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新漫低本底αβ計(jì)數(shù)器有以下功能特點(diǎn):本底,高效率,無(wú)損計(jì)數(shù);主探測(cè)器采用流氣式正比計(jì)數(shù)管,反符合探測(cè)器晶體采用塑料閃爍體;200μg/cm2超薄窗,快速換窗;分體式全新上層鉛室,更小體積,更好屏蔽效果;分格抽屜式設(shè)計(jì),可單獨(dú)換樣;配備探測(cè)器,并聯(lián)氣路系統(tǒng),各路之間完全,互不影響;配備P-10氣體保護(hù)監(jiān)測(cè)系統(tǒng),斷/漏氣自動(dòng)檢測(cè)并保護(hù),實(shí)現(xiàn)氣路全程監(jiān)控;集數(shù)據(jù)獲取與分析于一體的控制軟件,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)自動(dòng)處理、儲(chǔ)存并生成實(shí)驗(yàn)報(bào)告廣東新型低本底計(jì)數(shù)器供應(yīng)商上海新漫傳感科技有限公司為您提供低本底計(jì)數(shù)器。
LLB1000用到了閃爍體探測(cè)器和PIPS探測(cè)器。其中,閃爍體探測(cè)器是采用α閃爍物質(zhì)和β閃爍物質(zhì)復(fù)合閃爍體作為發(fā)光元件。由于α粒子的射程短,當(dāng)粒子進(jìn)入α閃爍物質(zhì)時(shí),將全部能量損失在ZnS(Ag)材料上,引起閃爍發(fā)光,光電倍增管產(chǎn)生α信號(hào)。β粒子由于穿透能力較強(qiáng),β粒子穿過(guò)ZnS(Ag)材料進(jìn)入β閃爍物質(zhì),產(chǎn)生閃爍光,進(jìn)入光電倍增管產(chǎn)生β信號(hào)。PIPS探測(cè)器是半導(dǎo)體兩端加反向電壓,N區(qū)接正,P區(qū)接負(fù),外加電場(chǎng)方向與內(nèi)建電場(chǎng)方向相同,使耗盡層增厚,漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)。當(dāng)帶電粒子穿過(guò)時(shí)產(chǎn)生電子-空穴對(duì),在高電場(chǎng)下分別向正負(fù)電極漂移,產(chǎn)生信號(hào)。信號(hào)幅度正比于電子空穴對(duì)數(shù)目,正比于入射粒子損失能量。
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閃爍體探測(cè)器是采用α閃爍物質(zhì)和β閃爍物質(zhì)復(fù)合閃爍體作為發(fā)光元件。由于α粒子的射程短,當(dāng)粒子進(jìn)入α閃爍物質(zhì)時(shí),將全部能量損失在ZnS(Ag)材料上,引起閃爍發(fā)光,光電倍增管產(chǎn)生α信號(hào)。β粒子由于穿透能力較強(qiáng),β粒子穿過(guò)ZnS(Ag)材料進(jìn)入β閃爍物質(zhì),產(chǎn)生閃爍光,進(jìn)入光電倍增管產(chǎn)生β信號(hào)。PIPS探測(cè)器是半導(dǎo)體兩端加反向電壓,N區(qū)接正,P區(qū)接負(fù),外加電場(chǎng)方向與內(nèi)建電場(chǎng)方向相同,使耗盡層增厚,漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)。當(dāng)帶電粒子穿過(guò)時(shí)產(chǎn)生電子-空穴對(duì),在高電場(chǎng)下分別向正負(fù)電極漂移,產(chǎn)生信號(hào)。信號(hào)幅度正比于電子空穴對(duì)數(shù)目,正比于入射粒子損失能量。北京本地低本底計(jì)數(shù)器全國(guó)發(fā)貨
ISO9001標(biāo)準(zhǔn)涉及了技術(shù)法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)和合格評(píng)定程序。世貿(mào)/技術(shù)壁壘協(xié)定(WTO/TBT)也是WTO...
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