無錫珹芯電子科技有限公司2024-06-25

SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）與DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）在設(shè)計(jì)上的主要差異體現(xiàn)在存儲單元結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)保持方式上。SRAM通常使用雙穩(wěn)態(tài)電路如觸發(fā)器或雙晶體管結(jié)構(gòu)，能夠快速存取數(shù)據(jù)且不需要周期性刷新，這使得SRAM在速度上有優(yōu)勢，但成本相對較高。而DRAM則使用單個(gè)晶體管加電容的組合，需要定期刷新來保持存儲的數(shù)據(jù)，這導(dǎo)致其速度較慢，但成本較低，且集成度高，適用于大容量存儲需求。

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