RTP半導(dǎo)體晶圓快速退火爐是一種用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中的特殊設(shè)備,RTP是"Rapid Thermal Processing"(快速熱處理)的縮寫(xiě)。它允許在非常短的時(shí)間內(nèi)快速加熱和冷卻晶圓,以實(shí)現(xiàn)材料的特定性質(zhì)改變,通常用于提高晶體管、二極管和其他半導(dǎo)體器件的性能。RTP半導(dǎo)體晶圓快速退火爐通過(guò)將電流或激光能量傳遞到晶圓上,使其在極短的時(shí)間內(nèi)升溫到高溫(通常在幾秒到幾分鐘之間)。這種快速加熱的方式可精確控制晶圓的溫度,而且因?yàn)闊崽幚頃r(shí)間很短,可以減小材料的擴(kuò)散和損傷。以下是關(guān)于RTP半導(dǎo)體晶圓快速退火爐的一些特點(diǎn)和功能:快速處理:RTP退火爐的快速處理功能不僅在升溫過(guò)程中有所體現(xiàn),在降溫階段同樣展現(xiàn)了強(qiáng)大的作用。在升溫階段,RTP退火爐通過(guò)內(nèi)置的加熱元件,如電阻爐或輻射加熱器和鹵素?zé)艄埽咕A能夠在極短的時(shí)間內(nèi)加熱到目標(biāo)溫度,同時(shí)確保均勻性和一致性。在保持溫度一段時(shí)間后,RTP退火爐會(huì)迅速冷卻晶圓以固定所做的任何改變,減小晶圓中的不均勻性。這種快速處理有助于在晶圓上實(shí)現(xiàn)所需的材料性能,同時(shí)**小化對(duì)晶圓的其他不必要熱影響。歐姆接觸合金化,快速退火爐縮短周期。江蘇氣氛快速退火爐
RTP-Table-6為桌面型6英寸晶圓快速退火爐,使用上下兩層紅外鹵素?zé)艄?作為熱源加熱,內(nèi)部石英腔體保溫隔熱,腔體外殼為水冷鋁合金,使得制品加熱均勻,且表面溫度低。6英寸晶圓快速退火爐采用PID控制,系統(tǒng)能快速調(diào)節(jié)紅外鹵素?zé)艄艿妮敵龉β?,控溫更加?zhǔn)確。桌面型快速退火爐的功能特點(diǎn)①極快的升溫速率:RTP快速退火爐的裸片升溫速率是150℃/s,縮短了熱處理時(shí)間。②精確的溫度控制:配備高精度的溫度傳感器和控制系統(tǒng),確保溫度的精確性和穩(wěn)定性。③多樣化的氣氛選項(xiàng):支持多種氣體氣氛,如氮?dú)?、氬氣等,滿足不同材料的熱處理需求。④緊湊的桌面式設(shè)計(jì):適合實(shí)驗(yàn)室和小型生產(chǎn)環(huán)境,節(jié)省空間,便于移動(dòng)和部署。除了以上功能特點(diǎn),在半導(dǎo)體制造的快速熱退火工藝步驟中,測(cè)量晶圓的溫度是關(guān)鍵。如果測(cè)量不準(zhǔn)確,可能會(huì)出現(xiàn)過(guò)熱和溫度分布不均勻的情況,這兩者都會(huì)影響工藝的效果。因此,晟鼎桌面型快速退火爐配置測(cè)溫系統(tǒng),硅片在升溫、恒溫及降溫過(guò)程中精確地獲取晶圓表面溫度數(shù)據(jù),誤差范圍控制在±1℃以內(nèi)。江蘇氣氛快速退火爐硅化物合金退火,快速退火爐確保質(zhì)量。
快速熱處理的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣,包括但不限于IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。它通過(guò)快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜??焖偻嘶馉t是實(shí)施快速熱處理的主要設(shè)備之一,采用先進(jìn)的微電腦控制系統(tǒng)和PID閉環(huán)控制溫度,以達(dá)到極高的控溫精度和溫度均勻性。此外,快速退火爐還可以配置真空腔體和多路氣體,以滿足不同的工藝需求。快速熱處理在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用主要包括離子注入退火、金屬合金化、熱氧化處理、化合物合金化、多晶硅退火、太陽(yáng)能電池片退火、高溫退火和高溫?cái)U(kuò)散等。這些應(yīng)用通過(guò)快速熱處理技術(shù),有效地改善了半導(dǎo)體材料的性能,提高了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。?
桌面式快速退火系統(tǒng),以紅外可見(jiàn)光加熱單片 Wafer或樣品,工藝時(shí)間短,控溫精度高,適用6英寸晶片。相對(duì)于傳統(tǒng)擴(kuò)散爐退火系統(tǒng)和其他RTP系統(tǒng),其獨(dú)特的腔體設(shè)計(jì)、先進(jìn)的溫度控制技術(shù)和獨(dú)有的RL900軟件控制系統(tǒng),確保了極好的熱均勻性。產(chǎn)品特點(diǎn) :紅外鹵素?zé)艄芗訜?,冷卻采用風(fēng)冷 燈管功率PID控溫,可控制溫度升溫,保證良好的重現(xiàn)性與溫度均勻性 采用平***路進(jìn)氣方式,氣體的進(jìn)入口設(shè)置在Wafer表面,避免退火過(guò)程中冷點(diǎn)產(chǎn)生,保證產(chǎn)品良好的溫度均勻性 大氣與真空處理方式均可選擇,進(jìn)氣前氣體凈化處理 標(biāo)配兩組工藝氣體,可擴(kuò)展至6組工藝氣體 可測(cè)單晶片樣品的大尺寸為6英寸(150×150mm) 采用爐門(mén)安全溫度開(kāi)啟保護(hù)、溫控器開(kāi)啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施,保障儀器使用安全硅化物合金退火效率倍增靠快速退火爐。
快速退火爐(芯片熱處理設(shè)備)廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn),和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長(zhǎng)、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中,通過(guò)快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、**性強(qiáng)??焖偻嘶馉t主要由真空腔室、加熱室、進(jìn)氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、氣冷系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)等幾部分組成。期的維護(hù)和保養(yǎng)也非常重要,以確保設(shè)備的長(zhǎng)期可靠使用??焖偻嘶馉t是利用鹵素紅外燈做為熱源,通過(guò)極快的升溫速率,從而消除材料內(nèi)部的一些缺陷,改善產(chǎn)品性能。廣東快速退火爐工藝介紹
氮化物生長(zhǎng)工藝因快速退火爐升級(jí)。江蘇氣氛快速退火爐
快速退火爐常用于半導(dǎo)體制造中,包括CMOS器件、光電子器件、太陽(yáng)能電池、傳感器等領(lǐng)域。具體應(yīng)用如下:1.氧化層退火:用于改善氧化層的質(zhì)量和界面。2.電阻性(RTA)退火:用于調(diào)整晶體管和其他器件的電性能,例如改變電阻值。3.合金形成:用于在不同的材料之間形成合金。4.離子注入:將摻雜的材料jihuo,以改變材料的電學(xué)性質(zhì)。管式爐則廣用于金屬加工、陶瓷燒結(jié)、粉末冶金、陶瓷制造和其他工業(yè)領(lǐng)域。由于其溫度范圍廣,管式爐適用于各種不同的工業(yè)領(lǐng)域,可以滿足各種不同的熱處理需求。江蘇氣氛快速退火爐