主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴(kuò)散電容決定,若工作頻率超過fm,則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。反向恢復(fù)時間trr:指在規(guī)定的負(fù)載、正向電流及較大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復(fù)時間。零偏壓電容CO:指二極管兩端電壓為零時,擴(kuò)散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的是,由于制造工藝的限制,即使同一型號的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊中給出的參數(shù)往往是一個范圍,若測試條件改變,則相應(yīng)的參數(shù)也會發(fā)生變化,例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA,而在100°C時IR則變?yōu)樾∮?00uA 肖特基二極管,就選深圳市凱軒業(yè)科技,讓您滿意,歡迎您光臨哦!云南肖特基二極管制造商
根據(jù)特性分類點接觸型二極管,按正向和反向特性分類如下。1、一般用點接觸型二極管這種二極管正如標(biāo)題所說的那樣,通常被使用于檢波和整流電路中,是正向和反向特性既不特別好,也不特別壞的中間產(chǎn)品。如:SD34、SD46、1N34A 等等屬于這一類。2、高反向耐壓點接觸型二極管是較大峰值反向電壓和較大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中,有 SD38、1N38A、OA81 等等。這種鍺材料二極管,其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴(kuò)散型。云南肖特基二極管制造商肖特基二極管原裝選深圳市凱軒業(yè)科技有限公司。
大體意義上講,PN結(jié)的定義為:采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上,一般半導(dǎo)體的材料選擇為硅或者鍺,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步,首先擴(kuò)散運動,P區(qū)的空穴濃度遠(yuǎn)大于N區(qū)的自由電子濃度,因此,P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴(kuò)散,并與N區(qū)中的自由電子復(fù)合而消失;同樣,N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移,并與P區(qū)中的空穴復(fù)合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生,擴(kuò)散運動導(dǎo)致了P區(qū)一側(cè)失去空穴而留下負(fù)離子,N區(qū)一側(cè)失去電子而留下正離子,這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷,相應(yīng)地這個區(qū)域稱為空間電荷區(qū),較后由于有正離子和負(fù)離子,這樣在空間電荷區(qū)內(nèi)就會產(chǎn)生一個內(nèi)電場,內(nèi)電場的產(chǎn)生讓多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到了一個動態(tài)平衡,較后形成了PN結(jié)。
較高反向工作電壓VR:指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值,則反向電流(IR)劇增,二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?,從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電?VB)的一半作為(VR)。較大反向電流IR:它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流,此參數(shù)反映了二極管單向?qū)щ娦阅艿暮脡?。這個電流值越小,表明二極管質(zhì)量越好。擊穿電壓VB:指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時,則指給定反向漏電流條件下的電壓值。較高工作頻率fm:它是二極管在正常情況下的較高工作頻率。線性穩(wěn)壓電源主電路的工作過程首先通過預(yù)設(shè)電路對輸入電源進(jìn)行初步的交流穩(wěn)壓,將其轉(zhuǎn)換為直流電。
如此反復(fù),由于兩個整流元件D1、D2輪流導(dǎo)電,結(jié)果負(fù)載電阻Rfz 上在正、負(fù)兩個半周作用期間,都有同一方向的電流通過,如圖5-4(b)所示的那樣,因此稱為全波整流,全波整流不但利用了正半周,而且還巧妙地利用了負(fù)半周,從而較大地提高了整流效率(Usc=0.9e2,比半波整流時大一倍)。圖5-3所示的全波整濾電路,需要變壓器有一個使兩端對稱的次級中心抽頭,這給制作上帶來很多的麻煩。另外,這種電路中,每只整流二極管承受的較大反向電壓,是變壓器次級電壓較大值的兩倍,因此需用能承受較高電壓的二極管。線性穩(wěn)壓電源是比較早使用的一類直流穩(wěn)壓電源,凱軒業(yè)電子科技有限公司。云南肖特基二極管制造商
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13、江崎二極管 (Tunnel Diode)它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區(qū)的 N 型區(qū)是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)。隧道電流由這些簡并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生的。如發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個條件:①費米能級位于導(dǎo)帶和滿帶內(nèi);②空間電荷層寬度必須很窄(0.01 微米以下);簡并半導(dǎo)體 P 型區(qū)和 N 型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標(biāo)“P”表示“峰”;而下標(biāo)“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達(dá)毫米波段),也可以被應(yīng)用于高速開關(guān)電路中。云南肖特基二極管制造商