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膜片鉗基本參數(shù)
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  • Patch Clamp
  • 型號(hào)
  • 型號(hào)齊全
膜片鉗企業(yè)商機(jī)

ePatch的設(shè)計(jì)的一些亮點(diǎn)還包括:可以在軟件中伴隨數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)記錄,你不用再專(zhuān)門(mén)拿一個(gè)實(shí)驗(yàn)記錄本了,也不用再擔(dān)心本本上記錄的內(nèi)容找不到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)了,系統(tǒng)會(huì)把他們一一對(duì)應(yīng)起來(lái)。電壓電流刺激模式的編輯更為傻瓜,眾多的模塊,直接拖拽就可以,還伴隨著示例圖,讓你對(duì)你編輯的程序一目了然。實(shí)時(shí)的全細(xì)胞參數(shù)估算,包括封接電阻,膜電容,膜電阻等重要參數(shù)強(qiáng)大的在線分析功能,包括電壓鉗模式下的I/Vgraph,eventdetection,F(xiàn)FT,以及電流鉗模式下的APthresholddetection,APfrequency,APslope等數(shù)據(jù)可保存成多種格式,你要是個(gè)程序達(dá)人,可以支持使用Matlab進(jìn)行數(shù)據(jù)分析,如果沒(méi)有這樣的經(jīng)驗(yàn)也沒(méi)有問(wèn)題,數(shù)據(jù)可以保存成.abf用的Clampfit直接分析。滔博生物膜片鉗實(shí)驗(yàn)外包,數(shù)據(jù)準(zhǔn)確,保結(jié)果。美國(guó)全細(xì)胞膜片鉗腦片

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電壓鉗技術(shù),是20世紀(jì)初由Cole發(fā)明,Hodgkin和Huxley完善,其設(shè)計(jì)的主要目的是為了證明動(dòng)作電位的產(chǎn)生機(jī)制,即動(dòng)作電位的峰電位是由于膜對(duì)鈉的通透性發(fā)生了一過(guò)性的增大過(guò)程。但當(dāng)時(shí)沒(méi)有直接測(cè)定膜通透性的方法,于是就用膜對(duì)某種離子的電導(dǎo)來(lái)**該種離子的通透性,膜電導(dǎo)測(cè)定的依據(jù)是電學(xué)中的歐姆定律,如膜的Na電導(dǎo)GNa與電化學(xué)驅(qū)動(dòng)力(Em-ENa)和膜電流INa的關(guān)系GNa=INa/(Em-ENa).因此可通過(guò)測(cè)量膜電流,再利用歐姆定律來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo),但是,利用膜電流來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo)時(shí),記錄膜電流期間的膜電位必須保持不變,否則膜電流的變化就不能**膜電導(dǎo)的變化。這一條件是利用電壓鉗技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。下張幻燈中的右邊兩張圖是Hodgkin和Huxley在半個(gè)世紀(jì)以前利用電壓鉗記錄的搶烏賊的動(dòng)作電位和動(dòng)作電位過(guò)程中的膜電流的變化圖,他們的實(shí)驗(yàn)***證明參與動(dòng)作電位的離子流由Na,k,漏(Cl)三種成分組成。并對(duì)這些離子流進(jìn)行了定量分析。這一技術(shù)對(duì)闡明動(dòng)作電位的本質(zhì)和離子通道的的研究做出了極大的貢獻(xiàn)。滔博生物TOP-Bright專(zhuān)注基于多種離子通道靶點(diǎn)的化合物體外篩選,服務(wù)于全球藥企的膜片鉗公司,快速獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果,專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì),7*34小時(shí)隨時(shí)人工在線咨詢(xún).雙電極膜片鉗參數(shù)國(guó)內(nèi)外質(zhì)優(yōu)膜片鉗機(jī)構(gòu),滔博生物,7*24小時(shí)隨時(shí)人工在線咨詢(xún).

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高阻封接問(wèn)題的解決不僅改善了電流記錄性能,還隨之出現(xiàn)了研究通道電流的多種膜片鉗方式。根據(jù)不同的研究目的,可制成不同的膜片構(gòu)型。細(xì)胞吸附膜片(cell-attachedpatch)將兩次拉制后經(jīng)加熱拋光的微管電極置于清潔的細(xì)胞膜表面上,形成高阻封接,在細(xì)胞膜表面隔離出一小片膜,既而通過(guò)微管電極對(duì)膜片進(jìn)行電壓鉗制,分辨測(cè)量膜電流,稱(chēng)為細(xì)胞貼附膜片。由于不破壞細(xì)胞的完整性,這種方式又稱(chēng)為細(xì)胞膜上的膜片記錄。此時(shí)跨膜電位由玻管固定電位和細(xì)胞電位決定。因此,為測(cè)定膜片兩側(cè)的電位,需測(cè)定細(xì)胞膜電位并從該電位減去玻管電位。從膜片的通道活動(dòng)看,這種形式的膜片是極穩(wěn)定的,因細(xì)胞骨架及有關(guān)代謝過(guò)程是完整的,所受的干擾小。

在心血管藥理研究中的應(yīng)用,隨著膜片鉗技術(shù)在心血管方面的廣泛應(yīng)用,對(duì)血管疾病和藥物作用的認(rèn)識(shí)不僅得到了不斷更新,而且在其病因?qū)W與藥理學(xué)方面還形成了許多新的觀點(diǎn)。正如諾貝爾基金會(huì)在頒獎(jiǎng)時(shí)所說(shuō):“Neher和Sadmann的貢獻(xiàn)有利于了解不同疾病機(jī)理,為研制新的更為的藥物開(kāi)辟了道路”。目前在離子通道高通量篩選中主要是進(jìn)行樣品量大、篩選速度占優(yōu)勢(shì)、信息量要求不太高的初級(jí)篩選。近幾年,分別形成了以膜片鉗和熒光探針為基礎(chǔ)的兩大主流技術(shù)市場(chǎng)。將電生理研究信息量大、靈敏度高等特點(diǎn)與自動(dòng)化、微量化技術(shù)相結(jié)合,產(chǎn)生了自動(dòng)化膜片鉗等一些新技術(shù)。滔博生物TOP-Bright專(zhuān)注基于多種離子通道靶點(diǎn)的化合物體外篩選,服務(wù)于全球藥企的膜片鉗公司,快速獲得實(shí)驗(yàn)結(jié)果,專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì),7*52小時(shí)隨時(shí)人工在線咨詢(xún).膜片鉗,讓您的離子通道研究更加得心應(yīng)手!

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    電壓鉗技術(shù),是20世紀(jì)初由Cole發(fā)明,Hodgkin和Huxley完善,其設(shè)計(jì)的主要目的是為了證明動(dòng)作電位的產(chǎn)生機(jī)制,即動(dòng)作電位的峰電位是由于膜對(duì)鈉的通透性發(fā)生了一過(guò)性的增大過(guò)程。但當(dāng)時(shí)沒(méi)有直接測(cè)定膜通透性的方法,于是就用膜對(duì)某種離子的電導(dǎo)來(lái)**該種離子的通透性,膜電導(dǎo)測(cè)定的依據(jù)是電學(xué)中的歐姆定律,如膜的Na電導(dǎo)GNa與電化學(xué)驅(qū)動(dòng)力(Em-ENa)和膜電流INa的關(guān)系GNa=INa/(Em-ENa).因此可通過(guò)測(cè)量膜電流,再利用歐姆定律來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo),但是,利用膜電流來(lái)計(jì)算膜電導(dǎo)時(shí),記錄膜電流期間的膜電位必須保持不變,否則膜電流的變化就不能**膜電導(dǎo)的變化。這一條件是利用電壓鉗技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。下張幻燈中的右邊兩張圖是Hodgkin和Huxley在半個(gè)世紀(jì)以前利用電壓鉗記錄的搶烏賊的動(dòng)作電位和動(dòng)作電位過(guò)程中的膜電流的變化圖,他們的實(shí)驗(yàn)***證明參與動(dòng)作電位的離子流由Na,k,漏(Cl)三種成分組成。并對(duì)這些離子流進(jìn)行了定量分析。這一技術(shù)對(duì)闡明動(dòng)作電位的本質(zhì)和離子通道的的研究做出了極大的貢獻(xiàn)。 探索離子通道的舞動(dòng),膜片鉗是您的科學(xué)利器!膜片鉗價(jià)格

膜片鉗技術(shù)實(shí)現(xiàn)了小片膜的孤立和高阻封接的形成,增寬了記錄頻帶范圍,提高了分辨率。美國(guó)全細(xì)胞膜片鉗腦片

向電極連續(xù)施加1mV、10~50ms的階躍脈沖,電極入水后電阻約為4~6mΩ。此時(shí),在計(jì)算機(jī)屏幕顯示框中可以看到測(cè)試脈沖產(chǎn)生的電流波形。剛開(kāi)始的時(shí)候增益不要設(shè)置太高,一般可以是1~5mV/PA,避免放大器飽和。由于細(xì)胞外液和電極液離子組成的差異導(dǎo)致液體接界電位,電極剛?cè)胨畷r(shí)測(cè)試波形的基線不在零線上。因此,需要將保持電壓設(shè)置為0mV,并調(diào)整“電極不平衡控制”,使電極DC電流接近于零。當(dāng)使用微操作器使電極靠近細(xì)胞時(shí),當(dāng)電極前緣接觸細(xì)胞膜時(shí),密封電阻指標(biāo)Rm會(huì)上升,當(dāng)電極輕微下壓時(shí),Rm指標(biāo)會(huì)進(jìn)一步上升。當(dāng)通過(guò)細(xì)塑料管對(duì)電極施加輕微負(fù)壓,且細(xì)胞膜特性良好時(shí),Rm一般會(huì)在1min內(nèi)迅速上升,直至形成Gω級(jí)高阻密封。一般在Rm達(dá)到100MΩ左右時(shí),在電極前端施加一個(gè)輕微的負(fù)電壓(-30~-30~-10mV),有利于gω密封的形成。此時(shí)的現(xiàn)象是電流波形再次變平,使電極從-40到-90mV超極化,有助于加速形成密封。為了確認(rèn)gωseal的形成,可以提高放大器的增益,因此可以觀察到除了脈沖電壓開(kāi)始和結(jié)束時(shí)的容性脈沖超前電流外,電流波形仍然是平坦的。美國(guó)全細(xì)胞膜片鉗腦片

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