SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點(diǎn)，SOA失效，SOA失效是指電源在運(yùn)行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。關(guān)于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON。3：受限于器件較大的耗散功率。4：受限于較大單個脈沖電流。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)。我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生。這個是一個非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個解刨圖，由于去過鋁，可能看起來不那么直接，參考下。場效應(yīng)管在新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、5G通信等新興領(lǐng)域具有巨大的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。江門漏極場效應(yīng)管批發(fā)

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽螅鶕?jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴(kuò)展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。無錫柵極場效應(yīng)管廠家在設(shè)計電路時，應(yīng)根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的場效應(yīng)管類型，以實(shí)現(xiàn)較佳的性能和效果。

以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時電阻的選擇，在MOSFET OFF狀態(tài)時為了保證柵極電荷快速瀉放，此時阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放，在Rg上可以并聯(lián)一個二極管。當(dāng)瀉放電阻過小，由于走線電感的原因也會引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會在這個二極管上串一個小電阻)，但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。估算導(dǎo)通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時候，就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍，遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括。

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。場效應(yīng)晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明，但是實(shí)用的器件一直到1952年才被制造出來（結(jié)型場效應(yīng)管，Junction-FET，JFET）。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），從而大部分代替了JFET，對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠(yuǎn)的意義。場效應(yīng)管的使用方法包括選擇合適的工作點(diǎn)和電源電壓，以及連接正確的外部電路。

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們再考慮了，一般大于1A電流會考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動輸出能力有關(guān)，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動可以直接驅(qū)動MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動走線不是直線，感量可能會更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。使用場效應(yīng)管時，應(yīng)注意其溫度特性，避免在高溫或低溫環(huán)境下使用影響其性能。江門漏極場效應(yīng)管批發(fā)

場效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。江門漏極場效應(yīng)管批發(fā)

測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無限大。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場，因?yàn)殡妶霎a(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通，故萬用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好。江門漏極場效應(yīng)管批發(fā)