4，反向漏電是指二極管反向偏置時，流過處于反向工作的二極管PN結(jié)的微小電流，反向漏電流越小，二極管的單方向?qū)щ娦阅茉胶?，在電路中，發(fā)光二極管通常都工作在正向偏置狀態(tài)下，漏電流參數(shù)沒有什么影響。但對作為整流管二極管的1N4007來說，由于其經(jīng)常會處在反向偏置狀態(tài)，所以反向漏電流的參數(shù)對其很重要。反向漏電流還與溫度有著密切的關(guān)系，溫度每升高10℃，反向屯流大約增大一倍；5，較大反向峰值電流是指二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，這個電流值越小，表明二極管質(zhì)量越好。二極管IN5399為高反壓整流二極管，可直接代換的整流二極管有RL157、IN5408，也可以用2只常見的IN4007并聯(lián)代換。深圳市凱軒業(yè)科技有限公司，穩(wěn)壓二極管信賴之選。浙江廠家直銷穩(wěn)壓二極管

整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對一定頻率的交流電進行整流的二極管。整流的主要目的是將交流轉(zhuǎn)換為直流，其具有高電壓、高電流特性。另外，根據(jù)使用頻率和使用條件不同，轉(zhuǎn)換效率有所不同，提供低VF（正向電壓）、高速開關(guān)型、低噪音等產(chǎn)品。顧名思義，是指具有開關(guān)功能的二極管。此二極管具有正向施加電壓時電流通過 (ON)，反向施加電壓時電流停止 (OFF) 的性能。反向恢復時間 (trr) 短，與其他二極管相比，開關(guān)特性優(yōu)異使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設計好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。浙江廠家直銷穩(wěn)壓二極管二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從 3V 左右到 150V，按每隔 10%，能劃分成許多等級。

8、變?nèi)荻O管用于自動頻率控制（AFC）和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其 PN 結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓 VR 變化，取代可變電容，用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路，多以硅材料制作

13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區(qū)的 N 型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產(chǎn)生的。如發(fā)生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內(nèi)；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡并半導體 P 型區(qū)和 N 型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”表示“峰”；而下標“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關(guān)電路中。凱軒業(yè)電子，穩(wěn)壓二極管信賴之選。

10、穩(wěn)壓二極管是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從 3V 左右到 150V，按每隔 10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從 200mW 至 100W 以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動態(tài)電阻 RZ 很小，一般為 2CW 型；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為 2DW 型。使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設計好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。廠家直銷原裝咨詢穩(wěn)壓二極管，歡迎新老客戶咨詢凱軒業(yè)科技有限公司。浙江廠家直銷穩(wěn)壓二極管

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大體意義上講，PN結(jié)的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上，一般半導體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步，首先擴散運動，P區(qū)的空穴濃度遠大于N區(qū)的自由電子濃度，因此，P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴散，并與N區(qū)中的自由電子復合而消失；同樣，N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移，并與P區(qū)中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生，擴散運動導致了P區(qū)一側(cè)失去空穴而留下負離子，N區(qū)一側(cè)失去電子而留下正離子，這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷，相應地這個區(qū)域稱為空間電荷區(qū)，較后由于有正離子和負離子，這樣在空間電荷區(qū)內(nèi)就會產(chǎn)生一個內(nèi)電場，內(nèi)電場的產(chǎn)生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態(tài)平衡，較后形成了PN結(jié)。浙江廠家直銷穩(wěn)壓二極管