并且可以因此在限定間隙307、308的一個或多個位置處包括相對較小和相對較大的距離。將多個同心波導300a、300b、300c提供給光耦合器220可以提供若干機械***。例如，在一些實施例中，與相對較厚的單個波導相比，多個相對較薄的同心波導(其有效厚度可以等于相對較厚的單個波導的厚度)可以至少部分地基于等效彎曲半徑的波導的彎曲或曲折輪廓彎曲而包括相對較小的感應(yīng)應(yīng)力?？紤]到包括預定彎曲半徑的相對較厚的單個波導，可以至少部分地基于波導的彎曲剛度和所施加的使波導彎曲以呈現(xiàn)所需彎曲或曲折輪廓的彎曲力(例如，力矩)，引起在波導的內(nèi)表面處的壓縮應(yīng)力和波導的外表面處的拉伸應(yīng)力。因此，對于預定的彎曲半徑，相對較厚的單個波導的外表面處的拉伸應(yīng)力可以大于具有相同彎曲半徑的相對較薄的波導的外表面處的可比較的拉伸應(yīng)力。因此，在一些實施例中，相對較薄的波導可以彎曲以包括相對較小的半徑，同時引起在相對較厚的單個波導中引起的波導的外表面處的等效的拉伸應(yīng)力。因此，將多個同心波導300a、300b、300c提供給光耦合器220可以使得能夠采用包括更緊密的(例如，更小的)半徑ra、rb、rc的波導300a、300b、300c。因此，在一些實施例中。世華高光耦性能穩(wěn)定，技術(shù)成熟。成都光耦工作原理

    深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負責研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負責光電器件的制造。許多學校采用自動打鈴裝置，這盡管給工作帶來了方便，但如遇停電，會使學校作息時間混亂。若裝有下面介紹的裝置，它會發(fā)出報警聲，通知有關(guān)人員改用人工打鈴。工作原理：該裝置由交流檢測器（左半部）和音頻振蕩器（右半部分）組成。交流電220V經(jīng)VD整流，C1濾波得到300V直流高壓。此直流一路經(jīng)R1使發(fā)光二極管LED1發(fā)光，另一路經(jīng)R2送入光電耦合器4N25的1腳，使內(nèi)部的發(fā)光管點亮，光照射到光電晶體管上，此光電晶體管呈低電阻導通，將VT1基極電位拉到地電位，音頻振蕩器無法正常工作，揚聲器與發(fā)光二極管均無電流流過，既不發(fā)聲也不發(fā)光。一旦突然停電，C1兩端的300V檢測電壓消失，LED1熄滅，光電耦合器中內(nèi)部的發(fā)光管也隨之熄滅，光電晶體管沒受到光照呈高阻，VT1的基極不再被光耦短接到地，VT1、VT2等元件組成的音頻振蕩器滿足振蕩條件，開始振蕩使揚聲器和LED2發(fā)聲發(fā)光，有關(guān)人員聞訊斷開SA此后改為人式打鈴。當市電恢復供電時，LED1發(fā)光，這時可以再改為自動打鈴。成都光耦工作原理世華高光耦助你實現(xiàn)智能生活。

    可以在約10mm的彎曲半徑處獲得接近零的光學損耗。因此，基于圖8的曲線圖，取決于例如光耦合器220的可接受的或期望的光學損耗和期望的厚度“t”，可以選擇波導的厚度、彎曲半徑和數(shù)量，以獲得實現(xiàn)期望的光學特性的多個波導。圖9示出了包括不同厚度901、902、903的波導(例如，波導300a、300b、300c中的一個或多個)的示例性曲線圖。根據(jù)本公開的實施例，使用計算機建模和分析技術(shù)，針對包括、包括。垂直軸或“y”軸表示以百分比(％)表示的光透射，且水平軸或“x”軸表示以毫米(mm)為單位的波導的半徑(例如，ra、rb、rc)。因此，線911表示波導901的光透射與波導半徑之間的關(guān)系，線912表示波導902的光透射與波導半徑之間的關(guān)系，線913表示波導903的光透射與波導半徑之間的關(guān)系。在一些實施例中，光透射百分比可以被定義為測量的、感知的或計算的實際功率相對于參考功率的百分比。例如，參考圖3，光源225的發(fā)光區(qū)域224可以將包括參考功率(例如，流明)的光提供給波導300a、300b、300c的第二邊緣304a、304b、304c。光可以傳播通過波導300a、300b、300c，并以實際功率離開光學耦合到導光板210的外邊緣213的波導300a、300b、300c的邊緣303a、303b、303c。因此。

    注：此版包含晶體管輸出，達靈頓輸出，可控硅輸出，IGBT驅(qū)動光耦，高速光耦，施密特輸出測試方法以及測試結(jié)果判定標準。設(shè)備簡介使用萬用表需要注意：測電流紅色表筆就要插入mA孔測電壓紅色表筆就要插入VΩHz孔黑筆一直插COM孔設(shè)備：測試座（用以搭載被測材料）信號發(fā)生器（用以提供所需的電壓與電流信號）萬用表（用以檢測相關(guān)參數(shù)）測試線若干（連接上述設(shè)備）深圳市世華高半導體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負責研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負責光電器件的制造。測試相關(guān)步驟：1.確定被測光耦類型2.測試線連接3.參數(shù)設(shè)定4.進行測試5.判定材料是否OK測試常識：給電流測電壓，給電壓測電流晶體管輸出光耦測試方法達林頓輸出光耦測試方法可控硅輸出光耦測試方法10M高速光耦測試方法1M高速光耦測試&高速達靈頓系列測試方法施密特觸發(fā)器輸出光耦測試方法IGBT驅(qū)動光耦測試方法。線性光耦哪家好？世華高好！

    且附圖被結(jié)合到本說明書中并構(gòu)成本說明說的一部分。附圖示出了本公開的各種實施例，并且與說明書一起用于說明其原理和操作。附圖說明當參考附圖閱讀時，可以進一步理解本公開的這些和其他特征、實施例和***：圖1示出了根據(jù)本公開的實施例的示例性電子顯示器的示意性平面圖；圖2示出了根據(jù)本公開的實施例的包括示例性背光單元的沿著圖1的線2-2的示例性電子顯示器的橫截面圖。圖3示出了根據(jù)本公開的實施例的包括光耦合器的由圖2的數(shù)字3標識的背光單元的區(qū)域的放大圖，該光耦合器包括多個同心波導；圖4示出了根據(jù)本公開的實施例的沿著圖3的線4-4的光耦合器的橫截面圖；圖5示出了根據(jù)本公開的實施例的包括定位在光耦合器和光源之間的第二光耦合器的圖3的背光單元的區(qū)域的示例性實施例；圖6示出了根據(jù)本公開的實施例的包括定位在光耦合器和光源之間的替代的第二光耦合器的圖3的背光單元的區(qū)域的另一個示例性實施例；圖7示出了沿圖6的線7-7的替代的第二光耦合器的平面圖；圖8示出了根據(jù)本公開的實施例的包括不同厚度的波導的示例性曲線圖，其中垂直軸或“y”軸表示以分貝(db)為單位的光學損耗，水平軸或“x”軸表示以毫米(mm)為單位的波導半徑。光耦哪家好？世華高！無錫進口光耦生產(chǎn)廠家

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    300b，300c的長度“l(fā)”可以被選擇為使得波導300a、300b、300c的邊緣303a、303b、303c可以是沿著導光板210的對應(yīng)長度或?qū)挾?例如，整個長度或?qū)挾?光學地和機械地中的至少一個耦合到導光板210的外邊緣213。另外，在一些實施例中，間隙307、308可以限定相鄰波導300a、300b和300b、300c的內(nèi)表面301b、301c中的相應(yīng)一個與外表面302a、302b中的相應(yīng)一個之間的距離d1，d2。即，在一些實施例中，間隙307可以限定波導300b的內(nèi)表面301b與波導300a的外表面302a之間的距離d1。同樣，在一些實施例中，間隙308可以限定波導300c的內(nèi)表面301c與波導300b的外表面302b之間的距離d2。在一些實施例中，波導300a、300b、300c可以由框架(未示出)或粘合劑(未示出)支撐相對于彼此定位。在一些實施例中，距離d1、d2可以是從約1微米到約10微米；然而，在一些實施例中，，距離d1、d2可以小于約1微米或大于約10微米，而不脫離本公開的范圍。在一些實施例中，距離d1、d2可以是恒定的。例如，在一些實施例中，距離d1、d2在相對于半徑ra、rb、rc的整個中心角310上可以是恒定的。替代地，在一些實施例中，距離d1、d2可以在相對于半徑ra、rb、rc的中心角310上變化。成都光耦工作原理