增大,增加了等效串聯(lián)電阻和電解液損耗。同時(shí),隨著溶液粘度的增加,鋁箔表面不均勻的氧化膜難以充分接觸,減少了電解電容器的有效極板面積,導(dǎo)致電容量下降。此外,在低溫下工作時(shí),電解液的粘度也會(huì)增加,導(dǎo)致電解電容損耗增加,電容下降。常州電感器多少錢MLCC成為使用數(shù)量較多的電容。
在開關(guān)電源輸出端用的濾波電容,與工頻電路中選用的濾波電容并不一樣,在工頻電路中用作濾波的普通電解電容器,其上的脈動(dòng)電壓頻率只有100Hz,充放電時(shí)間是毫秒數(shù)量級(jí),為獲得較小的脈動(dòng)系數(shù),需要的電容量高達(dá)數(shù)十萬微法,因而一般低頻用普通鋁電解電容器制造目標(biāo)是以提高電容量為主,電容器的電容量、損耗角正切值以及漏電流是鑒別其優(yōu)劣的主要參數(shù)。在開關(guān)穩(wěn)壓電源中作為輸出濾波用的電解電容器,由于大多數(shù)的開關(guān)電源工作在方波或矩形波的狀態(tài),含有及其豐富的高次諧波電壓與電流,其上鋸齒波電壓的頻率高達(dá)數(shù)十千赫,甚至數(shù)十兆赫,它的要求和低頻應(yīng)用時(shí)不同,電容量并不是主要指標(biāo),衡量它好壞的則是它的阻抗頻率特性。
共燒技術(shù)(陶瓷粉料和金屬電極共燒),MLCC元件結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單,由陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極金屬層和外電極三層金屬層構(gòu)成。MLCC是由多層陶瓷介質(zhì)印刷內(nèi)電極漿料,疊合共燒而成。為此,不可避免地要解決不同收縮率的陶瓷介質(zhì)和內(nèi)電極金屬如何在高溫?zé)珊蟛粫?huì)分層、開裂,即陶瓷粉料和金屬電極共燒問題。共燒技術(shù)就是解決這一難題的關(guān)鍵技術(shù),掌握好的共燒技術(shù)可以生產(chǎn)出更薄介質(zhì)(2μm以下)、更高層數(shù)(1000層以上)的MLCC。當(dāng)前日本公司在MLCC燒結(jié)設(shè)備技術(shù)方面早于其它各國(guó),不僅有各式氮?dú)夥崭G爐(鐘罩爐和隧道爐),而且在設(shè)備自動(dòng)化、精度方面有明顯的優(yōu)勢(shì)。片式鋁電解電容是沒有套管的,所以在鋁殼的底部印有容量、電壓、正負(fù)極等相關(guān)信息。
類陶瓷電容器類穩(wěn)定陶瓷介質(zhì)材料,如美國(guó)電氣工程協(xié)會(huì)(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的X7R、X5R和中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的CT系列(溫度系數(shù)為15.0%),不適用于定時(shí)、振蕩等溫度系數(shù)較高的場(chǎng)合。然而,因?yàn)榻殡娤禂?shù)可以做得非常大(高達(dá)1200),所以電容可以做得相對(duì)較大。一般1206貼片封裝的電容可以達(dá)到10F或者更高;類可用的陶瓷介質(zhì)材料如美國(guó)電氣工程協(xié)會(huì)(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的Z5U、Y5V和中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的CT系列低檔產(chǎn)品(溫度系數(shù)為22%、-56%的Z5U和22%、-82%的Y5V),這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化很大,不適用于定時(shí)、振蕩等高溫度系數(shù)的場(chǎng)合。但由于其介電系數(shù)可以做得很大(可達(dá)1000~12000),電容比可以做得更大,適用于一般工作環(huán)境溫度要求(-25~85)的耦合、旁路和濾波。一般1206表貼Z5U和Y5V介質(zhì)電容甚至可以達(dá)到100F,從某種意義上說是取代鉭電容的有力競(jìng)爭(zhēng)者。鉭電容的性能優(yōu)異,是電容器中體積小而又能達(dá)到較大電容量的產(chǎn)品。徐州片式多層陶瓷電容器規(guī)格
陶瓷電容的另外一個(gè)特性是其直流偏壓特性。北京片式多層陶瓷電容器
內(nèi)部電極通過逐層堆疊,增加電容兩極板的面積,從而增加電容容量。陶瓷介質(zhì)是內(nèi)部填充介質(zhì),不同介質(zhì)制成的電容器具有不同的特性,如容量大、溫度特性好、頻率特性好等等,這也是陶瓷電容器種類繁多的原因。陶瓷電容器基本參數(shù):電容的單位:電容的基本單位是F(法),此外還有F(微法)、nF、pF(微微法)。因?yàn)殡娙軫的容量很大,所以我們通??吹降氖荈、nF、pF的單位,而不是F。它們之間的具體轉(zhuǎn)換如下:1F=1000000μF1μF=1000nF=1000000pF北京片式多層陶瓷電容器