VB---反向峰值擊穿電壓Vc---整流輸入電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發(fā)射極與基極反向電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）VF---正向壓降（正向直流電壓）△VF---正向壓降差VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VGT---門極觸發(fā)電壓VGD---門極不觸發(fā)電壓VGFM---門極正向峰值電壓VGRM---門極反向峰值電壓VF（AV）---正向平均電壓Vo---交流輸入電壓VOM---比較大輸出平均電壓Vop---工作電壓Vn---中心電壓Vp---峰點(diǎn)電壓VR---反向工作電壓（反向直流電壓）VRM---反向峰值電壓（比較高測(cè)試電壓）V（BR）---擊穿電壓Vth---閥電壓（門限電壓、死區(qū)電壓）VRRM---反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）VRWM---反向工作峰值電壓Vv---谷點(diǎn)電壓Vz---穩(wěn)定電壓△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量Vs---通向電壓（信號(hào)電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓av---電壓溫度系數(shù)Vk---膝點(diǎn)電壓。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。廣東測(cè)試儀晶體管

按冷卻方式分類：干式（自冷）變壓器、油浸（自冷）變壓器、氟化物（蒸發(fā)冷卻）變壓器。按防潮方式分類：開放式變壓器、灌封式變壓器、密封式變壓器。按鐵芯或線圈結(jié)構(gòu)分類：芯式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、殼式變壓器（插片鐵芯、C型鐵芯、鐵氧體鐵芯）、環(huán)型變壓器、金屬箔變壓器。按電源相數(shù)分類：?jiǎn)蜗嘧儔浩?、三相變壓器、多相變壓器。按用途分類：電源變壓器、調(diào)壓變壓器、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、脈沖變壓器。半導(dǎo)體分立器件如何分類？分立器件當(dāng)燃是二極管，三極管，MOS晶體管，JFET晶體管幾大類了如果細(xì)分的話，如晶閘管，快速二極管等，就得看半導(dǎo)體器件相關(guān)的書了當(dāng)然也可以包括電阻，電感，電容，這是分立器件，不是半導(dǎo)體分立器件。絕緣柵雙極型晶體管大家都知道晶體三極管的基極電壓其實(shí)就是控制三極管導(dǎo)通程度的。凱軒業(yè)。

電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。常見的有二極管等。電子元器件包括:電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、微特電機(jī)、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝材料、電子膠(帶)制品、電子化學(xué)材料及部品等。電子元器件在質(zhì)量方面國際上有歐盟的CE認(rèn)證，美國的UL認(rèn)證，德國的VDE和TUV以及中國的CQC認(rèn)證等國內(nèi)外認(rèn)證，來保證元器件的合格。

我們?cè)谏厦娴腘PN晶體管中討論過，它也處于有源模式.大多數(shù)電荷載流子是用于p型發(fā)射極的孔.對(duì)于這些孔，基極發(fā)射極結(jié)將被正向偏置并朝基極區(qū)域移動(dòng).這導(dǎo)致發(fā)射極電流Ie.基極區(qū)很薄，被電子輕摻雜，形成了電子-空穴的結(jié)合，并且一些空穴保留在基極區(qū)中.這會(huì)導(dǎo)致基本電流Ib非常小.基極集電極結(jié)被反向偏置到基極區(qū)域中的孔和集電極區(qū)域中的孔，但是被正向偏置到基極區(qū)域中的孔.集電極端子吸引的基極區(qū)域的剩余孔引起集電極電流Ic.在此處查看有關(guān)PNP晶體管的更多信息目前數(shù)以百萬計(jì)的單體晶體管還在使用，絕大多數(shù)的晶體管是和二極管。

晶體管是三腳昆蟲型組件，在某些設(shè)備中單獨(dú)放置但是在計(jì)算機(jī)中，它被封裝成數(shù)以百萬計(jì)的小芯片.”晶體管由三層半導(dǎo)體組成，它們具有保持電流的能力.諸如硅和鍺之類的導(dǎo)電材料具有在導(dǎo)體和被塑料線包圍的絕緣體之間傳輸電流的能力.半導(dǎo)體材料通過某種化學(xué)程序（稱為半導(dǎo)體摻雜）進(jìn)行處理.如果硅中摻有砷，磷和銻，它將獲得一些額外的電荷載流子，即電子，稱為N型或負(fù)半導(dǎo)體；而如果硅中摻有其他雜質(zhì)（如硼），鎵，鋁，它將獲得較少的電荷載流子，即空穴，被稱為P型或正半導(dǎo)體.TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路系統(tǒng)集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個(gè)單獨(dú)的元件。絕緣柵雙極型晶體管

晶體管能夠基于輸入電壓控制輸出電流。廣東測(cè)試儀晶體管

故L型濾波器又稱為K常數(shù)濾波器。倘若一濾波器的構(gòu)成部分，較K常數(shù)型具有較尖銳的截止頻率（即對(duì)頻率范圍選擇性強(qiáng)），而同時(shí)對(duì)此截止頻率以外的其他頻率只有較小的衰減率者，稱為m常數(shù)濾波器。所謂截止頻率，亦即與濾波器有尖銳諧振的頻率。通帶與帶阻濾波器都是m常數(shù)濾波器，m為截止頻率與被衰減的其他頻率之衰減比的函數(shù)。每一m常數(shù)濾波器的阻抗與K常數(shù)濾波器之間的關(guān)系，均由m常數(shù)決定，此常數(shù)介于0～1之間。當(dāng)m接近零值時(shí)，截止頻率的尖銳度增高，但對(duì)于截止頻的倍頻之衰減率將隨著而減小。合于實(shí)用的m值為。至于那一頻率需被截止，可調(diào)節(jié)共振臂以決定之。m常數(shù)濾波器對(duì)截止頻率的衰減度，決定于共振臂的有效Q值之大小。若達(dá)K常數(shù)及m常數(shù)濾波器組成級(jí)聯(lián)電路，可獲得尖銳的濾波作用及良好的頻率衰減。廣東測(cè)試儀晶體管