在膜片鉗技術(shù)的發(fā)展過(guò)程中主要形成了五種記錄模式，即細(xì)胞貼附模式（cell-attachedmode或loose-seal-cellattached mode）、膜內(nèi)面向外模式（inside-out mode）、膜外面向外模式（outside-out mode）、常規(guī)全細(xì)胞模式（conventional whole-cell mode）和穿孔膜片模式（perforated patch mode）。a.亞細(xì)胞水平：細(xì)胞貼附模式，可記錄通過(guò)電極下膜片中通道蛋白的離子電流(紅色虛線箭頭)。在全細(xì)胞膜片鉗中，膜片破裂，因此可以記錄全細(xì)胞的宏觀電流，它表示整個(gè)細(xì)胞的總和電流(藍(lán)色虛線箭頭)。b.細(xì)胞水平：來(lái)自神經(jīng)元不同部分的全細(xì)胞同步記錄可確定信號(hào)傳遞的方向。c.神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)水平：全細(xì)胞記錄可以在一個(gè)連接神經(jīng)元的小網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行。d.活物水平：可以在執(zhí)行任務(wù)或自由走動(dòng)的動(dòng)物大腦中進(jìn)行全細(xì)胞記錄?，F(xiàn)代膜片鉗技術(shù)是在電壓鉗技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。單電極膜片鉗廠家
ePatch的一些設(shè)計(jì)亮點(diǎn)還包括:可以在軟件中用數(shù)據(jù)記錄實(shí)驗(yàn)，不用帶專門的實(shí)驗(yàn)筆記本，也不用擔(dān)心這個(gè)筆記本上記錄的內(nèi)容找不到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，系統(tǒng)會(huì)一一對(duì)應(yīng)。電壓電流刺激模式的編輯就更蠢了。很多模塊可以直接拖拽，并配有樣圖，讓你對(duì)自己編輯的程序一目了然。實(shí)時(shí)全電池參數(shù)估計(jì)，包括強(qiáng)大的密封電阻、膜電容、膜電阻等重要參數(shù)在線分析功能，包括電壓鉗模式下的I/Vgraph、eventdetection、FFT，電流鉗模式下的APthresholddetection、APfrequency、APslope等數(shù)據(jù)可以多種格式保存。如果你是程序員，可以支持使用Matlab進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。如果沒有這樣的經(jīng)歷，就沒有問(wèn)題。數(shù)據(jù)可以保存為Clampfit，以便直接分析。芬蘭雙電極膜片鉗報(bào)價(jià)膜電導(dǎo)測(cè)定的依據(jù)是電學(xué)中的歐姆定律。
電壓鉗技術(shù)，是20世紀(jì)初由Cole發(fā)明，Hodgkin和Huxley完善，其設(shè)計(jì)的主要目的是為了證明動(dòng)作電位的產(chǎn)生機(jī)制，即動(dòng)作電位的峰電位是由于膜對(duì)鈉的通透性發(fā)生了一過(guò)性的增大過(guò)程。但當(dāng)時(shí)沒有直接測(cè)定膜通透性的方法，于是就用膜對(duì)某種離子的電導(dǎo)來(lái)**該種離子的通透性，膜電導(dǎo)測(cè)定的依據(jù)是電學(xué)中的歐姆定律，如膜的Na電導(dǎo)GNa與電化學(xué)驅(qū)動(dòng)力（Em-ENa）和膜電流INa的關(guān)系GNa=INa/（Em-ENa）.因此可通過(guò)測(cè)量膜電流，再利用歐姆定律來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo)，但是，利用膜電流來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo)時(shí)，記錄膜電流期間的膜電位必須保持不變，否則膜電流的變化就不能**膜電導(dǎo)的變化。這一條件是利用電壓鉗技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。下張幻燈中的右邊兩張圖是Hodgkin和Huxley在半個(gè)世紀(jì)以前利用電壓鉗記錄的搶烏賊的動(dòng)作電位和動(dòng)作電位過(guò)程中的膜電流的變化圖，他們的實(shí)驗(yàn)***證明參與動(dòng)作電位的離子流由Na，k，漏（Cl）三種成分組成。并對(duì)這些離子流進(jìn)行了定量分析。這一技術(shù)對(duì)闡明動(dòng)作電位的本質(zhì)和離子通道的的研究做出了極大的貢獻(xiàn)。
膜片鉗技術(shù)發(fā)展歷史：1976年德國(guó)馬普生物物理化學(xué)研究所Neher和Sakmann在青蛙肌細(xì)胞上用雙電極鉗制膜電位的同時(shí)，記錄到ACh啟動(dòng)的單通道離子電流，從而產(chǎn)生了膜片鉗技術(shù)。1980年Sigworth等在記錄電極內(nèi)施加5-50cmH2O的負(fù)壓吸引，得到10-100GΩ的高阻封接（Giga-seal），明顯降低了記錄時(shí)的噪聲實(shí)現(xiàn)了單根電極既鉗制膜片電位又記錄單通道電流的突破。1981年Hamill和Neher等對(duì)該技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn)，引進(jìn)了膜片游離技術(shù)和全細(xì)胞記錄技術(shù)，從而使該技術(shù)更趨完善，具有1pA的電流靈敏度、1μm的空間分辨率和10μs的時(shí)間分辨率。1983年10月，《Single-ChannelRecording》一書問(wèn)世，奠定了膜片鉗技術(shù)的里程碑。Sakmann和Neher也因其杰出的工作和突出貢獻(xiàn)，榮獲1991年諾貝爾醫(yī)學(xué)和生理學(xué)獎(jiǎng)。電壓鉗技術(shù)的主要在于將膜電位固定在指令電壓的水平，這樣才能研究在給定膜電位下膜電流隨時(shí)間的變化關(guān)系。
膜片鉗技術(shù)的發(fā)展∶全自動(dòng)膜片鉗技術(shù)（Automated patch clamp technique）的出現(xiàn)標(biāo)志著膜片鉗技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)嶄新階段，從這個(gè)意義上說(shuō)，前面所講的膜片鉗技術(shù)我們稱之為傳統(tǒng)膜片鉗技術(shù)（ Traditional patch clamp technique），傳統(tǒng)膜片鉗技術(shù)每次只能記錄一個(gè)細(xì)胞（或一對(duì)細(xì)胞），對(duì)實(shí)驗(yàn)人員來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)耗時(shí)耗力的工作，不適合在藥物開發(fā)初期和中期進(jìn)行大量化合物的篩選，也不適合需要記錄火量細(xì)胞的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)研究。全自動(dòng)膜片鉗技術(shù)的出現(xiàn)在很大程度上解決了這些問(wèn)題，它不僅通量高，一次能記錄幾個(gè)甚至幾十個(gè)細(xì)胞，而且從找細(xì)胞、形成封接、破膜等整個(gè)實(shí)驗(yàn)操作實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化，免除了這些操作的復(fù)雜與困難。這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)使得膜片鉗技術(shù)的工作效率提高了!全自動(dòng)膜片鉗技術(shù)采用的標(biāo)本必須是懸浮細(xì)胞，像腦片這類標(biāo)本無(wú)法采用。此外，全自動(dòng)膜片鉗技術(shù)只能進(jìn)行全細(xì)胞記錄模式、穿孔膜片鉗記錄模式以及細(xì)胞貼附式單通道記錄模式，而不能進(jìn)行其他模式的記錄。膜電位Vm由高輸入阻抗的電壓跟隨器所測(cè)量。雙電極膜片鉗實(shí)驗(yàn)操作
Eberwine等于1991年首先將膜片鉗技術(shù)與RT-PCR技術(shù)結(jié)合起來(lái)運(yùn)用。單電極膜片鉗廠家
把膜電位鉗位電壓調(diào)到-80--100mV，再用鉗位放大器的控制鍵把全細(xì)胞瞬態(tài)充電電流調(diào)定至零位（EPC-10的控制鍵稱為C-slow和C-series;Axopatch200標(biāo)為全細(xì)胞電容和系列電阻）。寫下細(xì)胞的電容值Cc和未補(bǔ)整的系列電阻值Rs，用于消除全細(xì)胞瞬態(tài)電流，計(jì)算鉗位的固定時(shí)間（即RsCc），然啟根據(jù)歐姆定律從測(cè)定脈沖電流的振幅算出細(xì)胞的電阻RC。緩慢調(diào)節(jié)Rs旋鈕注意測(cè)定脈沖反應(yīng)的變化，逐漸增加補(bǔ)整的比例。如果RS補(bǔ)整非常接近振蕩的閾值，RS或Cc的微細(xì)變化都會(huì)達(dá)到震蕩的閾值，產(chǎn)生電壓的振蕩而使細(xì)胞受損。因此應(yīng)當(dāng)在RS補(bǔ)整水平寫不穩(wěn)定閾值之間留有10%-20%的余地為安全。準(zhǔn)備資料收集和脈沖序列的測(cè)定。 單電極膜片鉗廠家
