以p型離子注入形成有源區(qū)；所述的氧化硅層為熱氧化生成sio2層，所述的氮化硅層為淀積生長(zhǎng)的si3n4層；所述的正面金屬電極是在濺射后經(jīng)刻蝕成形。所述外延層的電阻率為500～1000ohm·cm，外延層厚度wepi根據(jù)耗盡區(qū)寬度wd確定：wepi≈wd，而wd≥w入/2，其中w入＝f(λ)，w入為入射光入射深度，λ為入射光波長(zhǎng)。一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管的制備方法，包括以下操作：1)在襯底上濺射生成高反層；2)高反層開設(shè)刻蝕孔；3)高反層上通過(guò)淀積的方法生長(zhǎng)外延層；4)在外延層上通過(guò)離子注入分別形成保護(hù)環(huán)和有源區(qū)；5)在保護(hù)環(huán)和有源區(qū)上生成sio2層，然后在sio2層上方生成si3n4層；6)在sio2層、si3n4層上刻出接觸孔，然后濺射金屬，濺射完成后刻蝕形成正面金屬電極；7)在襯底的背面做金屬化處理形成背面電極。所述的襯底采用電阻率20～100為ohm·cm的低電阻率硅材料；襯底直接與背面金屬形成良好的歐姆接觸；所述的高反層是由折射率～～，通過(guò)化學(xué)氣相淀積或光學(xué)鍍膜技術(shù)生成；所述的外延層的電阻率為500～1000ohm·cm，外延層的厚度與耗盡區(qū)寬度相當(dāng)；所述的保護(hù)環(huán)為as離子源注入，注入劑量為1e15～2e15。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳。專注硅光電二極管，智能硬件解決方案-世華高。溫州光電硅光電二極管品牌

    主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，分布在中國(guó)、印度、泰國(guó)、伊朗、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，分布在中國(guó)、印度、泰國(guó)、伊朗、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。所述的有源區(qū)為b離子源注入，注入劑量為1e15～2e15；所述的正面金屬電極是在濺射al之后刻蝕形成。與現(xiàn)有技術(shù)相比。東莞硅光電硅光電二極管參數(shù)世華高硅光電二極管讓你體驗(yàn)許多智能化功能！

    提高硅基光電二極管響應(yīng)速度變得越來(lái)越迫切。高阻材料雖然可以提高響應(yīng)度，同時(shí)它也會(huì)引入三個(gè)方面的缺點(diǎn)：一是耗盡區(qū)寬度變寬，使得光生載流子漂移時(shí)間變長(zhǎng)，響應(yīng)速度變慢；二是耗盡區(qū)變寬，需要材料厚度相應(yīng)的變厚，而對(duì)于某些應(yīng)用場(chǎng)景，需要芯片厚度在150um左右，這種情況下，寬耗盡區(qū)并未帶來(lái)響應(yīng)度的明顯提升；三是由于材料為高阻材料，擴(kuò)散區(qū)電阻率太高，導(dǎo)致擴(kuò)散時(shí)間變長(zhǎng)，從而導(dǎo)致響應(yīng)速度變慢?？梢钥闯?，為了得到高響應(yīng)度，材料厚度需要做厚，電阻率選用高阻；為了得到高響應(yīng)速度。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，分布在中國(guó)、印度、泰國(guó)、伊朗、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。材料厚度盡量薄，電阻率盡量低；這樣就很難實(shí)現(xiàn)兩者的兼顧。

    深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu)，分布在中國(guó)、印度、泰國(guó)、伊朗、香港等多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。據(jù)外媒報(bào)道，韓國(guó)浦項(xiàng)工科大學(xué)（PohangUniversityofScienceandTechnology）的一組研究人員已經(jīng)研發(fā)出近紅外（NIR）硅光電二極管，比現(xiàn)有的光電二極管靈敏度高出三分之一?，F(xiàn)有的近紅外光電二極管通常由化學(xué)材料制成，需要單獨(dú)的冷卻裝置，很難集成。而浦項(xiàng)工科大學(xué)Chang-KiBaek教授領(lǐng)導(dǎo)的一組研究人員采用沙漏型的硅納米線，增加了硅對(duì)紅外光的吸收。位于納米線上方，倒轉(zhuǎn)的納米錐通過(guò)產(chǎn)生回音壁式共振，延長(zhǎng)了近紅外-短波紅外（SWIR）光子的停留時(shí)間，而下方的納米錐由于反射率低，能夠重新吸收附近納米線的入射光。與現(xiàn)有的平板硅光電子二極管相比，該納米線在1000納米波長(zhǎng)下。專業(yè)硅光電二極管生產(chǎn)廠家就找深圳世華高。

    本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果：本發(fā)明提供的高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管，通過(guò)適當(dāng)減小耗盡區(qū)寬度和減小擴(kuò)散區(qū)電阻率，耗盡區(qū)寬度減小導(dǎo)致響應(yīng)度的降低，本發(fā)明通過(guò)增加高反層使得光子在耗盡區(qū)中二次吸收來(lái)補(bǔ)償；高反層的形成使得器件保持對(duì)長(zhǎng)波響應(yīng)度的同時(shí)，降低響應(yīng)時(shí)間；由于擴(kuò)散區(qū)(耗盡區(qū)以外的區(qū)域)材料電阻率很低，擴(kuò)散區(qū)阻抗很小，因此擴(kuò)散時(shí)間很短；從而實(shí)現(xiàn)硅基光電二極管高響應(yīng)度與高響應(yīng)速度同時(shí)提升。本發(fā)明提供的高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管，由于通過(guò)低阻材料降低了擴(kuò)散區(qū)電阻，縮短了擴(kuò)散時(shí)間；而高反層的設(shè)置提高了長(zhǎng)波的吸收效率，降低了耗盡區(qū)的物理厚度，縮短了漂移時(shí)間，并且在其上開孔減小了擴(kuò)散區(qū)的阻抗；襯底采用低電阻率材料，背面不用進(jìn)行減薄注入，直接背面金屬化形成背面電極，避免了加工過(guò)程中碎片的情況。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖示意圖；圖2為本發(fā)明的等效電路示意圖；圖3為本發(fā)明的高反層原理示意圖；圖4為多孔結(jié)構(gòu)高反層的示意圖；圖5-1～圖5-7分別為本發(fā)明的逐層制備示意圖。圖6為本發(fā)明的硅基光電二極管的響應(yīng)度測(cè)試曲線；圖7為本發(fā)明的硅基光電二極管的頻率特性測(cè)試曲線。硅光電二極管主流供應(yīng)商？世華高！天津硅光電二極管品牌

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    將上述sr摻雜batio3/znte工作電極放入光電化學(xué)反應(yīng)器內(nèi)，與鉑片對(duì)電極組裝成兩電極體系，將該電極在+，所用溶液為碳酸丙烯酯，用去離子水清洗后，將光電極在真空條件下50℃干燥10h。之后，采用上海辰華chi660e電化學(xué)工作站，將極化后的sr摻雜batio3/znte工作電極和飽與鉑片對(duì)電極、飽和甘汞電極組裝成典型的三電極體系，電解質(zhì)溶液為。光電流測(cè)試前，往電解質(zhì)溶液中鼓co2半個(gè)小時(shí)，使溶液中的氧氣排盡，co2濃度達(dá)到飽和。圖4為本實(shí)施例制備的sr摻雜batio3/znte工作電極和水熱法制備的znte薄膜電極在。由圖可知，單獨(dú)的znte光電催化難以產(chǎn)生co產(chǎn)物，說(shuō)明znte光陰極的大部分載流子不能與co2發(fā)生相互作用，導(dǎo)致界面載流子嚴(yán)重復(fù)合，co產(chǎn)生量很低。但是，sr摻雜batio3/znte工作電極的co產(chǎn)量明顯增加，說(shuō)明sr摻雜batio3增加了znte表面的載流子濃度，間接證實(shí)了sr摻雜batio3的載流子分離作用。溫州光電硅光電二極管品牌