東宇東庵(無錫)科技有限公司2025-05-17
殘余奧氏體控制:深冷處理直接轉(zhuǎn)變殘余奧氏體,效果更***(殘余奧氏體可降至 2% 以下),而多次回火(如 170℃×3 次)*能部分分解奧氏體。
碳化物析出:深冷處理促使馬氏體中析出超微細(xì)碳化物(納米級),而回火主要形成較大尺寸碳化物(如 17.39nm)。
適用場景:深冷處理更適合精密零件或高負(fù)荷工況,多次回火適用于對硬度要求稍低但需保留一定韌性的零件。
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