光電二極管基于內(nèi)光電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)光信號到電信號的轉(zhuǎn)換。當(dāng) PN 結(jié)受光照射，光子激發(fā)電子 - 空穴對，在結(jié)區(qū)電場作用下形成光電流，反向偏置時效應(yīng)更。通過減薄有源層與優(yōu)化電極，響應(yīng)速度可達(dá)納秒級。 硅基型號（如 BPW34）在可見光區(qū)量子效率超 70%，用于光強(qiáng)檢測；PIN 型增大耗盡區(qū)寬度，在光纖通信中響應(yīng)度達(dá) 0.9A/W；雪崩型（APD）利用倍增效應(yīng)，可檢測單光子信號，用于激光雷達(dá)。 車載 ADAS 系統(tǒng)中，近紅外光電二極管（850-940nm）夜間可捕捉 200 米外目標(biāo)，推動其向高靈敏度、低噪聲發(fā)展，滿足自動駕駛與智能傳感需求。硅二極管以良好的熱穩(wěn)定性和較高的反向擊穿電壓，成為眾多電路的可靠選擇。天津本地二極管價位

占據(jù)全球 90% 市場份額的硅二極管，憑借 1.12eV 帶隙與成熟的平面鈍化工藝，成為通用。典型如 1N4007（1A/1000V）整流管，采用玻璃鈍化技術(shù)將漏電流控制在 0.1μA 以下，在全球超 10 億臺家電電源中承擔(dān)整流任務(wù)，其面接觸型結(jié)構(gòu)可承受 100℃高溫與 10 倍浪涌電流。TL431 可調(diào)基準(zhǔn)源通過內(nèi)置硅齊納結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn) ±0.5% 電壓精度與 25ppm/℃溫漂，被用于鋰電池保護(hù)板的過充檢測電路，在 3.7V 鋰電池系統(tǒng)中可將充電截止電壓誤差控制在 ±5mV 以內(nèi)。硅材料的規(guī)模化生產(chǎn)優(yōu)勢，8 英寸晶圓單片制造成本低于 1 美元，但其物理極限限制了高頻（＞100MHz）與超高壓（＞1200V）場景。天津本地二極管價位收音機(jī)中的二極管用于信號解調(diào)，讓我們能收聽到清晰的廣播節(jié)目。

穩(wěn)壓二極管的工作基礎(chǔ)是齊納擊穿效應(yīng)，主要用于反向偏置時的電壓穩(wěn)定。當(dāng)反向電壓達(dá)到特定值（齊納電壓），內(nèi)建電場強(qiáng)度足以直接拉斷半導(dǎo)體共價鍵，產(chǎn)生大量電子 - 空穴對，形成穩(wěn)定的擊穿電流。與通過碰撞電離引發(fā)的雪崩擊穿不同，齊納擊穿通常發(fā)生在較低電壓（小于 5V），且具有負(fù)溫度系數(shù)（如電壓隨溫度升高而降低）。通過串聯(lián)限流電阻控制電流在安全范圍（通常 5-50 毫安），可使輸出電壓穩(wěn)定在齊納電壓附近。例如 TL431 可調(diào)基準(zhǔn)源，通過外接電阻分壓，能在 2.5-36V 范圍內(nèi)提供高精度穩(wěn)定電壓，溫漂極低，常用于精密電源和電池保護(hù)電路。

1990 年代，寬禁帶材料掀起改變：碳化硅（SiC）二極管憑借 3.26eV 帶隙和 2.5×10? V/cm 擊穿場強(qiáng)，在電動汽車 OBC 充電機(jī)中實(shí)現(xiàn) 1200V 高壓整流，正向壓降 1.5V（硅基為 1.1V 但需更大體積），效率提升 5% 的同時體積縮小 40%；氮化鎵（GaN）二極管則在射頻領(lǐng)域稱雄，其電子遷移率達(dá)硅的 20 倍，在手機(jī)快充電路中支持 1MHz 開關(guān)頻率，使 100W 充電器體積較硅基方案減小 60%。寬禁帶材料不 突破物理極限，更推動二極管從 “通用元件” 向 “場景定制化” 轉(zhuǎn)型，成為新能源與通信改變的重要推手。金屬封裝二極管散熱性能優(yōu)越，適合在高功率、高熱環(huán)境下工作。

0.66eV 帶隙使鍺二極管導(dǎo)通電壓低至 0.2V，結(jié)電容可小至 0.5pF，曾是高頻通信的要點(diǎn)。2AP9 檢波管在 AM 收音機(jī)中解調(diào) 535-1605kHz 信號時，失真度＜3%，其點(diǎn)接觸型結(jié)構(gòu)通過金絲壓接形成 0.01mm2 的 PN 結(jié)，適合處理微安級電流。然而，鍺的熱穩(wěn)定性差（最高工作溫度 85℃）與 10μA 級別漏電流使其逐漸被淘汰，目前在業(yè)余無線電愛好者的 DIY 項目中偶見，如用于礦石收音機(jī)的信號檢波。是二極管需要進(jìn)步突破的方向所在，未來在該領(lǐng)域的探索仍任重道遠(yuǎn)。有機(jī)發(fā)光二極管柔韌性好，為可折疊、可彎曲的顯示設(shè)備帶來無限可能。天津本地二極管價位

工業(yè)控制電路依靠二極管實(shí)現(xiàn)精確的電流控制與信號處理，保障生產(chǎn)穩(wěn)定運(yùn)行。天津本地二極管價位

1947 年是顛覆性轉(zhuǎn)折點(diǎn)：貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利團(tuán)隊研制出鍺點(diǎn)接觸型半導(dǎo)體二極管，采用金觸絲壓接在鍺片上形成結(jié)面積 0.01mm2 的 PN 結(jié)，無需加熱即可實(shí)現(xiàn)電流放大（β 值達(dá) 20），體積較真空管縮小千倍，功耗降低至毫瓦級。1950 年，首只硅二極管誕生，其 175℃耐溫性（鍺 100℃）和 0.1μA 漏電流（鍺為 10μA）徹底改寫規(guī)則，為后續(xù)晶體管與集成電路奠定材料基礎(chǔ)。從玻璃真空管到半導(dǎo)體晶體，這一階段的突破不 是元件形態(tài)的革新，更是電子工業(yè)從 “熱電子時代” 邁向 “固態(tài)電子時代” 的底層改變。天津本地二極管價位