壓電驅(qū)動(dòng)器壓電驅(qū)動(dòng)器利用逆壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)變?yōu)闄C(jī)械能或機(jī)械運(yùn)動(dòng)，聚合物驅(qū)動(dòng)器主要以聚合物雙晶片作為基礎(chǔ)，包括利用橫向效應(yīng)和縱向效應(yīng)兩種方式，基于聚合物雙晶片開(kāi)展的驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用研究包括顯示器件控制、微位移產(chǎn)生系統(tǒng)等。要使這些創(chuàng)造性設(shè)想獲得實(shí)際應(yīng)用，還需要進(jìn)行大量研究。電子束輻照P（VDF-TrFE）共聚合物使該材料具備了產(chǎn)生大伸縮應(yīng)變的能力，從而為研制新型聚合物驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)造了有利條件。在潛在**應(yīng)用前景的推動(dòng)下，利用輻照改性共聚物制備全高分子材料水聲發(fā)射裝置的研究，在美國(guó)軍方的大力支持下正在系統(tǒng)地進(jìn)行之中。除此之外，利用輻照改性共聚物的優(yōu)異特性，研究開(kāi)發(fā)其在醫(yī)學(xué)超聲、減振降噪等領(lǐng)域應(yīng)用，還需要進(jìn)行大量的探索。壓電顯微操作儀PMM 6可用于豬卵母細(xì)胞和胚胎的ICSI等實(shí)驗(yàn)。日本壓電4G

“ICSI”（intracytoplasmicsperminjection）指卵胞漿單精子注射，其操作主要涉及“精子制動(dòng)-精子拾取-破膜-注射”幾個(gè)步驟，其中在“破膜”（即使用注射針刺破卵膜，以便將單個(gè)精子送入卵胞漿）這一步，部分患者的卵子會(huì)出現(xiàn)“無(wú)破膜感”這一特征，這是怎么回事呢？原來(lái)，進(jìn)行ICSI操作的時(shí)候，并不是直接用注射針徑直扎破卵膜。技術(shù)書(shū)籍這樣描述道：“調(diào)節(jié)顯微操作作針和卵膜至同一水平面，將注射針中的精子推至針尖處，注射針從卵子3點(diǎn)鐘位置穿入透明帶并繼續(xù)進(jìn)針，至卵中心或越過(guò)中心位置。由于卵膜的彈性，進(jìn)針處卵膜出現(xiàn)‘漏斗狀’，但卵膜仍未破裂，需輕微回吸注射針以確認(rèn)膜破裂。一旦刺破卵膜可見(jiàn)到胞漿和精子的一個(gè)‘快速反流’的過(guò)程或可見(jiàn)卵膜‘回彈’現(xiàn)象，之后將精子注入卵子胞質(zhì)內(nèi)。這是正常情況下的破膜操作，而文章開(kāi)頭提到的“無(wú)破膜感”，則是指注射針穿入透明帶的同時(shí)也立即穿透卵膜，不形成漏斗狀結(jié)構(gòu)，看不到胞漿的快速返流或回彈現(xiàn)象。學(xué)術(shù)界給具有這一特征的卵子細(xì)胞膜起了個(gè)特有名稱——脆性卵膜。香港透明帶打孔壓電核轉(zhuǎn)移壓電式顯微操作儀PMM可用于ES細(xì)胞注射等實(shí)驗(yàn)。

卵胞漿內(nèi)單精子顯微注射（ICSI）不僅用于人類輔助生殖（ART），而且在稀有物種保護(hù)、轉(zhuǎn)基因動(dòng)物的生殖系拯救或任何獸醫(yī)輔助受孕過(guò)程中也被***用于獸醫(yī)體外受精。壓電輔助ICSI于1995年***被描述，可用于標(biāo)準(zhǔn)ICSI失敗的動(dòng)物（如小鼠）的輔助受孕。該技術(shù)所需的顯微注射工作站與標(biāo)準(zhǔn)ICSI非常相似，但在毛細(xì)管支架上增加了一個(gè)壓電沖擊單元。本用戶指南重點(diǎn)介紹壓電輔助顯微注射程序本身。摘要卵母細(xì)胞胞漿內(nèi)單精子顯微注射，即將單個(gè)精子直接注射到卵子的細(xì)胞質(zhì)中，***在倉(cāng)鼠身上被描述，并已成功應(yīng)用于人類，以及其他物種，如小鼠。在動(dòng)物模型中進(jìn)行的ICSI是研究直接受精過(guò)程以及不孕原因的比較好工具。特別是在生物醫(yī)學(xué)研究領(lǐng)域，當(dāng)精子被共同注射或包裹外源DNA時(shí)，ICSI也可以用作基因轉(zhuǎn)移技術(shù)。此外，當(dāng)轉(zhuǎn)基因表達(dá)或突變損害雄性或雌性小鼠的生存能力或生育能力時(shí)，通常會(huì)應(yīng)用小鼠ICSI。在這些情況下，壓電輔助ICSI可以成為拯救和維持非常有價(jià)值的小鼠品系的一種手段，因?yàn)檎５腎CSI已被證明在小鼠身上很困難。幾項(xiàng)研究表明，通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)的微毛細(xì)管注**子對(duì)小鼠卵子的創(chuàng)傷遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)方法。此外，壓電輔助ICSI已被證明可以顯著提高受精成功率。

細(xì)晶粒壓電陶瓷以往的壓電陶瓷是由幾微米至幾十微米的多疇晶粒組成的多晶材料，尺寸已不能滿足需要了。減小粒徑至亞微米級(jí)，可以改進(jìn)材料的加工性，可將基片做地更薄，可提高陣列頻率，降低換能器陣列的損耗，提高器件的機(jī)械強(qiáng)度，減小多層器件每層的厚度，從而降低驅(qū)動(dòng)電壓，這對(duì)提高疊層變壓器、制動(dòng)器都是有益的。減小粒徑有上述如此多的好處，但同時(shí)也帶來(lái)了降低壓電效應(yīng)的影響。為了克服這種影響，人們更改了傳統(tǒng)的摻雜工藝，使細(xì)晶粒壓電陶瓷壓電效應(yīng)增加到與粗晶粒壓電陶瓷相當(dāng)?shù)乃健，F(xiàn)在制作細(xì)晶粒材料的成本已可與普通陶瓷競(jìng)爭(zhēng)了。近年來(lái)，人們用細(xì)晶粒壓電陶瓷進(jìn)行了切割研磨研究，并制作出了一些高頻換能器、微制動(dòng)器及薄型蜂鳴器（瓷片20-30um厚），證明了細(xì)晶粒壓電陶瓷的優(yōu)越性。隨著納米技術(shù)的發(fā)展，細(xì)晶粒壓電陶瓷材料研究和應(yīng)用開(kāi)發(fā)仍是近期的熱點(diǎn)。PMM PIEZO的使用不僅可以提高受孕成功率，還可以減少患者的心理壓力和焦慮感，增強(qiáng)他們的信心。

卵子***是人類胚胎發(fā)育的起始步驟，該過(guò)程主要由細(xì)胞內(nèi)的鈣釋放調(diào)控，當(dāng)成熟的卵母細(xì)胞發(fā)育到MII期后，只有精子的PLCζ進(jìn)入卵母細(xì)胞的胞漿，才能***鈣震蕩，促使卵母細(xì)胞完成完整的減數(shù)分裂。TFF(Totalfertilizationfailure，完全受精失敗)是指MII期卵母細(xì)胞無(wú)法完成受精的過(guò)程，有1-3%的ICSI失敗是源于IFF。TFF與精子及卵子的異常均有關(guān)，其中卵子***異常是主要因素。卵子因素主要是由蛋白合成不足或異常信號(hào)傳導(dǎo)導(dǎo)致的胞質(zhì)不成熟；精子因素主要是PLCζ蛋白的結(jié)構(gòu)、表達(dá)和定位異常。受精失敗與女方年齡、不育類型和取卵數(shù)目等因素?zé)o關(guān)。精子的解凝功能異常和魚(yú)精蛋白缺失與TFF密切相關(guān)。精子染色質(zhì)組裝異?；蚓覦NA損傷可導(dǎo)致精子的解凝異常，無(wú)法***卵子及合子形成。研究表明精子染色質(zhì)組裝異常的精子中精子解凝功能受阻的精子比例高于正常精子。精細(xì)胞染色質(zhì)的魚(yú)精蛋白的合成與組裝對(duì)于精細(xì)胞的基因組濃縮也是非常重要的。若魚(yú)精蛋白的量減少，精子在ICSI后提前解凝，導(dǎo)致受精失敗。當(dāng)精子進(jìn)入卵子后精子染色質(zhì)提前濃縮也導(dǎo)致其提前解凝，精子和卵子遺傳物質(zhì)的同步節(jié)奏被打破，也造成受精失敗。不過(guò)這種同步性異常主要還是卵子因素造成的。壓電破膜儀PMM 6用于RNA注射。上海細(xì)胞內(nèi)膜打孔壓電ES注射

與傳統(tǒng)ICSI方法相比，Piezo-ICSI增加了顯微注射的速度和準(zhǔn)確率，利用MII轉(zhuǎn)基因的方法有效的生成轉(zhuǎn)基因鼠。日本壓電4G

在非晶方性晶體中，施一外力使晶體變形，則由于晶格中電荷的移動(dòng)造成晶體內(nèi)局部性不均勻電荷分布，而產(chǎn)生一電位移。電荷的位移是由于晶體內(nèi)部所有離子的移動(dòng)，或者因?yàn)樵榆壍郎想娮臃植嫉淖冃味痣x子偏極化所造成，這些電荷位移現(xiàn)象在所有材料中都存在，可是要具有壓電效應(yīng)，則必須能在材料每單位體積中造成有效地凈的電雙極矩變化。是否能有這種變化，端視晶格結(jié)構(gòu)之對(duì)稱性而定。壓電現(xiàn)象理論**早是李普曼（Lippmann）在研究熱力學(xué)原理時(shí)就已發(fā)現(xiàn)，后來(lái)在同一年，居里兄弟做實(shí)驗(yàn)證明了這個(gè)理論，且建立了壓電性與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系。1894年，?？颂兀╓.Voigt）更嚴(yán)謹(jǐn)?shù)囟ǔ鼍w結(jié)構(gòu)與壓電性的關(guān)系，他發(fā)現(xiàn)32種晶類（class）可能具有壓電效應(yīng)（32類中不具有對(duì)稱中心的有21種，其中一種壓電常數(shù)為零，其余20種都具有壓電效應(yīng)）。日本壓電4G