廣州市元奧儀器有限公司2024-12-24
現(xiàn)代圖像傳感器主要由硅制成,UV不能很好地穿透硅,波長小于 350 nm 的UV在小于1 μm的深度被硅完全吸收。當(dāng)光從正面照射電荷耦合器件(CCD)或互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器時,檢測及成像效果并不好。
制造技術(shù)的進(jìn)步使背照式圖像傳感器的經(jīng)濟(jì)晶圓級制造成為可能,這些傳感器通過減薄硅層來提高穿透深度。制造這種傳感器時,采用沉積法來組裝不同層,然后翻轉(zhuǎn)晶圓,蝕刻或減薄基板材料,以便從背面照射圖像傳感器。該技術(shù)已被用于改善低光可見光成像,而其對于穿透深度很差的UV應(yīng)用更為重要。
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"現(xiàn)在,UV的穿透深度足以在硅中產(chǎn)生電荷載流子,從而將量子效率/靈敏波段降低至 193 nm或更低波段,“埃賽力達(dá)科技的高級成像產(chǎn)品和應(yīng)用科學(xué)家 Gerhard Holst 說,“通過適當(dāng)?shù)耐繉雍筒牧?,還可以創(chuàng)建靈敏波段低至 2nm 的圖像傳感器,即EUV和軟 X 射線波段。" 硅原對UV有吸收的光學(xué)材料。標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)玻璃吸收 290 nm 以下區(qū)域的光。為了避免這個問題,早期的 UV 相機(jī)移除了阻擋元件?,F(xiàn)代相機(jī)則使用熔融石英(Silica、Quartz)和/或氟化鈣制成的光學(xué)元件,允許更多UV光通過。 空氣會吸收180 至 190 nm 以下的光,也會成為 UV 成像的一個問題。這部分紫外線光譜通常稱為真空紫外線(VUV),需要非常高的真空或氨氣環(huán)境。 廣州市元奧儀器有限公司專注于UV紫外相機(jī),歡迎隨時交流!
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